A－B－A结构的原子晶格链中晶格振动的界面态

采用界面重标度方法，严格求解了对称Ａ－Ｂ－Ａ结构的原子晶格链中晶格振动的界面态的本征值问题，获得了界面态存在的充分必要条件的精确解析式．     

A—B—A结构的原子晶格链中晶格振动的界面态

采用界面重标度方法，严格求解了对称Ａ－Ｂ－Ａ结构的原子晶格链中晶格振动的界面态征值问题，获得了界面态存在的充分必要条件的精确解析式。     

铁磁性超晶格的低能量子严格解与界面重标度方法

本文利用界面重标度方法和量子理论严格求解了在两种铁磁性材料构成的超晶格中自旋波的低能量子本征态和本征值，给出了物理解与界面条件的精确关系并做了讨论。     

超晶格薄膜热传导的分子动力学模拟

采用非平衡态分子动力学方法模拟了超晶格薄膜的热传导性能，并对其主要影响因素作了分析．模拟结果显示，周期长度固定的超晶格薄膜，界面热阻在总热阻中的比例和导热系数同周期数无关；当超晶格薄膜的膜厚不变时，导热系数将随着周期长度的增大而增大，但由于超晶格薄膜晶格常数的不匹配，使其内部发生明显的几何形变，这种变化关系也愈加复杂，同时周期长度的增加，平均界面热阻也随着增大，揭示了界面热阻不仅取决于界面层的物理条件，而且也与构成的介质内部形变有着重要关系．     

海森堡反铁磁体双子晶格模型的压缩性质

利用参量相关的Bogoliubov变换公式对角化Heisenberg反铁磁双子晶格模型哈密顿，得到施行变换的自旋相关的幺正算符和精确本征态。讨论了关于本征基态两个子晶格原子的总自旋Z分量的涨落和系统SU（1，1），生成元的压缩特性。     

一类耦合超晶格系统中的电子局域态

理论研究了一类耦合超晶格系统中的电子局域态,该系统是由两个半无限GaAs/AlAs超晶格通过隔离层AlyGa1-yAs耦合而成,数值计算表明y＝1时系统仍存在局域态,但要求隔离层的厚度比规则垒层的厚度小许多,比较了只有一个阱层不规则的不规则超晶格系统的局域态和耦合超晶格中局域态的区别,发现后存在两支局模,分别对应于偶宇称态和奇宇称态,而在相同参数下,前仅存在偶宇称态,还给出了产生上述区别的原因。     

表面晶格畸变和电子有效能量的改变对表面态的影响

本文同时考虑了表面电子有效能量的改变和表面晶格的畸变效应,用微扰格林函数方法计算了三维半无限晶体的表面电子态。结果表明:同时计入两种因素的影响后,在上禁带和下禁带可能产生新的表面态。给出了表面态存在条件、表面态能级和波函数的表达式。可以看出:在一般情形下,表面态的数目、存在条件和能级与表面电子有效能量的改变和表面晶格畸变对应的结合能改变都有关系。     

A－B结构铁磁性超晶格中自旋波局域模与界面模

本文研究了Ａ－Ｂ结构的一维铁磁性超晶格自旋链，利用界面重标度方法，给出了自旋波低能量子严格解．结果表明，超晶格自旋波的本征波函数分为三种类型，其一为非局域模，这种模在Ａ、Ｂ链中的分布几率都较大；其二为局域模，这种模主要分布在Ａ（或Ｂ）链中，而Ｂ（或Ａ）链中的分布几率很小；其三为界面模，这种模在超品格界面处的分布几率报大，离开界面按指数迅速衰减．另外，这三种模具有不同的能量范围．     

铁磁超晶格的界面磁性

本文用平均场重整化群方法，研究两处材料交替形成铁磁超晶格的界面磁性，讨论了界面磁性与界面体层耦合强度的依赖关系。     

广义Fibonacci光学超晶格的分类

在制造光学超晶格的过程中，如果极化条件控制得不合适，常常会出现”缩并”现象．定义广义Fibonacci光学超晶格为：Sj=Sj^m-1Sj^κ-2，其初始条件为：S1=B，S2=A^n1B^n2．定义缩并规则为AB→A，B→B，通过连续缩并，一个广义二组元Fibonacci超晶格可以扩展为一系列超晶格．比如，若初始超晶格序列为ABBABBBABBABBBABBABBABBBABBABBBABBABBABBB…那么，经过一次缩并，产生新的超晶格序列类似地，可以定义膨胀规则为AB←B，B←B，通过连续膨胀，一个广义二组元Fibonacci超晶格亦可扩展为一系列超晶格．研究了这两个超晶格系列，发现它们的倒空间结构是几乎相同的．因此，可以将这两个超晶格系列归为一类，称之为二组元超晶格族．定义三组元超晶格为Sj=Sj^m-1Sj-3，其初始条件为S1=A，S2=A^nC，S3=A^nCB，在三组元超晶格中做相同的操作，同样发现了具有相同倒空间结构的超晶格系列，将之归为三组元超晶格族．这个结果可以扩展到κ组元的情形．普通Fibonacci超晶格结构具有自相似性，研究了一个二组元金Fibonacci超晶格的倒空间里的峰值，发现在所谓的约化区间的方案中，它们可以归为一系列组中．不同组中的峰值点彼此之间通过一个无理数关联，这个无理数是二组元金Fibonacci超晶格的特征量．同样发现，这些峰值的坐标可以通过求解Pell方程得出．     

