十八烷基取代聚噻吩(Pat18)在室温下和液氮中的电致发光特性

报道了一种聚噻吩类导电聚合物 Pat1 8的光、电性能及以该材料作发光层制作的有机发光二极管在常温下和液氮 (- 2 0 0℃ )中的电致发光特性。     

H_3PW_(12)O_(40)水解产物的~(31)P核磁研究

介绍了31 P核磁共振监测下 ,MOH(M =Li+ ,Na+ ,K+ ,Mg+ ,Ca2 + )滴定不同浓度的H3PW1 2 O4 0(简称PW1 2 )的水解情况 .从中得出由PW1 2 制备PW1 1 M适宜的 pH条件     

重金属汞和镉对普通小球藻生长的影响

以普通小球藻(Chlorella vulgaris)为研究材料,研究了不同浓度的Hg2+和Cd2+对其生长的影响.结果表明:低浓度(0⁰.50 mg/L)的Hg2+和Cd2+由于毒性兴奋效应能刺激普通小球藻细胞密度的增长,促进叶绿素含量的增加和蛋白质的合成;当Hg2+和Cd2+浓度进一步增加,则抑制普通小球藻的生长;当Hg2+和Cd2+的浓度分别为2 mg/L时,无蛋白积累.     

缓冲液条件对水霉细胞壁结合Ca2+的影响

用原子吸收光谱研究了pH值、Tris 马来酸缓冲液浓度对水霉 (Saprolegniaferax)顶端生长菌丝细胞壁与Ca2 结合的影响 .发现在 pH 3.5～ 6 .0范围内 ,细胞壁结合的Ca2 随 pH值升高而增加 ,pH >6 .0时 ,细胞壁结合的Ca2 呈下降趋势 .细胞壁结合的Ca2 随Tris 马来酸缓冲液浓度升高而增加 ,Tris浓度高于 9mmol/L时 ,细胞壁结合的Ca2 则减少 .细胞壁最多可结合Ca2 量>6 0 μmol/L .证明细胞壁Ca2 确实是水霉顶端生长赖以维持的胞外Ca2 库 .     

几种微软Web服务器的安装及设置

该文着重讲述了PWS、基于WindowsNT的IIS、基于WindowsServer 2 0 0 0的IIS三种web服务器的安装及一般设置。     

实验室网络的设计与实现

在教学机房管理中 ,通过Linux与windows操作系统的整合 ,结合两种操作系统的优势 ,linux作为服务器 ,提供域名解析 (DNS) ;动态IP分配 (DHCPD) ;电子邮件 (Sendmail) ;邮局协议 (pop3) ;远程登录 (Telnet) ;文件传输 (ftp)等服务 ,Windows2 0 0 0作为客户机 ,发挥其图型界面的优势 ,相互配合 ,发挥其在教学上的优势     

二硝酰胺铵/α-环糊精共晶研究

共晶技术是针对第三代含能材料二硝酰胺铵(ADN)有效的防吸湿方法之一。采用模拟计算的手段系统研究了以α-环糊精(α-CD)为共晶客体的ADN含能共晶的结构和性质,建立了含能共晶结构和吸湿性的理论研究模型。基于结合能和静电势分析,确定了ADN与α-CD形成共晶的最稳定化学计量比为2∶1;共晶体的晶体形貌为棱台状,重要晶面为(0 2 0)、(0 2 1)、(0 2-1)、(1 1 1)、(-1 1-1)、(1 1 0)、(-1 1 0),与饱和吸湿率15.35%的ADN晶体相比,其在20℃、40%相对湿度下的总饱和吸湿率下降至0.74%,防吸湿效果良好。     

谷氨酸、褪黑素导致海马脑薄片诱发群体峰电位的变化过程研究

在大鼠海马脑薄片上电刺激海马Schaffer侧支纤维 ,胞外记录CA1区锥体细胞层诱发群体峰电位 (PopulationSpike ,PS) ,观察灌流谷氨酸 (Glu)和褪黑素 (MEL) 40min ,人工脑脊液冲洗30min对PS的影响 ,结果显示 :不同浓度 ( 1 .0、1 .2 5、2 .5和 5.0mmol/L)的Glu作用下 ,70min末PS值百分比分别为 1 560 .5%、1 50 .7%、1 3.1 %、4.1 % ;并且Glu浓度高时 ( 2 .5或 5.0mmol/L) ,恢复期末增加刺激强度均不能使PS值升高 .不同浓度MEL( 0 .4μmol/L、0 .5μmol/L、0 .6μmol/L、0 .7μmol/L)作用下PS值在 70min内波动幅度随浓度升高而变小 ,70min末PS值百分比分别为1 93.8%、1 2 9%、75.2 % (恢复期末增大刺激强度 ,则可恢复到 1 0 0 % )、97.1 % .上述结果提示 :低浓度Glu( 1mmol/L ,1 .2 5mmol/L)对神经元具有兴奋作用 ;高浓度Glu( 2 .5mmol/L ,5mmol/L)具有神经毒性作用 ;MEL对神经元具有兴奋和抑制双重作用 ,因MEL浓度不同 ,其作用形式会有不同     

