离子注入吸杂技术中杂质的转移

研究了高剂量(7.5×10~(15))氩离子注入硅片背面的吸杂效应;吸杂效果由npn晶体管的漏电流,Iceo的降低得到证实;分别用SIMS及DLTS法测量吸杂前后杂质分布的变化。结果表明,Fe、Cr及Au等重金属杂质经吸杂处理后有效地从硅片正面的有源区转移到背面的损伤区,揭示了吸杂的实际过程。     

激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算

一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。     

硼扩散杂质分布研究

本文介绍了用阳极氧化和化学剥层技术测定硅中硼扩散杂质分布的方法．给出了几种不同扩散气氛下硼扩散杂质在硅中分布的实验曲线．并与高斯杂质分布函数做了比较．发现高斯理论杂质分布与实验结果有很大偏差．本文对产生这种偏差的物理机制做了较详细的讨论．     

利用SIMS分析研究离子注入损伤吸附杂质的作用

用（ＢＦ２）＾＋替代Ｂ＾＋注入,是一种重要的注入掺杂形成浅结的工艺手段。（ＢＦ２）＾＋注入也有不利的一面。剩余Ｆ原子的积聚以及大量二次缺陷的存在,都将影响ＰＮ结构的性能,利用离子束损伤技术可以有效地消除上述＋注入的不足之处。该文利用ＳＩＭＳ技术,测试分析经预注入低能（ＢＦ２）＾＋后,直接进行高温热温热退火的样品,以及预注入低能（ＢＦ２）＾＋后,直接进行高温热退火的样品,以及预注入低能（ＢＦ２）＾＋     

组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较

用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10~(13)～5×10~(15)ion/cm~2的N_2~ /As~ 组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2~ /As~ 组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.     

四探针测半导体材料杂质分布

设计一个新的近代物理实验题目,利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层,采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度,可得出半导体材料的杂质分布N(x）,实验设备简单,测量方便,结果准确,并提供了自制四探针测量仪的方法。     

12keV低能砷离子注入硅的损伤分布

测量了１２ｋｅＶ注入能量、８×１０￣（１４）～２×１０￣（１５）／ｃｍ￣２剂量砷离子注入硅的椭偏光谱，并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明，损伤分布呈现为平台型，体内不出现峰值，损伤深度为１２．５～１６．０ｎｍ，与背散射沟道技术测定结果相符合。     

采用肖特基二极管测量外延层杂质分布

气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意理层的反扩散、自身掺杂等影响引起     

工业硅中金属杂质分布及存在形式

选取工业硅锭不同位置的硅块做对比实验,对其中杂质特别是金属硬质杂质的形貌、分布、种类和含量做了详细研究,并对Fe、Al杂质的去除提出了湿法酸浸出的后续处理方案.     

采用肖特基二极管测量外延层杂质分布

气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意埋层的反扩散、自身掺杂等影响引起的外延层深度方向的杂质浓度分布。 目前,我厂采用的半经验的三探针法是利用点接触二极管击穿来测量外延层电阻率的。这一间接地决定杂质浓度的方法虽然是非破坏性的。但是,不准确,无法测量外延层较薄的片子,而且它测出的只…     

硅单晶的杂质分布和坩埚沾污率

对于原材料含有多种杂质,石英坩埚对熔硅有沾污,晶体截面和坩埚截面并非常数的情况,分析和计算了拉硅单晶时熔体中杂质浓度的变化和单晶中的杂质分布。理论上必须同时考虑多种杂质的污沾、蒸发和分凝过程。实验测定了硅单晶中电阻率分布,与理论相符合。利用这里提出的分析方法,可以确定出石英坩埚的沾污率,并可粗略估计单晶中各种杂质的分布情况以及原材料所合杂质的情况。并且利用复拉单晶的办法,试验了几种测定坩埚沾污率的方法。各种方法所测得的坩埚沾污率值相近,为(1.0—1.5)×10~(11)硼原子/秒·厘米,相应的石英坩埚硼合量约为10~(-6)克硼/克石英。     

直接标繪外延层杂质分布的方法

半导体材料中的杂质浓度分布,是半导体器件制造中必须知道的一个重要参数。对外延材料的最佳选用来说,也是不可缺少的。测量半导体杂质浓度,一般使用电容——电压法。但此法测量速度慢,分辩率和准确度较差。近年提出了一种新的方法——二次谐波法〔1,2,3〕。这种方法具有如下优点:简单、快速、分辩率高(只受德拜长度的限制)、且能直接得出结果。本文除了简单介绍谐波法原理外,着重介绍坐标轴标度的确定,从而定量地给出浓度随深度的变化关系。实验举出了砷化镓外延和硅外延两种试样的杂质浓度分布的测量结果,并与用C—V方法测量的结果进行比较,两者是一致的。     

