CdS晶体中载流子迁移率的测量

在室温下，我们测量了电场作用下ＣｄＳ晶体中光生载流子的电流特性，由此计算出电子的迁移率为４２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，空穴的迁移率为１．６×１０２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，激子在其寿命时间内移动约０．４ｍｍ．     

用光谱和电子顺磁共振测量值来确定顺磁离子在晶体中的局部结构(英文)

推导了３ｄ５离子在Ｏｈ对称强场图象下包括Ｔｒｅｅｓ和Ｒａｃａｈ修正的全晶体场和自旋－轨道作用矩阵，并将该矩阵应用于ＫＭｇＦ３：Ｍｎ２＋和ＫＺｎＦ３：Ｍｎ２＋．计算结果支持用吸收光谱和电子顺磁共振测量数据确定局部结构，也支持一个近似等价的ＳＣＦ－ＭＯ模型计算．另外，作为一种予测，由ＣｓＣａＦ３：Ｍｎ２＋的光谱算得电子顺磁共振参量为ａ＝４．４７×１０４ｃｍ－１．     

Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响

对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系,发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１,经退火后σｄ增加,在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

ZnO∶V~(3 )及CdS∶V~(3 )的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄｎ离子ｄ电子ｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥－ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ∶Ｖ３＋及ＣｄＳ∶Ｖ３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好     

RbCdF3：Cr^3^＋的EPR 参量和Cd^2^＋空位研究

本文采用叠加模型和对角化哈密顿矩阵的方法，研究了ＲｂＣｄＦ３：Ｃｒ３＋晶体的电子顺磁共振（ＥＰＲ）参量Ｄ与Ｃｒ３＋－Ｖｃｄ中心结构参量的关系，在此基础上分析并计算了Ｃｄ２＋空位和由它产生的晶格畸变的晶体场，发现Ｃｄ２＋空位的贡献不可忽略，同时，得出（０，０，１）方向的下向中心Ｃｒ３＋离子移动△≈０．０５Ａ。     

CdS—CdSt2同阳离子共沉淀粉晶的荧光光谱研究

本文在非水溶剂中制备了ＣｄＳ，ＣｄＳｔ２及ＣｄＳ－ＣｄＳｔ２同阳离子共沉淀粉晶，荧光光谱的研究结果表明，ＣｄＳｔ２在ＣｄＳ－ＣｄＳｔ２同阳离子共沉淀粉晶的形成过程中对ＣｄＳ粒子进行表面修饰，产生了新的界面结构。     

3－甲基－4－甲氧基－4’－硝基二苯乙烯的三阶非线性光学性质

在四氢呋喃溶液中测量了３－甲基－４－甲氧基－４’－硝基二苯乙烯（ＭＭＯＮＳ）的三阶非线性光学效应．发现其在１．０６μｍ处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率，并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数，χ（３）＝２．５２ｎｍ２／Ｖ２，与著名的ＰＩＳ同数量级．非线性光学响应时间小于５０ｐｓ，表明ＭＭＯＮＳ的非线性光学效应是由于分子中π－电子的极化引起的．此结果表明ＭＭＯＮＳ可能成为有价值的非线性光学材料．     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中,Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑,自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度,得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

高激发下CdS晶体中激发态的衰减

在室温下,我们用“泵浦-探测”方法对CdS单晶的光学非线性吸收的时间过程进行了实验研究。并用激子之间相互作用,激子与电子相互作用以及激子自发衰减三种导致激子浓度减小因素的模型对实验曲线进行了数学模拟,发现理论与实验曲线符合很好。文中给出了三种过程的时间常数及相应的权重。     

Photocatalytic activity of TiO<Subscript>2</Subscript> sensitized by CdS quantum dots under visible-light irradiation

In this paper, CdS quantum dots sensitized TiO2 composite powders (QD-CdS/TiO2) were synthesized by impregnating TiO2 powder into CdS sol with different concentrations. X-ray diffraction pattern (XRD) shows the crystal structures of CdS and TiO2 are cubic phase and anatase phase separately in QD- CdS/TiO2 powder samples; the crystal size of CdS in QD- CdS/TiO2 is about 3-7 nm, while TiO2 crystal size is about 20 nm. With increasing CdS content in QD-CdS/TiO2 composite, the UV-Vis absorption spectrum shifted to the longer wavelength lines, exhibiting obvious quantum size effect. The fluorescence intensity of QD-CdS/TiO2 irradiated by blue light is weaker than that of pure CdS. When the molar ratio of CdS and TiO2 is about 1∶2, the QD-CdS/TiO2 powder has the best catalytic properties under visible-light irradiation, and the degradation rate of rhodamine B (RhB) is up to 92.2% within 60 min.     

