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相似文献
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1.
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.  相似文献   

2.
报道了前驱体溶液的pH值对Bi-Ti溶液的水解特性的影响,并探讨了乙醇胺的催化作用机理。研究表明,乙醇胺可调节溶液的PH值,其机理及HAC反应,并与Bi^+离子生成稳定的络合物。  相似文献   

3.
采用溶胶一凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜。将薄膜分别进行每一层预退火、每二层预退火、每三层空气中500℃预退火10min,分别称为a.b、c组薄膜,最后都于氮气氛中680℃总退火0.5h。结果表明,预退火工艺对薄膜的铁电性能影响较大,而对取向基本没有影响。同时,a,b两组薄膜的铁电性能(2Pr分别为47.8μC/cm2。和51.9μC/cm2)远远优于c组薄膜的铁电性(2Pr=28.7 μC/cm2)。所有Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜都呈现良好的抗疲劳特性。  相似文献   

4.
采用醇法和部分醋酸盐法两种工艺,获得了透明的BST溶胶,凝胶和BST薄膜铁电材料,应用红外光谱,差热分析及X-衍射方法,研究了该两种合成了工艺的物理化学过程。  相似文献   

5.
利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Sn的In2O3导电透明薄膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度对铁电薄膜结构和性能的影响.X-射线衍射分析表明,经650℃和650℃以上温度退火的薄膜为具有层状钙钛矿型结构Bi4Ti3O12的铁电薄膜.在750℃退火20 min得到Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度Pr=10μC/cm2,矫顽场Ec=45 kV/cm.  相似文献   

6.
Bi4Ti3O12铁电薄膜及其铁电存储器   总被引:1,自引:0,他引:1  
从Y系列材料出发介绍了Bi4Ti3O12材料的基本性质,阐述了Sol-Gel法制备Bi4Ti3O12薄膜的过程及影响因素,介绍了以Bi4Ti3O12薄膜为核心的铁电存储器.  相似文献   

7.
采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了(Bi, Nd)4Ti3O12铁电薄膜.将薄膜分别进行每一层、每二层、每三层500 ℃空气中预退火10 min,分别称为样品a、b、c,最后都于氮气氛中680℃总退火半小时. 结果表明预退火工艺对薄膜的铁电性能影响很大.样品a、b的铁电性能(2Pr分别为47.8 μC/cm2和51.9 μC/cm2)远远高于样品c(2Pr = 28.7 μC/cm2).三组薄膜都呈现良好的抗疲劳特性.  相似文献   

8.
报道了金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,制备Bi4Ti3O12(BTO)铁电陶瓷薄膜的方法,研究了BTO薄膜的晶体结构,表面形貌以及断面。实验表明采用复合靶能够制备质量好、成分均匀的BTO薄膜,其结晶取向与基片材料有关,且退火工艺对膜的质量有影响。  相似文献   

9.
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响。pH〈2和pH〉3.5的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相。pH=2.5 ̄3.5的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O2结构的取向薄膜。  相似文献   

10.
以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究。  相似文献   

11.
前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响.pH<2和pH>35的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相.pH=25~35的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O12结构的取向薄膜  相似文献   

12.
采用多次球磨、预合成、真空干燥的工艺,制备了(0014)择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷样品。样品的c取向方向与样品成型时所加压力的方向基本一致;随烧结时间增加,样品的c取向率增大,烧结时间为16h的陶瓷样品的取向率达到0.96;测量了样品与轴线平行和垂直2个方向的电学性能,得到了各向异性的测量结果,为深入研究BTO的微观结构提供了一定条件。  相似文献   

13.
采用脉冲激光沉积方法制备CaCu3Ti4O12薄膜,研究了其介电常数、交流电导与温度和频率的关系.实验结果表明,CaCu3Ti4O12外延薄膜的介电常数ε在(1kHz,300 K)时高达14700,是目前该体系最好的结果;在1kHz,100~300 K温区内,ε基本保持恒定,热稳定性好、介电损耗低.该特性表明,CaCu3Ti4O12薄膜材料有可能成为信息存储器件更新换代最现实的候选材料.提出薄膜大的内应力可能是其出现巨介电常数的原因,电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外电场的共同作用决定的.  相似文献   

14.
用溶胶-凝胶方法在LaNiO3包覆的Si(111)衬底上制备了BiFeO3掺杂的Bi4Ti3O12薄膜,XRD研究表明薄膜呈完全随机取向,通过BiFeO3的掺杂使Bi4Ti3O12层状钙钛矿的C轴缩短.铁电性测试的结果表明,薄膜的剩余极化强度为2.0μC/cm^2,略小于用溶胶-凝胶方法制备的纯Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度.漏电流测试结果表明薄膜导电机构满足公式.  相似文献   

15.
采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-CN化合物。使用X射线光电子能谱研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高。  相似文献   

16.
溶胶凝胶法制备钙改性钛酸铅铁电薄膜及其光学性质研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用溶胶-凝胶法在(100)Si及石英衬底上成功地制备了钙改性钛酸铅铁电薄膜.X射线衍射研究结果表明,晶化好的PCT薄膜是多晶钙钛矿结构.用SEM、AFM对薄膜的形貌进行了表征,发现薄膜致密均匀、晶粒随着退火温度的升高而长大,700℃退火后薄膜的晶粒大约为55nm.用紫外-可见分光光度计在波长190-1000nm范围内,测量了不同温度退火的PCT薄膜的光学透射率.结果表明600℃、700℃、800℃退火的薄膜样品,其禁带能分别为3.74eV,3.7leV和3.66eV.  相似文献   

17.
层状钙钛矿铁电体材料B i4-xN dxT i3O12(x=0.0~0.9)陶瓷样品适量N d掺杂可提高B i4T i3O12(B IT)的铁电性能.当掺杂量为0.6时,样品的剩余极化达到最大值.样品的相变温度(tc)随掺杂量的增加而降低,当掺杂量大于0.6时,tc下降速率增大.随着N d含量的增加(x>0.6),样品的弛豫程度明显提高.N d掺杂降低了样品的氧空位浓度,提高了B IT样品的铁电性能.  相似文献   

18.
胡增顺 《开封大学学报》2010,24(4):87-89,96
基于朗道-德文希尔(Landau-Devonshire)平均场热力学理论,计算并阐述了在非对称的边界条件下外延生长的铁电存储材料BaTiO3薄膜的极化特性,特别研究了外推长度在薄膜由顺电相到铁电相的相变中所表现出来的重要作用,得出铁电薄膜的极化特性及其分布强烈地依赖于外推长度的取值,揭示了外推长度在铁电薄膜的铁电相变中的物理本质.  相似文献   

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