应用离子选择性电极进行溶液热力学研究（X）^＊—RbCl在（ …

应用Ｃｏｒｎｉｎｇ一价阳离子选择电极（Ｍ＾＋￣ＩＳＥ）和Ｏｒｉｏｎ氯离子选择性电极（Ｃｌ＾－￣ＩＳＥ）组成可逆电池,即Ｃｌ＾－￣ＩＳＥ／ＲｂＣｌ（ｍ）,Ｈ２Ｏ（１－ｘ）,ＤＭＦ（ｘ）／Ｍ＾＋￣ＩＳＥ 通过测定上述测量电池的标准电动势（Ｅｍ＾０／ｍＶ）,根据溶液热力学原理,运用扩展的Ｄｅｂｙｅ－Ｈｕｅｃｋｅｌ公式,计算求得了ＲｂＣｌ由Ｈ２Ｏ至（Ｈ２Ｏ￣ＤＭＦ）混合溶剂的标准迁移自由能（ΔＧｔ＾０／ｋ     

Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐照ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ￣２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ＿２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ￣（－１）～５１７ｃｍ￣（－１）、半峰高宽度为１０ｃｍ￣（－１）～１５ｃｍ￣（－１）；ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜经ＸｅＣｌ激光辐照或ＣＯ＿２激光退火后，都会增强晶化膜的吸收效率。     

用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT／SnO2（Sb）／SiO2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Ｒｓ为１００－２００Ω／ｃｍ＾２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＴＰ）。薄膜。ＴＰ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应。     

过氧12─杂多酸的组成与性质

成功地合成了两种新的杂多酸的过氧化合物，过氧１２─钼磷杂多酸具有如下组成比例：Ｐ：ＭＯ：Ｏ２－２＝１：１２：１０，符合于分子式：Ｈ３［ＰＭｏ１２Ｏ３０（Ｏ２）１０］ｘＨ２Ｏ（Ｉ）。过氧１２─钼硅杂多酸具有如下组成比例：Ｓｉ：Ｍｏ：Ｏ２－２＝１：１２：８，符合于分子式Ｈ４［ＳｉＭｏ１２Ｏ３２（Ｏ２）８］·ｘＨ２Ｏ（Ⅱ）。 所采取的方法是在非水介质中合成，在用通常采用的方法制备的油状的１２─杂多酸乙醚络合物中加进３０％Ｈ２Ｏ２溶液，颜色由杂多酸的黄色，逐渐转变成橙色的过氧杂多酸。用纯的乙醚洗涤化合物，并用通常方法分析新化合物的组成。 我们研究了它们的若干性质和红外吸收光谱。化合物（Ｉ）Ｍｏ－Ｏ－Ｍｏ伸缩振动频率在５００和７８０ｃｍ－１处。过氧链（－Ｏ－Ｏ－）＝吸收谱带的频率在９２０ｃｍ－１处、相当于（ＡｍＨ）Ｈ２［ＰＯ２（Ｍｏ２Ｏ７·４Ｏ）２·２Ａｍ］［１］的５９５，７２０与８８０ｃｍ－１。化合物（Ⅱ）Ｍｏ－Ｏ－Ｍｏ伸缩振动频率在５２０和７８０ｃｍ－１处。过氧链（－Ｏ－Ｏ－）＝吸收谱带的频率在１０９０ｃｍ－１处，则是首次发现的。     

高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

无限层薄膜（Sr,Ca）CuO2的相分析

采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）方法在４００￣６７０℃和７￣７０Ｐａ氧压下制备了（Ｓｒ,Ｃａ）ＣｕＯ２无限层薄膜。通过薄膜的Ｘ光衍射（ＸＲＤ）测量来进行薄膜的相分析。Ａ２ＣｕＯ３＋δ（Ａ代表Ｓｒ,Ｃａ）相在ＳｒＴｉＯ３,ＬａＡｌＯ３,ＣａＮｄＡｌＯ４和ＭｇＯ衬底上在４００￣６００℃极易生成,而无限层ＡＣｕＯ２＋δ相只能在高于４７０℃和相配的ＳｒＴｉＯ３和ＬａＡｌＯ３衬底上生成。在ＳｒＴｉＯ３衬底上当温度     

a－Si_（1－x）N_x：H光敏材料的研究

讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅（ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ）光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ＿２）与硅烷（ＳｉＨ＿４）气体的流量比例（即Ｖ＿（Ｎ２）／Ｖ）以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率ｐ＿Ｄ＞１０￣（１４）·ｃｍ，光、暗电导率比≥１０￣２，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ光敏薄膜材料。     

正交设计法用于Al－CAS－CTMAB体系显色条件的选择

本文利用正交理论，以Ａｌ－ＣＡＳ－ＣＴＭＡＢ为体系，对常用的单因素变化法所选择的最佳显色条件进行比较。结果表明，在采用正交设计法选择出的最优条件下，Ａｌ－ＣＡＳ－ＣＴＭＡＢ体系的摩尔吸光系数可达２．４×１０￣（－５）Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１），比常规单因素变化法提高２．４倍。     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

