穆斯堡尔谱测量样品厚度对结果的影响与确定

通过对Ｆｅ２Ｏ５的穆斯堡尔谱测量，发现样品厚度的选择对实验结果的影响至关重要．从理论与实验两方面讨论了样品厚度的选择方法，为研究穆斯堡尔谱测量提供了实验依据     

穆斯堡尔谱学中样品最佳厚度的确定

提出一种理论计算结合实验测量与确定穆斯堡尔谱实验样品最佳厚度的办法，在穆斯堡尔谱测量中，信噪比可用一个解析式来表示，其值随实验样品厚度的变化有一个极大值。它对应于样品的最佳厚度ｄｏｐｔ。研究表明，要确定一个样品的最佳厚度ｄｏｐｔ，除了清楚其化学成分外，若准确知识样品的无反冲分数ｆａ，则可以直接通过理论计算来求ｄｏｐｔ；否则，就要用本介绍的办法来确定ｄｏｐｔ。     

具有磁分裂样品的无反冲分数fa的测定

研究了由样品厚度而引起的饱合效应对穆斯堡尔谱产生的影响，对于磁分裂样品，应取其透射谱中３．４峰的温度计算信噪比为宜，据此测量得到α－Ｆｅ２Ｏ３的无反冲分数ｆａ在室温下为０．６５。     

仿生物组织透射光偏振特性的实验研究

该文在实验上研究了线偏振光经生物组织的传输后偏振特性的变化。选择Intrialipid悬浮液作为实验用仿生物组织样品，并利用Beam Profile2350测量了线偏振的He—Ne激光照射不同浓度、不同厚度的仿生物组织样品时透射光经过检偏器后的光场空间分布。根据不同的检偏角度下透射光的空间分布状况，分析了透射点位置坐标、样品浓度和厚度对透射光退偏程度的影响。     

动态椭偏光谱技术及其在薄膜测量中应用的研究

文章介绍了动态反射式椭圆偏振光谱技术的原理,采用椭圆偏振光谱技术测量得到P型Si(111)晶片,利用直流溅射制备的不同厚度Cu膜样品的椭偏光谱;利用特定的解谱程序并结合实验参数,对椭偏光谱进行解谱得到了样品的光学常数谱及其厚度;对于P型Si(111)晶片的光学常数谱,通过与Palik数据比较可以发现两者极为相似,只是在数值上存在差异;对于不同厚度的Cu膜样品,从晶粒尺寸、致密度和缺陷等方面分析了光学常数随厚度变化的原因;通过分析比较得知,经过拟合计算得到的P型Si(111)晶片和Cu膜样品的光学常数具有很高的准确性。     

硅单晶的表面光伏效应

本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对应着硅的间接吸收,可用于测量Si的禁带宽度。此外,还对不同的导电类型和表面处理的硅片,计算其总的表面光伏,所得结果与实验基本一致。     

几何边界条件对导热系数测量值的影响

在用稳态法对不良导体导热系数测量的实验中，发现样品的几何边界条件对导热系数的测量值是有很大影响的，在工程学上一般认为当扁圆柱形样品的厚度小于半径的1／10时，这一影响就可忽略。但实验指出，可忽略的几何边界条件受样品本身的导热性制约。本研究可以对未知材料的导热性先给出粗略的判断，然后再确定适于实验的样品的几何边界条件，以提高测量的精确度。     

透镜到样品表面距离对LIBS测量的影响

采用Nd:YAG激光器产生的脉冲激光诱导击穿铜片形成等离子体,研究了透镜到样品表面距离的不同对激光诱导击穿光谱(LIBS)测量的影响.实验选择合适的延迟时间和采样门宽,并选用元素谱线λ(Cu)为324.8 nm和327.4 nm,λ(Zn)为330.3 nm和334.5 nm进行分析.实验结果表明,透镜到样品表面的距离对LIBS测量确实有很大的影响,谱线强度以及其相对标准偏差均与透镜到样品表面距离密切相关.透镜到样品表面的距离大于焦距时,空气击穿现象严重,不宜用于LIBS测量.激光脉冲能量大,透镜到样品表面距离对LIBS测量的影响大,激光脉冲能量小则相反.     

