MgF2中STE转化为F-H对微观机制的研究

文章在单电子Hartree-Fork近似的基础上采用扩展离子方法研究了MgF2晶体中自陷态激子STE转化为F-H对的微观物理机制,结果发现稳定的F-H对只能由STE的空穴激发态产生,最后我们建立了激发态空穴跳跃扩散的模型来解释这种形成机制。     

KF中F心的驰豫激发态

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似及扩展离子处理方法（ＳＬＣ方法）的基础上，考虑了ＫＦ中Ｆ心电子处于激发态时晶格相互作用的四极子模型；计算了基态和激发态的能量；给出了相应的能量和离子坐标间关系的能量－位形图。计算的辐射能和实验符合得很好。     

基于密度泛函理论对咔咯-吩噻嗪二元体激发态电荷转移的研究

采用密度泛函理论(DFT)对咔咯与吩噻嗪形成的F10C-PTZ供体-受体体系进行了计算,包括几何结构、前线分子轨道、电子-空穴分析、吸收光谱等基态和激发态性质;探讨了二元体间隔基和取代基位置对电荷转移激发态的影响.结果表明:F10C-PTZ二元体存在供体-受体间的电荷转移激发态;间隔基的C—C键会阻碍供体-受体的电荷转移,而间隔基的C—C键可增强体系的共轭性,有利于供体-受体的电荷转移;当供体取代位置与五氟苯基相邻时,咔咯上五氟苯基的拉电子效应使得供体-受体激发的电荷转移更易于发生.     

Met+H2O复合体系手性转变反应中间体电子激发表征

基于M06-2X理论方法, 在加有弥散函数的aug-cc-pVTZ基组水平上, 用含时密度泛函理论(TDDFT)方法进行电子激发计算, 给出隐式溶剂氯仿下Met(甲硫氨酸)+H₂O复合体系手性转变中第一基元反应中间体INT₁-S-Met-CHCl₃+H₂O分子体系的空穴-电子、自然跃迁轨道(NTO)和电荷密度差(CDD)分布等值面图, 并分析中间体激发态的性质及其电子结构. 结果表明： H原子迁移形成中间体, 引起Met分子体系结构发生显著变化; 基于NTO、空穴-电子和CDD等值面与空穴-电子数据分析对INT₁-S-Met-CHCl₃+H₂O分子体系激发态激发类型互认具有一致性.     

KF中FB（Na^＋）的吸收和辐射光谱及其热转换机理

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似及扩展离子处理方法（ＳＬＣ方法）的基础上，提出了激发态等效偶极子模型，计算了ＫＦ中ＦＢ（Ｎａ＾＋）的吸收和辐射光谱，研究了产生强Ｓｔｏｋｅｓ位移辐射及激发态热转换现象的可能机制。     

磁场下InAs/InP应变矩形量子线能级结构

利用微扰理论在有效质量近似下研究了磁场下截面长度固定的矩形量子线中电子和空穴的基态、第一激发态能量,在计算过程中考虑了形成量子线的两种材料的晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素.结果表明:当磁场增大时,不同尺寸量子线中电子基态能量的差值增大的速度明显减小,而空穴的相应情况不明显;不同尺寸量子线中粒子的第一激发态能量差值随着磁场的增大而增大,并且差值较小.     

表面修饰调控单层ZnS电子结构和光学性质

为了研究H,F修饰单层ZnS对其电子结构和光学性质的影响,建立了H修饰、F修饰以及H-F共同修饰单层ZnS晶体结构。采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了各二维材料的晶体结构、稳定性、电子结构和光学性质。计算结果表明,单层ZnS是一种准平面结构,经过修饰后则转变为褶皱六元环结构,且修饰后的ZnS具有很好的稳定性。电子结构表明,单层ZnS是一种直接带隙半导体,其计算能隙为2.625eV,H修饰ZnS会导致其能隙增大,且转变为间接带隙半导体,F修饰和H-F共修饰则使得ZnS能隙不同程度减小。载流子有效质量结果显示,单层ZnS为轻空穴重电子型半导体,H或F修饰会导致半导体的空穴有效质量显著增大,电子有效质量的变化则相对较小。光学性质表明,H,F修饰会导致ZnS的吸收边发生蓝移,其中F修饰,H-F共修饰(H与Zn同侧,F与S同侧)ZnS对短中波紫外线的吸收效果明显增强,表明其在未来光电子领域有着广阔的应用前景。     

有限温统一RPA近似

用有限温单粒子格林函数方法统一处理了高激发核的粒子－空穴及粒子－粒子（空穴－空穴）ＲＰＡ关联，得到了统一ＲＰＡ近似下描述热核性质的巨热力学势的理论公式．     

卤化铵晶体STE辐射光谱和Vk心吸收光谱研究

采用扩展离子方法研究了卤化铵晶体中自陷态激子(STE)的辐射光谱和Vk心的吸收光谱,根据变分法原理确定STE系统的最小能量及其相应的离子位移场.用赝势方法确定缺陷电子的态和能量,研究结果表明STE辐射光谱和Vk心吸收光谱与实验符合得很好。     

晶体中弱耦合磁极化子的内部激发态

研究晶体中弱耦合磁极化子内部激发态的性质。采用线性组合算符和么正变换方法计算晶体中磁极化子的第一内部激发态及振动频率,并对两种极限情况进行了讨论。对晶体（GaP）作了数值计算,结果表明极化子的第一内部激发态能量和回旋共振频率随磁场的增加而增大。     

