掺Sm、Pr的 MnBi合金薄膜的磁性结构和磁光性能研究

讨论了掺Sm、pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能。实验表明,经过退火处理(375℃~425℃/2~4h),样品形成MnBi晶体结构。掺杂含量x=0.1~0.25,样品具有较大的Kerr角(θ(Kmax)=2.57°),内禀矫顽力_MH_c=1.5~5.6KO_e,剩余磁化强度σ_r=30.0~52.3KO_e,剩磁比r=0.88~9.98。磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,MnBi样品Kerr角的极大值向长波方向移动。在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。     

掺Sm、Pr的MnB1合金薄膜的磁性、结构和磁光性能研究

讨论了掺Sm、Pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能．实验表明,经过退火处理(375℃～425℃／2～4h),样品形成MnBi晶体结构．掺杂含量x=0．1～0．25,样品具有较大的Kerr角(θKmax=2．57&#176;),内禀矫顽力MHC=1．5～5．6kOe,剩余磁化强度Mr=3．0～5．6kOe,剩磁比r=0．88～0．98．磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品Kerr角的极大值向长波方向移动．在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d&lt;250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。     

Sm─FeCo─N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径．实验发现：Ｃｏ＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＣｏ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍．经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物     

Sm—FeCo—N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备的Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究ＳｍＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径，实验发现Ｃｏ＾＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍。经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＾＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物。     

Ge在MnBiAlGe合金薄膜磁光特性中的作用

研究了ＭｎＢｉＡｌＧｅ合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ｇｅ在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ｇｅ为０．３时,其克尔角可达１．７５°,是很有希望的新型磁光材料．     

溅射氧化铁薄膜的结构和磁性

本文报导了不同制备条件下四氧化三铁薄膜的结构和磁性。实验的关键制备是水蒸气和氩气的分压之比，其变化范围从1．0到3．0。透射电子显微镜研究表明了在不同的溅射条件下都可以得到结构均匀的薄膜。扫描隧道显微镜的观察清楚地显示了薄膜的表面的三维形貌。     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

氮化铁薄膜的结构及磁性研究

采用直流磁控溅射方法，以Ar／N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γFe4N薄膜，采用X射线衍射（XRD）和超导量子干涉仪（SQUID）对所制备的样品进行了结构和磁性性能分析，研究了基片温度对薄膜的结构和磁性性能的影响。     

温度变化对锰铋稀土薄膜的矫顽力和磁光克尔转角的影响

锰铋稀土 (Mn Bi RE)薄膜具有较大的磁光克尔转角 θk,因而作为良好的磁光信息存储材料 .用真空蒸镀方法制备了 Mn Bi RE (RE=Ce、 Pr、 Nd、 Sm)薄膜 ,考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响 .通过信息的写入 ,分析了这些样品的读写特性并与四层结构 Tb Fe Co样品做了比较     

离子束辅助沉积技术对薄膜光学特性的影响

用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。     

离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。     

氧化物半导体气敏膜片光学特性研究

为了更深入地研究半导体气敏器件的气敏－光学特性,进一步提高其性能,地导体气敏元件的机理及光波在导电媒质中的传播,本文在实验基础上,建立了氧化物半导体气敏片的光学特性数学模型,导出了光通过膜片时上对透过率与膜片生长的若干主要因素的定量关系。     

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２，矫顽场强为８０ｋＶ／ｃｍ     

CuInSe2多晶薄膜的光学特性研究

根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ．结果表明,用双源法制备的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性基本一致     

Rh13原子簇的电子结构和磁性性质研究

利用离散变分-局域自旋密度泛函方法对Rh13原子簇在进行了电子组态优化和键长优化的基础上,计算得到了原子簇的平衡键长、结合能、态密度分布和净磁矩,所得与实验更为接近,对理论计算值与实验结果的差异给出了可能的解释。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

理论研究半金属TiB2的电子结构和光学特性

为了系统地分析半金属TiB₂的能带结构及光学特性，采用密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，计算分析了TiB₂的电子结构及光学特性。能带结构表明TiB₂具有直接带隙宽度为0.388 eV的半金属材料，在费米能级附近，态密度的价带主要由Ti的3p价电子和B的2p价电子起作用，导带由Ti的3d价电子起主要贡献。从获得的光学特性参数发现在光子能量为0.73 eV处，Ti的4s3p和B的2p电子发生共振，复介电函数的峰值主要出现在低能区，材料对紫外光的最大吸收系数为4.03×10⁵cm^-1。本研究得到的光学特性参数在光电子器件、微电子和紫外探测器等制作方面有着较好的参考作用。