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讨论了掺Sm、pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能。实验表明,经过退火处理(375℃~425℃/2~4h),样品形成MnBi晶体结构。掺杂含量x=0.1~0.25,样品具有较大的Kerr角(θ(Kmax)=2.57°),内禀矫顽力_MH_c=1.5~5.6KO_e,剩余磁化强度σ_r=30.0~52.3KO_e,剩磁比r=0.88~9.98。磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,MnBi样品Kerr角的极大值向长波方向移动。在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。 相似文献
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方庆清 《南京大学学报(自然科学版)》1999,35(4):443-448
讨论了掺Sm、Pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能.实验表明,经过退火处理(375℃~425℃/2~4h),样品形成MnBi晶体结构.掺杂含量x=0.1~0.25,样品具有较大的Kerr角(θKmax=2.57°),内禀矫顽力MHC=1.5~5.6kOe,剩余磁化强度Mr=3.0~5.6kOe,剩磁比r=0.88~0.98.磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品Kerr角的极大值向长波方向移动.在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。 相似文献
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采用离子注入方法制备Sm-FeM-N磁性合金薄膜,研究少量Co部分取代Fe对薄膜磁性能的影响,探索研究Sm-FeM-N磁性材料的新途径.实验发现:Co+注入使样品的饱和磁化强度明显增加,Sm-FeCo-N薄膜的饱和磁化强度是Sm-Fe-N薄膜的1.6倍.经TEM分析,Co+没有与Sm或Fe形成化合物 相似文献
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采用离子注入方法制备的Sm-FeM-N磁性合金薄膜,研究少量Co部分取代Fe对薄膜磁性能的影响,探索研究SmFeM-N磁性材料的新途径,实验发现Co^+注入使样品的饱和磁化强度明显增加,Sm-FeM-N薄膜的饱和磁化强度是Sm-Fe-N薄膜的1.6倍。经TEM分析,Co^+没有与Sm或Fe形成化合物。 相似文献
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研究了MnBiAlGe合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ge在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ge为0.3时,其克尔角可达1.75°,是很有希望的新型磁光材料. 相似文献
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本文报导了不同制备条件下四氧化三铁薄膜的结构和磁性。实验的关键制备是水蒸气和氩气的分压之比,其变化范围从1.0到3.0。透射电子显微镜研究表明了在不同的溅射条件下都可以得到结构均匀的薄膜。扫描隧道显微镜的观察清楚地显示了薄膜的表面的三维形貌。 相似文献
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利用离子束混合方法在Sm质量分数为20%的Sm-Fe多层薄膜中,当注入能量为60keV的N离子时,成功地制备出Sm-Fe-N磁性薄膜.经透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析发现:当N离子的注入剂量为1×1017/cm2时,形成Sm2Fe17Nx磁性薄膜;而N离子的注入剂量为2×1017/cm2时,Sm-Fe多层薄膜转变成非晶磁性薄膜,而且Sm2Fe17Nx磁性薄膜和Sm-Fe-N非晶磁性薄膜的磁性(饱和磁性强度、矫顽力)与注入前的Sm-Fe薄膜相比有明显的提高 相似文献
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氮化铁薄膜的结构及磁性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γFe4N薄膜,采用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)对所制备的样品进行了结构和磁性性能分析,研究了基片温度对薄膜的结构和磁性性能的影响。 相似文献
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锰铋稀土 (Mn Bi RE)薄膜具有较大的磁光克尔转角 θk,因而作为良好的磁光信息存储材料 .用真空蒸镀方法制备了 Mn Bi RE (RE=Ce、 Pr、 Nd、 Sm)薄膜 ,考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响 .通过信息的写入 ,分析了这些样品的读写特性并与四层结构 Tb Fe Co样品做了比较 相似文献
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用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。 相似文献
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用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。 相似文献
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为了更深入地研究半导体气敏器件的气敏-光学特性,进一步提高其性能,地导体气敏元件的机理及光波在导电媒质中的传播,本文在实验基础上,建立了氧化物半导体气敏片的光学特性数学模型,导出了光通过膜片时上对透过率与膜片生长的若干主要因素的定量关系。 相似文献
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锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
致密、纯钙钛矿结构的PZT(50/50)铁电薄膜已用MOD工艺(金属有机物热分解工艺)获得.通过优化原料的提纯和合成工艺,消除了原料中微量杂质离子,控制PZT先体溶液合成时的环境温度,制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液.采用多次甩胶成膜法,经400~500℃热处理,在Pt/SiO2/Si衬底上制得PZT(50/50)薄膜,膜厚520nm,其介电常数为270,损耗角正切为0.035(1kHz,0.05V测试电压),其绝缘电阻率为10~100TΩ·cm,剩余极化强度为20.6μC/cm2,饱和极化强度为27.7μC/cm2,矫顽场强为80kV/cm 相似文献
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根据CuInSe2多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α(λ)、消光系数k(λ)、折射率n(λ)以及光学禁带宽度Eg.结果表明,用双源法制备的CuInSe2多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的CuInSe2多晶薄膜的光学特性基本一致 相似文献
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邝向军 《贵州大学学报(自然科学版)》2004,21(3):251-254
利用离散变分-局域自旋密度泛函方法对Rh13原子簇在进行了电子组态优化和键长优化的基础上,计算得到了原子簇的平衡键长、结合能、态密度分布和净磁矩,所得与实验更为接近,对理论计算值与实验结果的差异给出了可能的解释。 相似文献
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采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用X射线电子能谱(XPS) 和富里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的电子结构进行了分析.结果表明:反应气体N2 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在N2 压力为8 Pa、溅射功率为200 W 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值41% ;XPS和FTIR分析结果揭示了膜中没有自由的N原子,所有的N原子均与C原子作用形成化学键,而且C N 单键、C N 双键、C N 三键共存.膜中C H 和N H 振动模式的存在,说明沉积在Si 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力. 相似文献
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为了系统地分析半金属TiB2的能带结构及光学特性,采用密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算分析了TiB2的电子结构及光学特性。能带结构表明TiB2具有直接带隙宽度为0.388 eV的半金属材料,在费米能级附近,态密度的价带主要由Ti的3p价电子和B的2p价电子起作用,导带由Ti的3d价电子起主要贡献。从获得的光学特性参数发现在光子能量为0.73 eV处,Ti的4s3p和B的2p电子发生共振,复介电函数的峰值主要出现在低能区,材料对紫外光的最大吸收系数为4.03×105cm-1。本研究得到的光学特性参数在光电子器件、微电子和紫外探测器等制作方面有着较好的参考作用。 相似文献