单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

在考虑B，P，As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上，讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响，提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型，由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。     

用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布

与注磷相比,五价的砷元素作为施主杂质注入半导体材料硅中,具有许多独特的优点:(1)固溶度高;(2)投影射程小,可以得到较浅的p-n结;(3)有可能通过人为控制,使砷扩散后的浓度分布趋于对发射极有利的矩形分布;(4)引起的损伤较浅,只要适     

电子波导中单个杂质对电流分布的影响

微小器件内杂质原子的存在是影响电流分布的主要因素之一．本文研究了电子波导中单个杂质原子对电流分布的影响．基于薛定谔方程,得到了电子在准一维电子波导中单个杂质所在界面处的精确的相位相干电子输运图像．描绘了电流密度的分布图．发现杂质势为吸引势和排斥势时对电流密度分布的影响是不同的。在杂质势为吸引势时,在杂质原子周围产生了明显的涡流,并且涡流强度随杂质势的强度而变化,但在杂质势为排斥势时涡流并没有出现．涡流出现是量子相干散射造成的,并与衰减模式的存在有重要关系．本文还研究了波导宽度以及杂质原子的位置对电流分布的影响．     

间隙杂质及其分布对烧结钼脆性的影响

本文对粉末冶金烧结钼坯及钼板的断口作扫描电镜、俄歇电子能谱分析表明,间隙杂质氧、碳、氮等在晶界明显富集,是造成钼室温脆性的基本原因。试验还表明,钼坯的晶粒度、加工形变量以及退火制度等工艺参数对间隙杂质在晶界的浓度和分布有直接影响,因而导致钼板韧性的明显差异。研究结果为制订钼坯、韧性钼板加工工艺提供了试验依据。     

Mn对镁合金中杂质元素Si分布的影响

为了研究Mn元素对镁合金中杂质元素Si去除效果的影响,使用热力学与动力学模拟软件Pandat从理论上计算了最佳Mn添加量为2.5%(质量分数),通过静置保温工艺制备了Mg-2.5%Mn合金,采用X射线荧光光谱分析(XRF)、金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等检测了合金的成分、组织和物相等。研究结果表明:合金中的杂质元素Si与Mn形成密度较大的含Si、Mn的化合物,化合物在静置过程中沉降到合金底部,合金底部杂质Si的含量很高,质量分数达到0.074 1%,顶部杂质Si含量很少(质量分数为0.013 0%),中部几乎为0。Mn的添加可以有效地去除镁合金的杂质元素Si和Fe。     

多电荷Cr离子注入聚合物的微观结构和离子浓度分布

采用MEVVA源引出的Cr离子对聚酯（PET）薄膜进行了离子注入,引出的Cr离子具有多种电荷态,多种能量的Cr离子同时注入,其射程分布与单能离子注入的射程分布有明显的差别,借助于TRIM计算程序,采用多次叠加法得出了合理的计算结果,计算结果表明,由于多电荷叠架注入,Cr原子浓度分布出现3导结构,用散射RBS方法分析了Cr离子在PET中的剖面分布,所测量的Cr原子浓度分布形态与计算结果相近,但是所的分布比计算结果分布范围窄,相应位置上的原子浓度低,说明溅射效应对Cr原子浓度分布和注入到基体中的注量有明显的影响,计算结果与样品横截面电子显微镜观察相符合,这种结构对PET薄膜改性有重要的影响。     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

工业硅中杂质相的微观结构及分布规律研究

工业硅中杂质相成分及比例直接影响有机硅单体合成的活性与选择性. 因此,研究杂质相与杂质含量的对应关系尤为重要. 本文通过扫描电镜（SEM）和能量色散X射线光谱仪（EDX）对精炼前和精炼后工业硅中夹杂物微观结构及赋存状态进行了研究. 由于精炼前工业硅的Ca和Al含量较高,其杂质相主要以Si2Al2Ca、Si-Al-Ca和Si8Al6Fe4Ca等为主;而精炼后Fe为主要元素,故其析出相主要包括FeSi2(Al)、FeSi2Ti和Si8Al6Fe4Ca等. 此外,本文通过Image Pro Plus进行统计,得到精炼前硅中Si2Al2Ca和Si8Al6Fe4Ca相分别占夹杂物成分的48%和30%,而精炼后硅中FeSi2(Al)相占比68%,唯一含Ca相（Si8Al6Fe4Ca）仅占夹杂物含量的7%. 本文将精炼前和精炼后的工业硅中杂质相成分及比例进行比较,意为寻找硅中杂质含量对杂质相的影响规律,以制备最佳的下游有机硅用工业硅原料.