强磁场下高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构法块样的制备及缺陷分布

一、引言 高温氧化物超导体在强电领域应用的主要障碍为临界电流密度较低,这是由多晶材料晶粒间的弱连接所致。为改善弱连接,人们在减少和净化晶界,以及利用氧化物超导体层状导电特性而改变晶胞微观排列方面,做了大量努力。     

熔融织构YBaCuO块样品临界电流密度和显微结构的关系

一、引言 现在已经清楚,制约YBa_2Cu_3O_7(YBCO)块样品的传输临界电流密度(J_(ct))的因素除了磁通钉扎效应外,还有弱连接。后者导致J_(ct)数值小并随磁场增加而迅速减低,Jin等人的熔融织构生长法(MTG)使J_(ct)有了大幅度提高,被认为是降低弱连接的重要技术。Murakami等人采用的是所谓淬火熔融生长法(QMG),也得到了有很高J_(ct)的样品,并认为QMG法除     

真空退火超导材料Ba_2Y_1Cu_3O_(7—δ)的光电子能谱研究

一、引言 Ba-Y-Cu-O材料具有液氮温区超导特性的发现,使人们对此发生了极大兴趣。这种超导材料的性能与烧结温度和烧结气氛有关。事实上,不同的烧结和退火条件将严重影响样品的氧含量。X射线衍射照相及中子衍射研究表明,具有畸变钙钛矿结构的超导材料Ba_2Y_1Cu_3O_(7-δ)中氧空位起重要作用。由于超导特性根本上是由材料的电子结构特性决定的,因此不同退火条件下,这些材料的电子能态的变化及其影响是需要认真研究的。