水溶性金属卟啉光敏化还原甲基紫精动力学──金属卟啉化合物光催化反应研究（Ⅰ）

用中－四（对二甲基丙磺基胺基）苯基卟啉作光敏剂，在电子给体三乙醇胺（ＴＥＯＡ）和电子受体甲基紫精（ＭＶＩ＿２）存在的情况下，研究了ＴＥＯＡ／ＭｅＴＰＳ／ＭＶ￣（２＋）／ＤＭＳＯ＋Ｈ＿２Ｏ（Ｖ／Ｖ＝８０：２０）体系的光敏化还原ＭＶ￣（２＋）动力学，并由动力学参数ａ，光诱导时间ｔ＿ｉ，初始反应速率υ＿０来衡量光敏剂的优劣。     

杂原子Zn—ZSM—5沸石分子筛合成及影响因素研究

以正丁胺为模板剂,水热法合成了Ｚｎ－ＺＳＭ－５,Ｚｎ－ＡｌＺＳＭ－５－沸石分子筛,以ＸＲＤ,ＩＲ,ＳＥＭ,吸附量等分析手段对合成的沸石进行了结构和物性表征,发现晶化温度,ｍ（Ｎａ２Ｏ）／ｍ（ＳｉＯ２）,ｍ（ＳｉＯ２）／ｍ（ＺｎＯ）和铝的加入等影响因素对Ｚｎ－ＺＳＭ－５的合成于关重要。     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

醋酸体系中 Mn(Ⅱ)在铂电极上的阳极氧化

采用稳态极化曲线和电势扫描方法探讨了醋酸－醋酐有机体系中Ｍｎ（Ⅲ）在铂电极上阳极氧化生成Ｍｎ（Ⅲ）的电化学动力学和电化学反应机理。结果表明，当Ｍｎ（Ⅲ）主要以Ｍｎ（ＯＡｃ）２形式存在时，Ｍｎ（ＯＡｃ）２在铂电极上阳极氧化生成Ｍｎ（ＯＡｃ）３；电化学反应的特点是低电流密度为电化学反应步骤所控制，而高电流密度为混合过程所控制。     

在二甲亚砜溶剂中氯化钼氧卟啉和超氧自由基反应动力学研究Ⅱ反应网络

本文研究了Ｍｏ￣ⅤＯ（ＴＰＰ）Ｃｌ与Ｏ＿２的反应机理。结果表明，在１：１体积比ＣＨ＿２Ｃｌ＿２－ＤＭＳＯ溶剂中，在１８－ｃｒｏｗｎ－６存在下，配合物Ｍｏ￣ⅤＯ（ＴＰＰ）Ｃｌ被Ｏ￣－＿２还原的反应通过一系列中间物，最后生成Ｍｏ￣ⅣＯ（ＴＰＰ）（１８－ｃｒｏｗｎ－６），本文给出了详细的反应动力学网络。     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

乙酸镍在载体上的反应

该文主要以色谱技术研究了负载型Ｎｉ（Ａｃ）＿２的热分解性能。结果表明，Ｎｉ（Ａｃ）＿２的分解过程取决于载体的性质。强酸性载体ＨＺＳＭ－５分子筛起催化分解作用，导致Ｎｉ（Ａｃ）＿２分解时在低温区出现ＣＨ＿４和ＣＯ＿２峰；ＭｇＯ与Ｎｉ（Ａｃ）＿２的配位作用致使Ｎｉ（Ａｃ）＿２有两个最佳分解温度，ＣＯ＿２，ＣＯ和Ｈ＿２相应地都出现两个峰；与ＭｇＯ和ＨＺＳＭ－５相比，ＳｉＯ＿２和γ－Ａ１＿２Ｏ＿３对Ｎｉ（ＡＣ）＿２热分解的影响不很明显。但ＳＯ＿２，γ－Ａ１＿２Ｏ＿３和ＨＺＳＭ－５有较强的甲烷化效应。     

铜基甲醇合成催化剂的EPR表征

用ＥＰＲ谱法对铜基甲醇合成催化剂作表征。结果表明：在少量Ａｌ￣（３＋）掺杂的ＺｎＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３体系可检测到ｇ＝１．９６０６±０．０００２，△Ｈｐｐ＝２．８Ｇ的顺磁信号，其强度随Ａｌ＿２Ｏ＿３掺杂量增加而增强，当Ａｌ／Ｚｎ～２／１００（原子比）时趋于峰值；而在三组份Ｃｕ－ＺｎＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３和四组份Ｃｕ－ＺｎＯ－Ａｌ＿２Ｏ＿３－Ｓｃ＿２Ｏ＿３催化剂体系中，此顺磁信号基本消失。以上结果为三价金属离子（Ａｌ￣（３＋）、Ｓｃ￣（３＋））在ＺｎＯ晶格掺杂诱生正一价缺位从而有利于Ｃｕ以＋１价态存在的观点，提供了新证据。     

斑叶竹节海棠的离体快速繁殖研究

本文报道了斑叶竹节海棠的离体快速繁殖实验及结果。以斑叶竹节海棠的叶片为外植体，在含有不同浓度配比的６－ＢＡ和ＮＡＡ的ＭＳ培养基上诱导生芽，其中以０．４ｍｇ／Ｌ６－ＢＡ和０．２ｍｇ／Ｌ ＮＡＡ的配比为最佳，生芽率达９４％。以此培养基为增殖培养基成苗。当苗长至３￣４ｃｍ时，切下苗在１／２ＭＳ或１／２ＭＳ＋０．１ｍｇ／Ｌ ＩＡＡ的培养基上生根，获得了再生植株并移载成活，成活率达９０％。在增殖和生根过程中     

准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜

采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。