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相似文献
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2.
冯博  刘洋  杨景海 《松辽学刊》2010,31(2):33-35
利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及V掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的结构、形貌和磁学性质进行表征测试.结果表明, V掺杂使晶格常数明显变小,同时抑制了晶粒的生长,没有发现第二相的存在.经过分析,认为V掺杂ZnO基稀磁半导体的铁磁性是其本质特性.  相似文献   

3.
本文采用改进的化学气相沉积(modified chemical vapor deposition,MCVD)法制备了一种新型少模光纤——硫化铅(PbS)掺杂少模光纤,研究了该光纤的荧光特性,并基于空间光调制器搭建了少模光纤放大系统,测量了光纤的模式增益特性。实验结果表明:在980 nm激光泵浦下,该光纤表现出超宽带近红外发光,光谱范围为1 050~1 650 nm;在1 540~1 560 nm波段范围内,实现了LP01和LP11模式放大,平均模式开关增益为4.5 dB,差模增益小于0.6 dB。该光纤为模分复用系统实现宽带模式放大提供了可行性。  相似文献   

4.
本文采用改进的化学气相沉积(modified chemical vapor deposition,MCVD)法制备了一种新型少模光纤——硫化铅(PbS)掺杂少模光纤,研究了该光纤的荧光特性,并基于空间光调制器搭建了少模光纤放大系统,测量了光纤的模式增益特性。实验结果表明:在980 nm激光泵浦下,该光纤表现出超宽带近红外发光,光谱范围为1 050~1 650 nm;在1 540~1 560 nm波段范围内,实现了LP01和LP11模式放大,平均模式开关增益为4.5 dB,差模增益小于0.6 dB。该光纤为模分复用系统实现宽带模式放大提供了可行性。  相似文献   

5.
提出并实验研究了一种基于半导体光放大器(SOA)和半导体可饱和吸收镜(SESAM)的双波长环形腔连续波光纤激光器.当半导体光放大器的输入电流为140m A时,通过仔细调整偏振控制器,可以获得1 560.91 nm和1 564.12 nm双波长激光,其信噪比大于30 dB,波长间隔为3.21 nm.实验结果表明,基于SOA和SESAM的双波长环形腔连续波光纤激光器的新概念及其技术可行性.  相似文献   

6.
发展了一种基于拉普拉斯变换的直接方法并用它研究了Φ-4方程的孤子微扰。应用这一方法求出了微扰对孤子的影响,即孤子参数对t1的依赖及一阶修正。  相似文献   

7.
采用高温熔融法制备了新型Er3+掺杂的Bi2O3-TiO2-B2O3系玻璃,分析比较了BiTB系列玻璃中TiO2和Bi2O3含量变化对光谱参数及热稳定性的影响.计算出了玻璃的J-O强度系数Ωλ(λ=2,4,6),并应用McCumber理论计算了掺铒铋酸盐玻璃在1.53 μm处的受激发射截面.  相似文献   

8.
将Er2O3和Yb2O3掺杂杂到SiO2和PbF2混合物中,烧结后,制成约2mm厚的薄片样品,为了便于比较而获得最佳的Yb^3离子浓度使上转换荧光峰强度最强,各样品中SiO2,PbF2和Er2O3的摩尔百分比是固定的,Yb2O3的浓度分别使用了0.6mol%,1.4mol%,2.40mol%,4.66mol%和8.0mol,在930nmLED激发下,测量了这五种样品的荧光光谱,观察到上转换谱线主要有绿光(约528nm,540nm,547nm和550nm),红光(约652nm,665nm和668nm),蓝光(约487nm和493nm),紫光(约412nm)和近红外光(约802nm,845nm,852nm),发现对于以上五种Yb2O3浓度的样品其浓度为2.4mol%样品上转换荧光的峰强度是最强的,其中绿光比其它谱线更强。  相似文献   

9.
该文研究了光纤损耗,色散,非线性系数等参量无规变化,放大器自发辐射噪声(ASE)和孤子间相互作用同时存在时孤子系统的传输特性,发现光纤参量随机变化仅引起孤子幅值和能量变化,孤子中心抖动可以忽略,而相互作用对孤子中心抖动有显著影响。相互作用和ASE噪声并存在时对孤子中心抖动的影响更为严重。文中证明,这些抖动因素均可用滤波器加以抑制。  相似文献   

