金属丝熔断特性的研究

文章对铜丝通电熔化熔断进行了理论上的一些研究。当熔断时间较短时,可忽略热辐射影响,得到熔断电流的平方与熔断时间的倒数成线性关系。其截矩的平方根是该长度截面铜丝的安全工作的界限。自行设计了一种测定金属丝熔断特性的实验,实验结果与理论结论非常吻合。     

金属膜电阻器用溅射靶材

根据北京市无线电元件一厂生产金属膜电阻器用的几种型号磁控溅射合金靶材的要求,我校研制成功了可用于生产的3种型号合金靶材,尺寸为φ127×6mm。其中W-22和W-23两种合金靶材可取代日本进口的同类靶材;W-24号靶材是一个新的型号,它弥补了进口靶材在中高阻(300～900Ω)产品中的缺口。与此同时,研究了由这种靶材所生产的金属膜电阻器金属膜层的结构,指出合金组织中适当的结晶态和非晶态组织的组合将给出最小的电阻温度系数值。经生产试用以后,所生产的金属膜电阻器达到了部颁标准(GB5873-86)。3种靶材的平均成本只有日本进口靶材的1/17左右。这不仅为电阻器的生产降低成本创造了     

常见电阻器的选用要点及检测方法

电阻器是电子电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的30%以上。文章对不同应用电路中普通固定电阻器、熔断电阻器、特殊电阻器(热敏、压敏、光敏)的选用要点以及检测方法做了简单的介绍。     

熔丝熔断性能的实验研究

经过数学推导并经实验证实得出了熔丝熔断电流和熔断时间最新计算方法，论述了熔丝熔断性能与各种因素的关系。     

35kVPT保险频繁熔断原因分析

通过35kVPT保险频繁熔断的现象,从铁磁谐振和合闸过电压两方面简要分析了电容式电压互感器保险频繁熔断的原因,针对这些原因,从理论上提出了防止PT保险频繁熔断的措施。     

某通信基站高压熔断器熔断故障分析

某通信基站箱式变压器的控制和保护由负荷开关和熔断器共同完成，在运行过程中多次发生高压熔断器熔断故障，给维护工作造成很大困难。针对通信基站特殊的供电方式，对箱式变压器熔断器熔断的非正常熔断原因进行深入地分析，得出雷击过电压是引起高压熔断器熔断的主要原因，并提出相应的整改建议。     

化学沉积Ni—P膜电阻器热处理工艺研究

研究热处理工艺对化学沉积金属膜电阻器的温度系数和潮湿系数的影响。发现热处理工艺可使Ni-P膜电阻器获得优良的电性能。对热处理前后的Ni-P膜层做了电子衍射分析,探讨了热处理前后的微观结构。     

配电网压变熔丝非正常熔断预防措施的研究

针对10k V配电网压变熔丝时常发生非正常熔断的事故,介绍了导致压变熔丝非正常熔断的主要原因为铁磁谐振和低频非线性振荡,利用ATP-EMTP建立10k V配电系统的仿真模型,以此为基础对现有主流的压变熔丝非正常熔断的预防措施进行了综合比较和仿真分析。     

配电系统高压熔断器熔断的原因及应对措施

配电系统发生单相接地故障,引发高压熔断器熔断,从铁磁谐振产生过电压和电容在接地过程中充放电产生低频饱和电流两方面分析得出,导致配电系统高压熔断器熔断的主要原因有二:一是由于系统发生单相接地故障时,引发铁磁谐振产生过电压,最终导致高压熔断器熔断;二是当配电线路长度较长时,单相接地故障恢复后的电容放电,其产生的低频饱和电流过大造成高压熔断器熔断。     

电压互感器高压侧熔丝单相熔断的分析

本文从一起电压互感器高压熔丝单相熔断的处理,列出电压回路三种异常情况的特征,并应用复合序网图及对称分量法对高压熔丝单相熔断进行详细的理论分析.     