锗烷分子（3000）局域模振动态的高分辨光谱…

锗烷在其伸缩振动泛频态上会出现局模振动，这不仅对研究分子在激发态上的行为有重要意义，而且它所揭示的成局域模振动的机制普遍适用于任何分子，从而为选键化学带来新希望。在０．０５ｃｍ＾－１分辨率上记录了锗烷的６０４０－６４２０ｃｍ＾－１区域的泛光谱。     

吡啶光氯化反应的量子化学研究（1）：PM3计算吡啶静态结构和 …

用半经验量子化学程序ＰＭ３对吡啶分子基态及第一激发态做了结构全优化计算，得到吡啶基态及第一激发态的分子轨道和其相应的能量，同时得到吡啶环各碳原子的电荷密度、成键度和自由价。计算结果表明Ｃｌ．与吡啶基态分子发生聚代反应，优翻天复地成２－氯吡啶，Ｃｌ．与吡啶激发态分子反应，优先生成４－氯吡啶。     

统一RPA近似下热核能级密度参数的温度相关性

用包括进粒子－空穴及粒子－粒子（空穴－空穴）两种ＲＰＡ关联的统一ＲＰＡ近似公式作了￣（４０）Ｃａ的真实核计算．计算结果表明，在低温范围内，适当考虑ＲＰＡ关联的影响后，能级密度参数与温度的关系能较好地说明实验结果．     

晶体中电子的行为与空穴概念的引入

本论述通过一个例子—分析P型半导体在磁场中的霍尔效应,提出＂空穴＂概念的准确理解问题。利用量子物理学理论分析了晶体中电子的行为,得出了＂晶体电子＂与自由电子行为不同的结论,进而引出＂空穴＂概念的准确定义并对引入＂空穴＂概念的必要性做出了说明。     

与DNA键联的激发态Cu（NACN）共振拉曼研究

用４００ｎｍ和４４５ｎｍ脉冲激光激发测量水溶铜卟啉（４－Ｎ－乙腈基－吡啶基铜卟啉）及其与小牛胸腺ＤＮＡ复合物的共振拉曼光谱。分析表明Ｃｕ（ＮＡＣＮ）与ＤＮＡ形成了电子激发态复合物。观察到除铜卟啉的谱带６和８外，７带也在它的低频区出现了代表形成激发态复合物的额外峰。激发态复合中铜卟啉骨架发生了较大畸变，而吡啶取代基团没有明显变化，并且激发态复合中卟啉核π电子与ＤＮＡπ电子之间产生了比基态时强得多的相互作用。     

基于细观损伤理论的刚塑性有限元方程

有限元软件一般将变形体当作致密体进行分析,很少考虑金属空穴损伤对成形极限的影响．基于Ｇｕｒｓｏｎ－Ｔｖｅｒｇａａｒｄ空穴型材料塑性势方程,利用正交法则在刚塑性材料的Ｌｅｖｙ－Ｍｉｓｅｓ流动规则中引入了空穴损伤对应力－应变率场的影响,给出了空穴增长率计算方法,推证了含空穴材料的刚塑性变分原理与含有空穴体积分数的有限元列式,考虑了空穴体积扩张对成形过程的影响．为研究体积成形时材料损伤、裂纹起裂及扩展奠定了基础．     

以二茂铁季铵盐为活性材料的PVC膜甘草次酸和布洛芬药物电极的研制

本文选用了三种二茂铁季铵盐：C2H5F′C－CH2－N^ （CH3）3I^-、C8H17-F′c－CH2N^ （CH3）3I^-、C8H17-F′c－C－F′c－CH2N^ (CH3)3I^ 为电极活性材料，邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二壬酯为增塑剂，制备了药物甘草次酸和布洛芬电极，其中以C7H17－F′c－NH2N6 （CH3）3I^－为活性材料，邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂制备的甘草次酸电极和布洛芬电极性能较了，甘草次酸电极的线性响应范围为10^-6mol/L－10^-2mol/L，斜率为45mV(13℃），检测下限为6．3×10^-7mol/L，pH范围为7．6－10．6，用直接电位法测定甘草次酸的回收率为98．5％－101．8％；布洛芬电极的线性响应范围为10^-6mol/L-10^-2mol/L，斜率为58nV(15℃），检测下限为8．5×10^-7mol/L，pH范围为6．8－10．0，布洛芬的回收率为97．5％－99．5％。     

微波合成西佛碱络合物的电致发光性能

利用微波固相反应，合成了水杨醛－己二胺－锌Schiff碱络合物，通过对络合物进行热分析，发现由己二胺合成的金属络合物具有较高的热稳定性，可用作电致发光材料，不加空穴转移层的器件发光亮度较低，而加入二胺作为空穴转移层材料器件的亮度可达1390cd/m^2。     

N^＊（1535）强耦合效应对η介子核束缚态的影响

类比”核散射的△-空穴模型得到N^＊-空穴激发态下的η介子自能，将η介子的运动方程与相对论平均场相结合，求解有限核^12C，^40Ca和^208Pb中η介子的束缚态．计算结果显示在η介子的自能中考虑N和N^＊的核介质修正效应对可介子光学势有很大影响．考虑N和N^＊的核介质修正效应后，η介子的束缚态的宽度依赖于N^＊（1535）自能的实部的选取．     

飞秒激光场中环辛酮离子在低激发态解离的研究

利用重头算的CIS方法,研究了C8H14O的稳定构型,用CIS方法采用6-31+g(d)基组,计算了C8H14O+的三个低激发态的红外振动频率.通过对虚频振动模式的分析,得到了C8H14O+在低激发态的主要解离碎片是H+、C6H9O+、C2H3+、C2H4+、C6H8O+、C6H10O+、C2H2+.最后在B3LYP/6-31+g(d,p)水平上优化了这些碎片的结构,从而得到了飞秒激光场中环辛酮分子在低激发态解离的产物.