相界面的Moiré条纹研究

运用高分辨透射电子显微镜对取向关系分别为45°[100]和66°[011]的MgO/Cu界面结构进行了研究,界面附近由于MgO与Cu相互重叠而出现Moiré条纹,两种不同取向关系所对应的Moiré条纹分别为平行和旋转条纹,对两种Moiré条纹的取向及间距进行了分析,理论分析与实验结果符合得很好.     

Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构，同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明，该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大，晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

改进的水平梯度凝固法生长无位错掺硅的砷化镓单晶

本文提出具有准双抛物线温度分布的水平梯度凝固法生长GaAs晶体.利用此法成功地生长了取向〈111〉B和〈211〉B的掺Si无位错GaAs单晶.晶体在生长过程中,生长界面微凸,与生长方向近乎垂直,表明生长区热对称性良好,从而避免了沿用的水平Bridgman法的一些弊端.文中对该法的其它一些工艺特点也作了详尽的论述.此外,认为掺Si降低位错密度的作用,可能与形成的Si_GaV_Ga络合物与位错的交互作用有关.     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式，研究表明，失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加，失配位错在上界面的数目增多，应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。     

La07Ca0.3MnO3薄膜的高分辩电镜研究

Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３巨磁阻薄膜具有广泛应用前景的磁学材料，薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应。运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制，确定了薄膜好的外延生长关系，并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨。     

CVD金刚石薄膜的界面能量分析

分析了CVD金刚石薄膜的界面能量情况,并由此研究了金刚石成核几率、晶核取向、附着强度与基底材料结构和性能的关系     

用俄歇电子能谱研究薄膜Cu2S/CdS太阳能电池

用俄歇电子能谱(AES)研究了化学沉积Cu₂S制备的Cu₂S/CdS系太阳能电池,探讨了提高电池性能与成品率的方向.还观察到电池组成元素S、Cd随存放时间的增长而向电池表面扩散并逃逸、Cu向纵深方向扩散等现象.讨论了AES分析的深度分布特征与电池效率之间存在着某种函数关系.     

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的高分辩电镜研究

La0 7Ca0 .3MnO3巨磁阻薄膜是具有广泛应用前景的磁学材料 ,薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应 .运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制 ,确定了薄膜良好的外延生长关系 ,并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨 .     

基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管     

酞菁铜蒸发膜电导特性的电极效应

本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO₂、In₂O₃)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电极时,改变电极极性所得暗电流是对称的,V-I特性属典型的SCLC型.而Al/PcCu/Al体系呈现阻挡接触,估计这是蒸得的Al电极上存在氧化层之故.当Al作顶电极,玻璃基片上的SnO₂或In₂O₃层作底电极时,Al极加负电压观察到SCLC,而当SnO₂极加负电压时观察到电极限制电流,In₂O₃极加负电压时观察到负阻效应.     

论高职教育定位偏差对毕业生就业的影响

20世纪90年代以来,我国高等职业教育得到了较快发展,但与此同时,高职院校毕业生的就业问题十分突出。造成这一问题的主要原因就是高职教育定位不准确。针对高职院校办学层次定位错位、培养目标定位偏离、人才培养模式定位守旧三个问题分析高职教育定位偏差对毕业生就业所产生的影响,提出了改进我国职业教育的建议。     

高温合金蠕变位错攀移控制的空洞形核时间

对高温合金的稳态蠕变，利用位错扩散攀移理论解释了空位凝聚和空洞形成核的过程，得出０空位凝聚并形成空位集团主要是由于位错攀移所发射（湮没）空位，引起局部空位浓度异常所致。利用Ｒ．Ｌａｇｎｅｂｏｒｇ的稳态蠕空控制方程导出稳态蠕变空洞形核的临界时间ｔｃ的表达式。     

Cu污染对小麦生长状况有效性规律的初步研究

通过实验模拟研究了铜（Cu）污染对小麦生长状况有效性的规律．结果发现,铜（Cu）污染与小麦种子萌发、株高有很好的相关性,呈低促高抑效应．作为营养元素,铜（Cu）浓度在300mg／kg时,出苗率、株高、生物量都达到最大值;生物量与铜（Cu）浓度呈弱相关．     

离子取代对La2CuO4的结构和磁学性质的影响

La     

LM331在模／数转换接口中的应用

LM331是一种精密频率电压转换器。非常适用于用作模／数转换器。文中介绍了LM331的主要性能指标，同时给出了其与单片机8098的接口。     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

关于光在界面上反射时位相跃变的讨论

本文运用薄膜光学的理论基础--Fresnel公式,研究光在界面上的位相关系。文中对不同的观点进行了讨论。从而提出了一个判断位相跃变可靠而全面的方法。     

延伸PVA膜法中电子光谱的三維解析

延伸PVA(聚乙烯醇)膜法属于测定分子的电子光谱的一种特殊实验技术。近年来已从一轴延伸膜法发展为二轴延伸膜法。一轴延伸膜法的解析理论已比较成熟,但二轴延伸与一轴延伸光谱的统一解析理论尚需完善。在一轴延伸的取向轴存在于二轴延伸的取向面内这一结论的基础上,本文对延伸PVA膜法的电子光谱的三维解析作了一些探讨,提出了一种将一轴及二轴延伸PVA膜法的测定结果,使用取向分布函数统一地定量解析的方法。又对若干个没有重迭吸收带和对称性好取向性不同的分子进行了二色性光谱测定和解析,验证了本解析方法的有效性。     

镧对铒镱共掺碲钨酸盐玻璃的光谱性质和热稳定性的影响

制备了铒镱共掺玻璃样品TeO2-WO3-La2O3研究了铒镱共掺碲钨镧酸盐光谱性质和热稳定性．测试了样品的吸收光谱、荧光光谱、玻璃的热稳定性以及荧光寿命．应用J—O理论计算了玻璃的三个强度参数Ωt（t=2,4,6）,主要分析了强度参数Ω2和玻璃成分的变化关系．测得了Er^3＋在1．5um发射谱的荧光半高宽和Er^3＋的^4I13/2能级寿命,应用McCumber理论计算了Er^3＋在1．5um处的受激发射截面．玻璃样品均没出现析晶开始温度（t）,研究结果表明TeO2-WO3-La2O3是制备宽带光纤放大器的理想基质材料．