多层片式PTCR注浆成型工艺的研究

研究了BaTiO3基的片式PTCR陶瓷的注浆成型工艺，包括浆料的制备、粘合剂PVA用量及与粘度等之间的关系，采用PMAA-NH4为分散剂，加入适量PVA(质量分数wp为1％～2％，占粉料)可获得固相质量分数w为75％～80％的浆料，后烧成的瓷片与轧膜成型、(Gelcasting(凝胶注膜)成型方法获得的瓷片进行了主要性能比较，同时采用注浆成型工艺成功制备出了多层PTCR热敏电阻器。     

PTCR电流-时间特性在线测试仪的设计

简要介绍了正温度系数热敏电阻(PTCR)电流-时间特性,针对PTCR电流时间特性在线测试需要,提出了一种在线测试方法,给出了测试电路原理图和相应的软件测试流程,并对其工作原理进行了介绍。设计的PTCR电流-时间特性在线测试仪具有良好的在线测试性能,为PTCR在线测试提供了一种有效的电流-时间特性失效检验途径。     

PTCR耐电压自动测试系统

根据PTCR生产中耐电压测试要求，研制了计算机控制的PTCR耐电压自动测试系统，采用PC机、串行通信接口、并行打印接口、智能化仪表及各种外围接口电路，实现了PTCR耐电压性能的在线测试，系统具有耐电压测试、限值测量、自动分选等多种功能，提高了测试效率。     

PTC热敏电阻型液位控制电路的研究

在研究PTC热敏电阻特性的基础上，对现有的金属电极型液位控制电路进行改进，提出了一种采用PTC热敏电阻作为传感元件的液位控制电路，克服了原液位控制电路的缺点。     

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...     

PTC热敏电阻型液位控制电路的研究

在研究PTC热敏电阻特性的基础上,对现有的金属电极型液位控制电路进行改进,提出了一种采用PTC热敏电阻作为传感元件的液位控制电路,克服了原液位控制电路的缺点。     

ZnO—Cr_2O_3系陶瓷的NTC热敏特性考察

本文研究了ZnO-Cr_2O_3系陶瓷的制备工艺,粉末压片电导行为.证实其电导或电阻与温度有Arrheuius线性关系.该系陶瓷具有NTC热敏电阻特性,热敏电阻常数(3.1—9.5)×10~3,是一类稳定、灵敏的中温到热敏陶瓷.     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

固相法制备细晶高性能PTCR

针对正温度系数热敏电阻(PTCR)片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求,利用固相法制备PTCR,结合提高施受主掺杂比(n(Y∶Mn)21效果明显),高温预烧(1 220℃),低温烧结(1 300℃)等方法抑制晶粒长大;制备出平均晶粒尺寸小于2μm,室温电阻率为205Ω.cm,升阻比为4.082×104的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷,使多层片式PTCR产业化成为现实.     

(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 温度特性的根本原因     

一种性能优良的PTC自动恒温电烙铁

本文用居里温度T_c=320～350℃,PTCR效应达3.5～4.5个数量级的(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3半导体陶瓷材料作发热体,研制出性能优良的PTC自动恒温电烙铁.该烙铁的功率为8～20W,适应电压范围宽,可用各种交、直流电源供电.具有升温迅速,耗电少和工作寿命长等特点.     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

高分子PTCR可恢复过流保护性能分析

着重分析了高分子ＰＴＣＲ动作时间与异常电流、阻值的关系,漏电流与异常电流的关系,不动作电流与动作电流、阻值的关系。结果表明：高分子ＰＴＣＲ各性能指标间彼此约束、相互关联。     

高性能PTCR陶瓷材料的制备

采用正交试验法设计实验,用溶胶－凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 ＰＴＣＲ（Ｐｏｓｉｔｉｖｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 ４种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对ＰＴＣＲ陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

热处理对聚乙烯／炭黑型PTC材料导电性能的影响

聚合物PTC材料在成型之后一般都要经过一定的处理，热处理 改善材料性能的一种非常有效的手段，通过开炼共混和挤出成型制得了聚全物PTC自控温加热电缆样品，分别在不同的温度下进行热处理，考察并讨论了其导电性能在热处理过程中的变化情况。     

使用铝电极的BaPbO3陶瓷的PTCR效应

为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数(PTCR)的高居里点陶瓷材料,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料．实验发现,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率,且呈现出和金属导体一样的电导体特征;使用铝电极的BaPbO,基陶瓷体表现出PTCR特性,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善．利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征．微观结构分析表明,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO,纳米相,并由此使其表现出极低的电阻率;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成,所以除去烧结陶瓷表层后,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应．     

贱金属电极与PTC陶瓷相容性的研究

用烧渗法和化学沉积法在冰箱启动用PTC陶瓷上制作了Zn/Cu、Ni—P/Cu和Cu/Ni—P双层贱金属电极,并对它们的电学性能进行了测试.结果表明,Zn/Cu和Ni—P/Cu贱金属电极能较好地满足PTC陶瓷产品的要求,而Cu/Ni—P电极可用来调节PTC陶瓷的室温电阻率.