纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究

在真空度为１３３．３μＰａ时，用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ，ＳＥＭ等测试分析，研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构，晶粒尺寸，电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明，掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长，提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后，薄膜的电学特性增强，而掺Ｉｎ，Ｃｄ则影响不大。     

热处理SnO2薄膜光学特性的影响

用真空蒸方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。在氮气,氧气气氛下对薄膜进行不同温度条件热处理,实验表明,热处理后薄膜的结构和光学性能均有了很大的改善。     

电致变色WO3薄膜的结构与光电性能研究

对电致变色ＷＯ３薄膜的结构与光电性能进行了研究．首先从ＷＯ３薄膜的微观结构、电子能态出发，分析了电化学反应导致ＷＯ３薄膜光吸收并着色的机理；其次介绍了ＷＯ３薄膜的制作方法和过程．采用真空电子枪将热压块状ＷＯ３（纯度９９．９％）蒸镀在普通玻璃衬底上，然后用多种物理手段测试了ＷＯ３薄膜的性能与工艺参数的关系，如ＸＲＤ、ＸＰＳ．选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳．最后指出ＷＯ３薄膜最有希望应用在光电子学和太阳能应用领域     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

热处理条件对热蒸镀WO3薄膜结构的影响

采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Si(111)衬底上沉积了WO3薄膜.借助化学刻蚀,SEM,XRD和Raman光谱分析等手段,研究了不同的热处理条件(大气环境,真空,不同气氛)对WO3薄膜结构的影响.结果表明,在真空条件下或干燥Ar气氛条件下对薄膜进行退火热处理有利于控制薄膜晶粒的生长(保持薄膜良好的电致变色性能),同时有利于增强薄膜的稳定性.     

Sol—gel法制备WO3电致变色薄膜

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，用Ｎａ２ＷＯ４水溶液经质子交换树脂获得ＷＯ３溶胶，用浸涂法制备无色透明非晶ＷＯ３薄膜。ＷＯ３非晶薄膜显微结构疏松，表面有微裂纹，是良好的快离子导体，加负电压使其注入Ｌｉ＾＋离子引起钨离子还原而着色。经５００℃热处理后的ＷＯ３薄膜主要含斜方ＷＯ３晶相，显微结构致密，表面微裂纹闭合，不利于Ｌｉ＾＋离子注入，几乎无变色现象。     

热处理对SnO_2薄膜光学特性的影响

用真空蒸发方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜．在氮气、氧气气氛下对薄膜进行不同温度条件的热处理．实验表明，热处理后薄膜的结构和光学性能均有了很大的改善．     

电子束蒸发 WO_3-基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果．着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程．     

用WOCl_4制备WO_3薄膜

在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．     

制备PZT薄膜的Sol—Gel工艺研究

比较了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ薄膜的两种热处理过程成膜情况和对ＰＺＴ／Ｓｉ结构的影响，其中，低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相。但ＰＺＴ薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工。对含有ＳｉＯ２的Ｓｉ衬底上的情况分析表明ＳｉＯ２有改善界面特性的作用。     

制备PZT薄膜的Sol－Gel工艺研究

比较了ＳｏｌＧｅｌ工艺制备ＰＺＴ薄膜的两种热处理过程成膜情况和对ＰＺＴ／Ｓｉ结构的影响，其中，低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相．但是ＰＺＴ薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工．对含有ＳｉＯ２的Ｓｉ衬底上的情况分析表明ＳｉＯ２有改善界面特性的作用     

SrTi1—xMgxO3—δ薄膜的氧敏特性

采用电泳沉积方法，制备了ＳｒＴｉ１－ｘＭｇｘＯ３－δ薄膜，研究了薄膜的氧敏特性．     

改进基板修饰方法制备有机/无机分子沉积膜

把氢烷偶联剂〖（ＣＨ３Ｏ）３（Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ〗直接组装在石英基板上，随后将有机膜的端疏基（ＳＨ）原位氧化为磺酸基（ＳＯ３Ｈ），再利用其负电笥表面交潜沉积上双季铵盐和ＷＯ３（ｅ＾－０，制得多层有机／无机分子沉积膜，经紫外可见光谱及小角Ｘ射线衍射表征，该膜具有良好的超薄层状有结构。     

在WFW网络下的动态数据变换

本文介绍在ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＷＩＮＤＯＷＳＦＯＲＷＯＲＫＲＯＵＰＳ３．１（以下简称ＷＦＷ）网络环境下用ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＶＩＳＵＡＬＢＡＳＩＣ３．０（以下简称ＶＢ３．０）实现不同计算机之间动态数据交换的方法，并给出了主要程序     

氧化钨薄膜着退色机制的XPS和XRD

对ＷＯｘ电致变色薄膜着退色状态下的物相份结构，离子化合价态及其相对含量的研究表明，晶体ＷＯｘ薄膜在着色状态下，是以Ｈ０．３３ＷＯ３物相为主的混合相，并存在三种价态的钨离子，氧离子则存在于非单一的化合环境中，导致Ｏｌｓ峰位的多值移动。分析表明，ＷＯｘ薄膜的电致变色效应与薄膜物相结构和钨、氧离子化合价态及化合环境密切相关。     

MPCVD法工艺特性对SnO2薄膜导电性的影响

研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性能的影响，实验结果表明，外加适当位移，大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大降低，轴向分布均匀性明显增加，对以上结果进行了分析和讨论。     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。     

离子交换法处理钨矿物原料苏打压煮母液的研究

对离子交换法处理钨矿物原料苏打压煮的母液进行了全面研究，系统测定了不同树脂对ＷＯ及ＣＯ的吸附性能及两者的分离系数，查明了从上述溶液中吸附ＷＯ的最佳条件。在流速为２ｃｍ／ｍｉｎ的条件下，对含ＷＯ３２７．０４ｇ／Ｌ，ＣＯ１２．２３ｇ／Ｌ，Ｃｌ￣－２ｇ／Ｌ及少量Ｐ，Ａｓ，Ｓｉ杂质的模拟工业料液而言，强碱性阴离子交换树脂Ｄ２１３吸附ＷＯ的交换容量达２２７．９ｍｇＷＯ３／ｇ干树脂．最终解吸液成分符合制取高纯ＡＰＴ的要求，含ＣＯ的交后液可部分返回苏打压煮过程以回收Ｎａ２ＣＯ３。     

无限层薄膜（Sr,Ca）CuO2的相分析

采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）方法在４００￣６７０℃和７￣７０Ｐａ氧压下制备了（Ｓｒ,Ｃａ）ＣｕＯ２无限层薄膜。通过薄膜的Ｘ光衍射（ＸＲＤ）测量来进行薄膜的相分析。Ａ２ＣｕＯ３＋δ（Ａ代表Ｓｒ,Ｃａ）相在ＳｒＴｉＯ３,ＬａＡｌＯ３,ＣａＮｄＡｌＯ４和ＭｇＯ衬底上在４００￣６００℃极易生成,而无限层ＡＣｕＯ２＋δ相只能在高于４７０℃和相配的ＳｒＴｉＯ３和ＬａＡｌＯ３衬底上生成。在ＳｒＴｉＯ３衬底上当温度     

WO3基H2S气体传感器的研究

介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺，分析了膜的灵敏度和膜的稳定性以及掺金和分步热处理对器件性能的影响