基于加速退化数据的某导电膜电阻贮存寿命预测方法

提出了一种基于加速退化数据的某导电膜电阻贮存寿命预测方法。首先对该导电膜电阻采用温度应力进行加速性能退化试验，试验中将该导电膜电阻的总阻值作为反映其性能的指标判据，在不同加速应力水平下得到在线测试和离线测试获取的加速性能退化数据；然后通过引入温度因数去除在线测试数据的温漂效应，再融合在线数据和离线数据进行退化轨迹模型参数辨识，获得该导电膜电阻在各加速应力水平下的伪寿命；然后结合经过修正的三参数温度加速模型评估得到该导电膜电阻在正常应力下的贮存寿命。最终以某导电膜电阻为例验证了所提方法的适用性和有效性。     

氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用

研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用．用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物，作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材．发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极靶材的组成由ＣｒＳｉ２，ＮｉＳｉ两相变成Ｓｉ，ＣｒＳｉ２和ＮｉＳｉ２三相．所研制的三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积，可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用．     

机械传动系统的智能感知技术

本文综述了传动系统关键零部件智能感知技术的发展状况,包括振动和润滑接触状态监测,以及封闭金属箱体内外的超声通信技术.振动监测主要通过嵌入系统内部的微加速度传感器及无线通信技术来实现;润滑接触状态包括压力、温度分布及油膜厚度,其中压力和温度分布测量主要利用接触式的金属薄膜电阻传感器,油膜厚度监测可以通过接触式电容方法或者非接触式超声方法.由于封闭金属箱体会屏蔽电磁信号,迫切需要实现基于机械波的箱体内外双向通信.同时,本文简要介绍了课题组开发的齿轮振动和应变无线监测系统,实验结果表明内部感知信号能够清晰地体现转速和啮合信息,从而反映传动系统的实时运行状态.     

硅衬底SrTiO3薄膜的热敏特性

利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶（SrTiO3）膜,并制成平面型电阻器。结果表明：在实验温区（28～150℃）内,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性,且热敏牧场生比较明显,在室温30℃时,温度系数α达－2．15％℃^-1。建立热敏电阻－电容器并联模型,分析了频率对不同温度下薄膜电阻器阻拢的影响。在实验温区内,SrTiO3薄膜的介电常数具有较好的热稳定性。     

以SiO2/Si为衬底的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜的敏感特性

通过离子束溅射技术淀积在SiO2/Si衬底上的钛酸镧钡铌膜（Ba1-xLaxNbyTi1-yO3），制成集薄膜电阻和金属－绝缘体－半导体（MIS）电容为一体的传感器。实验结果表明，薄膜电阻在303－673K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性，同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度。我们测试了此薄膜的光吸收特性，并得到了它的禁带宽度。最后，我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响。     

厚膜电阻导电机理的探讨

以钯—银电阻(Pd—Ag玻璃系)材料为研究对象，分析了厚膜电阻常见的4种导电机理，为我们理解厚膜电阻的导电过程提供了帮助。     

用神经元网络预测靶材与薄膜性能间的关系

用神经元网络的方法预测了溅射靶材、工艺参数与电阻薄膜性能之间的关系．经预测误差分析以及与实验比较，表明用７９组训练样本可基本准确预报电阻薄膜的性能．对各参数影响薄膜性能的程度也作了分析．     

基于PVDF压电片发电的特性研究

研究了高分子聚合物聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)压电片发电的特性.从理论上分析了利用压电片振动发电的机理,推导得出压电片振动产生的电功率与振动频率及外接电阻的关系,即在一定频率下,当外接电阻为某一值时输出功率达到最大,并通过实验进行了验证.结果表明,外接电阻值在一定范围内,压电片的串、并联都可以提高输出电压;在安装受限无法实现自由振动的情况下,压电片在非自由振动条件下预变形,也有利于提高输出电压.