以PVA为增溶剂的分光光度法测定铜(II)含量的研究

使 PVA与氢氧化铜形成包合物 ,可使氢氧化铜在 8≤p H≤ 1 2的水溶液中增溶和吸收光谱红移 .以 p H=1 0的 Cu2 -PVA-H2 O体系在 740 nm波长下 ,用分光光度计测定铜 (II)盐 ,其含量在 1 0～5 0 mg/1 0 0 m L范围内可以得到理想的结果     

非离子表面活性剂Tween-80存在下5-Br-PADAP分光光度法同时测定微量Cu(Ⅲ)和Fe(Ⅲ)

:在 p H3 .50酸性介质中 ,Cu( )和 Fe( )在非离子表面活性剂 Tween-80存在下与 5-Br-PADAP生成有色配合物 .有色配合物最大吸收波长都位于 570 nm处 ;表观摩尔吸光系数分别为 7.96× 1 0 4 L· mol-1· cm-1和 6.3 0× 1 0 4 L· mol-1· cm-1;Cu( )在 0～ 1 3μg/2 5ml,Fe( )在 0～ 1 8μg/2 5ml范围内符合比耳定律 .用拟定的方法测定了铝片和水样中的 Cu( )和 Fe( ) ,结果令人满意     

Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials

Si-based nanomaterials are some new photoelctronic and informational materials developed rapidly in recent years, and they have potential applications in the light emitting devices, e. g. Si light emitting diode, Si laser and integrated Si-based photoelectronics. Among them are nanoscale porous silicon (ps), Si nanocrystalline embedded SiO₂ (SiO_x, x < 2.0) matrices, Si nanoquantum dot and Si/SiO₂ superlattice, etc. At present, there are various indications that if these materials can achieve efficient and stable luminescence, which are photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL), it is possible for them to lead to a new informational revolution in the early days of the 21st century. In this article, we will mainly review the progress of study on Si-based nanomaterials in the past ten years. The involved contents are the fabricated methods, structural characterizations and light emitting properties. Finally, we predicate the developed tendency of this field in the following ten years.     

顶发射白光有机电致发光器件的优化

为满足大面积固态照明与全彩显示的需求,实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件,采用仿真和实验相结合的研究方法,模拟基于光学传输矩阵法和电磁场理论进行计算,用真空蒸镀法制备器件并测试其光电性能。确定传输层材料、厚度和结构,优化发光效率,逐步改进发光层结构,以改善器件的效率和颜色质量。结果表明,基于电学平衡的P-I-N传输结构和蓝/红/蓝三明治型发光结构,能实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件。     

MIM与MIS隧道结的结构特点及其发光效应

对ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａ）及ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道结的结构特点作了简单介绍，着重分析了其发光效应及发光光谱特性，并由此对隧道结的发光机理进行了讨论。     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

主动式红外探测器的设计

利用红外光调制成脉动光的原理，并辅助以适当的光学透镜装置，实现了用小功率发光器件制成的红外探测器，可以达到１００ｍ以上的较远距离     

半氟烃链作桥链的对称酯类二聚体的合成及介晶性

合成全氟烃链或半氟烃链作为中心桥链的二聚体化合物可能出现新的性能,作为液晶材料具有较大的研究价值.合成了7个以半氟烃链作为桥链的对称酯类二聚体化合物H2n+1CnO-C6H4-COOCH2C6 F12CH2OOC-C6H4-OCnH2n+1(n=4,1a;6,1b;10,1c),H2n+1 CnO-C6H4-C6H4-COOCH2C6F12 CH2OOC-C6H4-C6H4-OCnH2n+1(n=4,2a;6,2b;12,2c)和C6F13CH2CH2COOCH2C6F12CH2OOCCH2CH2C6F13(3).差示扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)对其介晶性研究发现:化合物2a具有典型的焦锥扇形织构SA相,化合物2b出现塑晶相.分别比较结构相类似的化合物1a～1c,2a～2c的熔点,发现随着烷氧基链的增长,存在降低趋势.三段半氟烃链的对称酯类二聚体化合物3未观察到介晶性.     

聚合物电致发光二极管发光层中的电场分布

以单层聚对苯乙炔（PPV）薄膜发光二极管为例,研究其薄膜中的电场分布,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响,研究结果有助于揭示其发光机理,为提高发光效率提供了有益的启示。     

Blazars短时标光变的研究

利用光变模型对收集到的30个Blazars的光曲线进行拟合,由模型参数确定光变特征时标.根据确定的光变特征时标计算了中心天体质量和辐射区域上限,结果表明利用光变模型得到的特征时标与其他研究者的结果相符.因此,该光变模型可以作为研究Blazar短时标光变的一种新的方法.     

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m²; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无
明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.