化学沉积法制备CdS纳米薄膜及成膜机理

分别以Cd(NO_{3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源, 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd^{２＋浓度、 沉积温度、 沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外 可见吸收谱和原子力显微镜结果表明, 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边, 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理, 给出了成核过程模型, 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果.}}     

射频磁控溅射制备CdS多晶薄膜及其性能研究

在室温和不同功率下,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.运用探针式台阶仪、x射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜(SEM)等仪器对制备的CdS薄膜进行了表征分析.主要研究讨论了溅射功率对薄膜性质的影响.结果表明:制备的CdS薄膜为立方相和六方相的混合晶相,沿着六方(002)、(004)方向和立方(111)、(222)方向有着明显的择优取向;随着功率的增加,薄膜的厚度增加,晶粒的尺寸增大,光学吸收边红移.通过优化实验参数,在室温、0.6Pa、30W、纯氩气气氛条件下可以制备出结晶性能良好的CdS薄膜,禁带宽度为2.36eV.     

真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究

用真空蒸发法制备了CdS薄膜,用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试.研究结果表明,不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相,CdS薄膜在(002)晶面有高度的择优取向;不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%;薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大;基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41 eV;在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量,结晶度提高,电阻率降低,晶粒尺寸增大;基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ω.cm.     

水玻璃相中制备纳米CdS及结构表征

室温下将Cd(NO3)2溶液滴加至水玻璃与Na2S混合溶液中，搅拌6h后经处理得CdS细粉。XRD检测表明它们的主要晶型趋于立方ZnS型，平均粒径为1.4-3.7nm，其颗粒尺寸受水玻璃浓度的控制；TEM检测显示CdS结晶颗粒包裹有非晶态CdS，其CdS粉体呈较好的分散性；光谱分析结果表明所制备纳米CdS的能隙约为3.1eV ,吸收光谱所产生的红移荧光现象可能与晶体CdS包裹有非晶CdS有关。     

CdS薄膜/p-Si异质结的制备及其光伏性能研究

采用喷雾热解法在p型单晶硅(Si)上制备了硫化镉(CdS)薄膜,分支结构的金属Au作为正电极、金属铟作为背电极构成CdS薄膜/Si异质结光电器件.采用X-射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对样品的晶体微结构及表面形貌进行表征,并通过紫外可见光谱研究CdS薄膜的光学吸收性能.最后,通过数字源表Keithley24...     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .     

LiNboO_3:Fe晶体中入射光光强分布对“扇形”光的影响

研究了LiNbO3：Fe晶体中入射光光强分布对“扇形”光的影响．结果证明,其影响很小．由此,可得出结论,LiNbO3：re晶体中的“扇形”光的种子光来源于晶体中的缺陷散射．     

Photocatalytic property of TiO2 sensitized by different crystal phase CdS

TiO2 samples sensitized by different crystal phase CdS(CT) are synthesized by hydrothermal process at different reaction temperature. The samples are characterized by X-ray diffraction(XRD), transmission electron microscopy(TEM), and UV-Vis diffuse reflectance(UV-Vis). The XRD result reveals that the crystal phase of CdS is transformed from cubic phase to hexagonal phase with the increase of hydrothermal reaction temperature(120-160 ℃). The absorption edge of CT is extended from 498 nm to 546 nm. The photocatalytic degradation of rhodamin B(RhB) in aqueous solution is used to evaluate the photocatalytic activity of CT. With the increase of the preparation temperature, the photocatalytic activity of CT becomes stronger. The degradation rate of RhB by CdS/TiO2 at 160 ℃(CT-160 ℃)reaches 78%.