初道屏蔽效应对低能电子碰撞H(e,2e)反应的影响

考虑初道屏蔽效应,研究了低能电子碰撞H(e,2e)的反应过程.计算了共面非对称几何条件下能量为27.2 eV的入射电子碰撞H(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),将其计算结果与3C、DS3C和CDS3C模型所得结果及实验数据进行了比较,结果表明CDS3C模型能对上述碰撞过程成功描述,改善了与实验结果的符合程度.     

电子碰撞电离H（2s）的理论研究

利用ＢＢＫ模型对电子碰撞电离Ｈ过程进行理论研究，计算了对称和不对称几何条件下的三重微分截面。除将部分结果与现有理论进行比较外，首镒给出了入射能量为１５０ｅＶ共面不对称条件下的三重微分截面和Ｈ原子２ｓ态的电子动量谱，从而为实验提供较为全面的理论数据。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

初道屏蔽效应对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑初道屏蔽效应，计算了不对称几何条件下电子碰撞He（e，2e）反应的三重微分截面，并与BBK模型计算结果、DS3C模型计算结果、已有的CCC理论结果和实验数据做了比较.表明，考虑初道的屏蔽效应成功地修正了BBK模型和DS3C模型，改善了与实验结果的符合程度.     

各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响,计算了共面不对称和共面等能几何条件下,电子碰撞He(e,2e)反应的三重微分截面,同时给出了直接碰撞过程、交换碰撞过程以及干涉效应对三重微分截面的贡献.结果表明,三种碰撞过程对He(e,2e)反应三重微分截面影响是不可忽视的.     

Theoretical Study on Electron Impact Ionization of H(2s)

利用ＢＢＫ模型对电子碰撞电离Ｈ（２ｓ）过程进行理论研究，计算了对称和不对称几何条件下的三重微分截面。除将部分结果与现有理论进行比较外，首次给出了入射能量为１５０ｅＶ共面不对称条件下的三重微分截面和Ｈ原子２ｓ态的电子动量谱，从而为实验提供较为全面的理论数据。     

氦原子(e,3e)碰撞的理论推导

在这篇文章中，完成了高入射能、低敲出能情形下，电子入射双电离He原子五重微分截面(FD－CS)的理论推导，计算中使用了三个电子在He^ 2离子场中的四体末态波函数。所得理论曲线，除个别点之外，其形状上与最新的实验结果是吻合的。     

电子碰撞电离氦原子的三重微分截面

在一级玻恩近似理论框架下,用分波法计算入射电子能量分别为634.59、604.59、400、250、150 eV的氦原子(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),并与实验结果进行比较.在入射电子能量为604.59、400、250 eV情况下,全扭曲波玻恩近似与实验较为符合;在入射电子能量为634.59 eV情况,其敲出电子能量40 eV条件下,考虑敲出电子库仑势的计算结果好于考虑敲出电子扭曲势的计算结果.在固定散射角情况下,Recoil峰的相对强度和Binary峰值位置随敲出电子能量变化的趋势,与文献(Ehrhatdt H,Hesselbacher K H,Jung K,et al.Collisional ionization of helium by 250 eV electrons:experiments with completely determined kinetics[J].J Phys B:At Opt Mol Phys,1972,5:2107-2116)中提到的变化趋势一致.     

中能级下(e,2e)三重微分散射截面的计算

入射能量为150eV时，电子入射离化氢原子，出射的2个电子共面但速度不同，引入一个实参数将总的动能算符分成两部分：结构因子和相关因子，讨论相关因子和入射角对recoil峰的影响。     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

70.6eV电子入射电离氦原子的理论研究

在入射能为70.6eV,两个出射电子等能分享几何条件下,分别用3C模型和DS3C模型对散射平面内以及垂直平面内电子离化氦原子的三重微分散射截面进行了计算,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了各种效应对截面的贡献.结果表明:当散射角较小时,末态各种屏蔽效应对散射平面内和垂直平面内截面幅度以及角分布均存在较强影响;交换效应对截面的贡献始终是不可忽略的.     

氢原子三重微分散射截面与能量分配的关联

氢原子单离化是原子物理中最简单的三体相互作用问题，但是由于长程的库仑作用的影响，带电粒子与原子碰撞的单离化过程仍有许多难以克服和未能解决的困难．利用跃迁矩阵元的后滞形式，同时，取末态波函数为库仑波函数和平面波函数的乘积，在初态里，波函数被分成两部分，一部分是库仑波和氢原子基态的乘积，另一部分是两电子的相对运动的库仑波和质心运动的平面波．对于快电子仍然取为平面波，如果在忽略了质心运动和两电子相对库仑波的指数因子的情况下，所得出的理论计算结果与一些实验在数值上符合得较好。     

N2/H2辉光放电等离子体电子碰撞电离的Monte Carlo模拟

采用N2/1-12直流辉光放电等离子体综合的Monte Carlo模型,通过计算N2/H2混合气体直流辉光放电等离子体电子碰撞电离及离解电离率,电子密度及电子能量分布函数,研究了H2的浓度对氮辉光放电等离子体电子碰撞电离过程的影响.研究结果表明:随着H2浓度的升高,电子的电离及离解电离碰撞率减少;但在一定的放电条件下,加入少量的H2,可以提高电子碰撞电离及离解电离率,即选取合适的放电参数,加入少量的氢,可以提高放电空间的电子及离子的密度.模型考虑了12种和电子相关的反应,在氮气中加氢的比例为0～30%.这些影响能通过放电中发生的碰撞过程及鞘层厚度的改变得到解释.研究结果为认识N2/H2混合气体辉光放电等离子体过程机理提供参考依据.     

氢原子(e,2e)反应中基态三重微分散射截面的计算

利用(e,2e)反应中跃迁矩阵的后滞形式,忽略了质心运动和相对运动的情况下,计算基态氢原子单离化的三重微分散射截面,与相关的实验结果符合的较好.笔者的近似计算能较好的反映基态的散射过程,计算量较小,该方法可以进一步推广到激发态散射截面的计算中.     

60 MeV/u18O与232Th反应的Ba同位素产生截面

60MeV/u18O离子与232Th反应产生放射性Ba同位素。通过3次BaCl2沉淀,将Ba从大量的Th和其他反应产物混合物中分离出来。使用离线!谱学方法完成Ba样品!活性的测量。根据各个Ba同位素的特征!射线峰的活度和其他相关数据,得到Ba同位素的产生截面。     

低热固相法合成纳米(NH4)3PMo12O40·4H2O及其机理的研究

通过低热固相反应合成了纳米(NH4)3PMo12O40*4H2O,XRD、31P NMR研究发现,在此固相反应的4个步骤中(扩散,反应,成核,生长),反应的速率控制步骤是产物的成核.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

［2，3＇－联－1H－吲哚］－3（2H）－酮衍生物的电子轰击质谱研究

本文报道了５种［２，３＇－联－１Ｈ－吲哚］－３（２Ｈ）－酮团衍生物（１－５）的电子轰击质谱．发现其质谱裂解方式与标题物分子中１一位氮原子的取代类型有失其中，当Ｒ１＝Ｈ时，分子离子按β消除机理开裂为吲哚（Ａ）和吲哚酮（Ｂ）的分子离子．而当Ｒ１＝Ｍｅ时，分子离子易于丢失ＭｅＮ或２位苯基给出稳定的碎片离子Ｆ和Ｇ．