10.
采用溶胶凝胶法制备了Zn0.92Fe0.08O粉末样品,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对其结构进行分析,利用振动样品磁强计对样品的磁性进行测试,结果表明Zn0.92Fe0.08O晶体为ZnO纤锌矿结构,样品在室温具有铁磁性,并存在交换偏置现象.  相似文献   

11.
色散平坦光纤可用于波分复用技术,对长距离大容量通讯系统具有很大吸引力.文中选择四包层单模光纤作为研究对象,概述了四包层结构的基本理论,对有关传输特性和结构参数进行了考虑和计算.通过工艺试制,获得了从1.3—1.55μm波长范围具有低色散特性的单模光纤.  相似文献   

12.
采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式.  相似文献   

13.
魏茂彬 《松辽学刊》2013,(4):99-100,103
利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2+、Mn^2+、Fe^2+掺杂ZnS纳米棒.通过x射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDX)、扫描电显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析研究过渡族金属离子(Cu^2+、Mn^2+、Fe^2+)掺杂对样品的结构和形貌的影响.利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪(PL)对样品的光学特性进行表征.结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中.另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响.  相似文献   

14.
用温和的水热法合成了具有钙钛矿型ABO3结构的系列化合物GdFe1-x Cr x O3,并对产物最终组成和磁性进行了分析.碱度在反应物中的多少直接控制着最终产物的组成,只有精确的控制碱度才能得到我们预期所需的化学计量比的产物.在合成方法上,水热法与固相法相比,前者能够得到更完美的、结晶度更好的晶体,合成有序度更高的材料.  相似文献   

15.
本文利用微扰论方法,从连续谱方面详细研究了非线性弹性杆中的粘弹性阻尼对杆内纵向MKdV应变孤波传播的影响.结论指出:耗散的存在不仅使孤波的能量发生耗散,高度随时间变矮,速度减慢,而且在初时刻,孤波的后面会随时间逐渐生长出一个振荡形式的尾迹.  相似文献   

16.
从利用太阳能为家庭提供开水的思路出发,研制出一种配有阳光环绕式直角平面反射器的玻璃真空管太阳热水/开水器.研究介绍了直角平面反射-玻璃真空管集热系统的光学设计,用于太阳热水/开水器产品样机中并进行了实验.结果表明:采用直角平面反射,真空管的圆周表面上可均匀地受到阳光照射与反射,其采集太阳辐照能量相当于无反射板玻璃真空管系统的2~4倍.  相似文献   

17.
MKdV方程和SG方程是描述非线性波动具有代表性的两个重要方程。本文通过对这两个方程进行小振幅下的Fourier展开分析和呼吸子解分析,得出在小振幅慢变位相情形下都满足非线性Schrdinger方程,从而揭示了非线性波动方程的一些共同特性和内在联系.  相似文献   

18.
为获得具有良好PTC效应的陶瓷元件,采用复合掺杂,通过柠檬酸盐溶胶-凝胶法及二步合成法,经低温煅烧干凝胶制备无铅BaTiO3基PTC粉体.制得的粉体晶粒小、分散性好、低团聚,达纳米级.并通过TG-DTA、XRD、SEM和TEM等测试手段对其性能做了进一步研究.  相似文献   

19.
本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.  相似文献   

20.
熔融法合成层状锰酸锂及改性研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
采用熔融法合成了锂离子电池正极材料层状锰酸锂(m-LiMnO2),并对其进行了Cr3 的掺杂改性,优化了层状LiMnO2的合成路径及制备条件.采用X射线衍射(XRD)和元素分析对所得试样的结构进行了分析和表征.电化学性能测试结果表明层状LiMnO2具有较高的首次放电比容量(137 mA.h/g),但循环过程中容量衰减较快.m-LiMnO2掺入Cr3 后,循环性能显著提高,循环40次后仍有132 mA.h/g,说明掺杂后结构稳定性增强.  相似文献   

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