STUDYONMOEFFECTSINLAYEREDFILMSANDESTABLISHMENTOFOPTICONST＆MOKERRSPECTROMETER

以获取磁光材料较全面的介电张量对角元和非对角元复量谱为目的，建立了光学常数谱和磁光常数谱的自动测量系统。阐述了测量系统的理论基础，将测量波长范围拓宽到３２００至８４００，能够测量磁光材料的光学常数、磁光克尔旋转角和克尔椭偏率，从而得到材料磁光常数完整的信息。运用所建立的系统，对单层厚Ｃｏ膜、单晶Ｆｅ、Ｃｏ／Ｐｂ系列夹层膜和Ｆｅ／Ｐｂ系列多层膜进行了系统测量和计算，得到了其介电张量对角元和非对角元复量谱。同时对层状膜的磁光效应及增强，进行了尝试性的研究。在Ｃｏ／Ｐｂ夹层膜系列样品中，发现当Ｃｏ的厚度较小时，在短波方向有克尔角的增大；在Ｆｅ／Ｐｂ多层膜系列样品中，发现当Ｐｂ的厚度较小时，在长波范围也有磁光效应的增强。     

椭偏谱法测量类金刚石薄膜的质量

应用椭偏光谱法研究了一系列不含氢DLC样品,讨论了样品制备与测量、模型的建立及多样品分析法和椭偏数据拟合,表明椭偏光谱法可以确定DLC膜的厚度,并可反映出sp3成份百分比变化与制备时偏置电压的关系.     

研究C60—金属相互作用的一种新方法

通过在超薄金属层上蒸镀Ｃ６０时的电阻原位测量，我们发现在平均厚度的一个Ｃ６０单层范围内样品电阻有明显可观测的变化，电阻变化的方向和幅度与金属层厚度以及金属材料的种类有关。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究Ｃ６０－金属界面相互作用，从而对常规微观谱测量的结果给出旁证和补充。     

单能电子半吸收厚度测量中射线吸收强度计算方法研究

在单能电子半吸收厚度测量实验中,现用的取谱方法存在信号区间选择困难、本底扣除不准、主观性太强等问题,导致测量结果误差较大、实验可重复性较差.文中利用蒙特卡罗模拟结合实验验证的方法研究了准单能电子在铝中的输运过程,研究了TPA法、Covell法、Wasson法和半峰净计数法对半吸收厚度计算的影响,结果发现Covell法信号区间选取简单、本底扣除方便、误差最小,适合用于单能电子半吸收厚度计算.     

锗量子点超晶格的光学特性

对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究．对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论，通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法；首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模，研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性．     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

穆斯堡尔共振吸收体的制备

主要从实验技术和方法学的角度，讨论测量用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收体厚度对ＭＳ谱质量的影响，并结合实例探讨Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ共振吸收的具体制备方法。     

用调制光反射方法测量薄膜的厚度

利用调制光反射技术对一系列不同厚度的二氧化硅薄膜进行了测量,在不同调制频率下检测样品的调制光反射相位信号。同时针对实验条件建立了三维理论模型,通过对实验曲线的最小方差拟合,推算出二氧化硅薄膜的厚度。     

无序和有序GaInP2的光致发光谱

对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象     

用正电子谱学研究高聚物材料的压力弛豫过程

用正电子谱学研究了高分子材料聚苯乙烯和聚氯乙烯压力弛豫过程中微观结构的变化，测量了聚杠乙烯及聚氯乙烯在加压力后的样品中正电子寿命随弛豫时间的变化。并讨论了正电子辐照效应和实验方法对实验结果的影响。     

MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究

利用ＭＥＶＶＡ离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＾＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为４００￣２０００ｎｍ。通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构。椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理，该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数。     

椭偏光谱测量匀质膜光学特性的计算分析

应用椭偏光谱法，测量透明膜和吸收膜的折射率、厚度及消光系数．利用Delphi语言编程对实验数据进行处理，其结果与已正式出版的椭偏测厚数据表进行对比，各测量点绝对误差为0．01nm，该程序适用于椭偏光谱仪对各种匀质膜测量的数据处理．