Electron states of interfaces in multi-layered phthalocyanine films

The interfaces and interface electron states in Mylar/Al/UCL/CGL/CTL multi-layered photoreceptor are discussed. The interface electron states between CGL and CTL in sample A efficiently accelerated photogeneration carrier transport processes to bring about a lower V-r value and higher light sensitivity than sample B. The process might be interpreted as a kind of assistance sensitization effect based on interfacial electron states in the high fields; that is to say, the interface electron states between CGL and CTL accelerated carriers injection from CGL into the gap states of CTL, and followed by the interface electron states modulated transport processes of carriers in the CTL.     

金属层厚对金属—半导体界面性质的影响

本文用一维紧束缚模型和格林函数方法研究了金属薄层的厚度对金屑一半导体界面电子态和界面能的影响。文中给出了计算局域电子态密度及界面能的公式,并以Pt-ZnO系统为例,计算了金属处于不同层厚时,界面处的电子态密度及界面能,讨论了薄层厚度对二者的影响。     

Si基底上不同厚度TiO2薄膜表面光伏特性研究

在p-型Si片基底上通过甩膜焙烧形成不同厚度的锐钛矿型TiO2薄膜,发现不同厚度薄膜的表面光伏特性差别很大,随着多次扫描光伏响应变化也不同.在TiO2膜很薄的情况下,Si与TiO2分别表现各自的光伏特性,说明上层TiO2薄膜对界面态的影响小;随着TiO2膜厚度的增加,其对界面态的影响增强,表现为界面主导的光伏响应.进一步的实验表明,上层薄膜的电荷密度大时,对界面态的影响强,光电压谱上明显表现出界面的作用;而当上层薄膜的电荷密度足够小时,对界面态的影响弱,使得组成界面的物质表现各自的光伏特征.实验同时表明表面光伏技术对表面和界面均敏感,控制适当的条件可以得到表面主导或界面主导的光伏响应特征.     

半导体—金属—半导体双界面结构的电子态

本文用一个金属薄层夹在两个不同的半无限半导体之间的模型,在一个简立方金属和两个具有氯化铯结构的半导体的基础上发展了格林函数理论。首次得到了半导体—金属—半导体结构的格林函数。有了这些格林函数,可以使我们很容易地研究这样的系统所有的电子特性。作为应用例子,文中给出了局域界面态的计算。对两种特殊的半导体—金属—半导体双界面的研究表明,界面态可以存在,也可以不存在,取决于半导体的禁带和半导体与金属间的耦合强度。当存在界面态时,发现有两个界面态并且它们随金属薄层的原子层数的变化有一个非常相似于Ruderman-Kittel类型的振荡行为。     

一维多介质流动问题的守恒型界面处理方法

开展了一维多介质流动问题的界面处理方法研究.通过求解level-set方程来跟踪界面的位置,移动界面附近网格保持界面与网格边界重合,在界面处构造和求解守恒型Riemann问题得到界面处流体的准确流动状态,并以此来计算界面处的数值通量,得到了一个新的守恒型界面处理方法.数值试验表明该方法能准确地捕捉界面和间断的位置.     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

A high-mobility electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 heterointerface

Polarity discontinuities at the interfaces between different crystalline materials (heterointerfaces) can lead to nontrivial local atomic and electronic structure, owing to the presence of dangling bonds and incomplete atomic coordinations. These discontinuities often arise in naturally layered oxide structures, such as the superconducting copper oxides and ferroelectric titanates, as well as in artificial thin film oxide heterostructures such as manganite tunnel junctions. If polarity discontinuities can be atomically controlled, unusual charge states that are inaccessible in bulk materials could be realized. Here we have examined a model interface between two insulating perovskite oxides--LaAlO3 and SrTiO3--in which we control the termination layer at the interface on an atomic scale. In the simple ionic limit, this interface presents an extra half electron or hole per two-dimensional unit cell, depending on the structure of the interface. The hole-doped interface is found to be insulating, whereas the electron-doped interface is conducting, with extremely high carrier mobility exceeding 10,000 cm2 V(-1) s(-1). At low temperature, dramatic magnetoresistance oscillations periodic with the inverse magnetic field are observed, indicating quantum transport. These results present a broad opportunity to tailor low-dimensional charge states by atomically engineered oxide heteroepitaxy.