Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究

本文对三种不同Al原子百分比的Al—Ge共蒸膜进行了透射电镜观察研究,实验表明:a—Ge的晶化行为敏感地依赖于共蒸膜中Al原子百分比及退火温度,分形结构的出现是由于温度场控制的随机逐次成核机制作用的结果。     

Al—Ge共蒸膜晶化过程的计算机模拟

本文对Al—Ge共蒸膜中分形晶化的过程进行了计算机模拟研究。结果表明:分形晶化过程中晶核长大效应明显影响分形体结构。在较高Ge原子百分比共蒸膜中晶化时释放出的较多的晶化潜热以及在较高的退火温度时具有的较高热激活能都促使晶核长大。     

非晶态Ni—S合金的晶化行为

以电沉积方法制备了非晶态Ｎｉ－Ｓ合金,用差示扫描量热（ＤＳＣ）和Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）方法是晶态Ｎｉ－Ｓ合金的晶化温度、晶化过程和晶体结构的转化等行为进行了研究。结果表明;镀层在３８０Ｋ有少量Ｎｉ发生晶化,在４４０Ｋ发生３Ｎｉ＋２Ｓ生成３Ｎｉ＋２５生成Ｎｉ２Ｓ２的反应和大量Ｎｉ的结晶;最终在镀层中形成了热稳定性较高的Ｎｉ＋Ｎｉ３Ｓ２混晶结构。     

铁基非晶态合金晶化过程激活能的测定

阐述了Ｏｚａｗａ图法和Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ图法在测定铁基非晶态合金晶化过程激活能方面的应用，在满足不同加速率下的晶化温度所对应的晶化程度相同的前提下，用Ｏｚａｗａ图法和Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ图法测出的非晶态Ｆｅ７９Ｂ１６Ｓｉ５合金预晶化相α－Ｆｅ析出阶段的激自觉自愿能分别为３８２～４０７Ｋｊ／ｍｏｌ（Ｏｚａｗ图法）和３７４～３３９Ｋｊ／ｍｏｌ（Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ图法）测定结果十分接近，说明上述２种方法测     

Co基非晶的形成和晶化

非晶态合金是一类介于晶态和无定型物质之间的特殊材料,在结构上表现为短程有序而长程无序。非晶态合金是新型功能材料研究的热点之一。采用从熔体直接快淬的方法可以生产出一系列非晶态金属材料。由于非晶合金在微观结构上呈现高度无序的玻璃态,因此具有许多不同于普通金属的性能。本文主要研究了Co基非晶态合金的形成和晶化。通过改变甩带速率,考察了冷却速率与非晶形成的关系。对淬态的Co69Fe4.5 Cu1.5Si10B15合金进行了不同温度的真空热处理,并对样品结构进行了分析,得出随退火温度的升高晶粒逐渐长大的结论。     

非晶硅低温退火固相晶化的研究

从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。     

Ni—Si—B系非晶合金的结晶度与退火时间的关系

对Ｎｉ６４Ｓｉ１５Ｂ２１非晶合金条带在２５０℃不同退火时间下的结晶度进行了测定。得到了结晶与度火保温时间呈抛物线关系的实验规律。     

非晶合金激波晶化的微观动力学机制

从非晶的有序原子集团和位错模型出发，利用位错动力学讨论了在激波作用下，非昌合金晶化为纳米晶的过程，激波与ｃｌｕｓｔｅ周围局域应力场的相互作用，使ｃｌｕｓｔｅｒ旋转，类液区ｃｈｕｓｔｅｒ、类晶ｃｌｕｓｔｅｒ切变沉积到有序原子集团，在μｓ内形成微晶。理论结果与实验值符合很好。     

激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响

采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响.     

非晶晶化法制备纳米晶Fe78B13Si9合金

在非晶Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９合金的结晶动力学分析的基础上，选择不同的退火工艺对其进行晶化处理，以制备纳米晶合金。对退处理后的Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９合金的结构和微观组织进行了Ｘ射线衍射和电子显微分析。     

铁基非晶软磁合金及其晶化

用差热分析,Ｘ射线衍射,冲击法等方法研究了铁基非晶Ｆｅ７２．５,Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ２ＳＩ１３．５Ｂ９合金及其经不同温度退火处理后材料的结构和磁性。结果表明,合金经３５０℃退火,结构短程有序范围扩大,材料磁化比非晶合金容易;经５２０－５６０℃退火,α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶粒析出,得到微晶结构并具有优良的软磁性能,例如相对初始磁导率μｉ≥４．７×１０＾４,矫顽力Ｈｃ≤１．４Ａ／ｍ;在６２０℃以上退火,第二相Ｆｅ     

关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.     

Co—Si合金膜的结构和磁光克尔效应

用射频磁控溅射在衬底温度（Ｔｓ）为 ４００℃和室温（ＲＴ）两种情形制备了Ｃｏ１－ｘＳｉｘ（０．０≤Ｘ≤０．３４）合金膜．Ｘ射线衍射结果表明在这些合金膜中出现了不同程度的ｈｃｐ（００２）取向．在室温下沉积的薄膜中，仅在ｘ＝０．０时有明显的ｈｃｐ（００２）取向．在４００℃下沉积的薄膜中，随着硅含量ｘ的增加，ｈｃｐ（００２）取向先是增强，继而在Ｘ＝０．３４时消失．相应与此的４００℃下沉积的薄膜的θｋ（Ｈ）、（Ｍ（Ｈ））回线在ｘ＝０．２３时出现了磁滞现象（Ｈｃ≈６４ｋＡ／ｍ），并且有大约２０％的比剩余克尔旋转（比剩余磁化强度）．同时，当Ｘ≤０．２３，硅的加入使得钻硅合金的克尔旋转在蓝光及近紫外区相比于纯钻来说有所加强，其值约为－０．３°～－０．４°．     

多循环快速热退火诱导普通玻璃衬底非晶硅薄膜晶化

介绍一种使用快速热退火设备,经多次循环退火诱导,在普通玻璃衬底上生长非晶硅薄膜晶化的实验方法.利用拉曼（Raman）光谱、原子力显微镜（atomic force microscope,AFM）、紫外可见分光光度计（UV-VISspectrophotometer）和霍尔（Hall）测试系统对薄膜的结构、形貌及电子迁移率进行测试.结果表明,当退火温度达到680℃时,薄膜开始出现晶化现象;随着快速热退火次数的增加,拉曼光谱在500 cm^-1处测得多晶硅特征峰;在循环退火5次后,其最佳晶化率达到71.9%,光学带隙下降,晶粒增大,载流子迁移率提高.     

Ti_(62)Zr_(17)Cu_6Ni_(15)合金晶化实验分析

对Ti6 2 Zr1 7Cu6 Ni1 5非晶合金原始样品进行了退火晶化处理和激波晶化处理 ,对样品作了XRD分析并重点对样品进行了差示扫描量热分析 (DSC)以及动力学分析 .看到了许多有趣的现象并得到了一些有价值的动力学参数     

高功率准分子激光沉积类金刚石膜的热稳定性

在不同温度下(200~ 800 ℃) 将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验. 利用Raman和XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化. 结果表明, 类金刚石膜是由少量的sp² C键和大量的sp³ C键组成的非晶态碳膜. 在退火温度小于600 ℃范围内, 类金刚石膜的热稳 定性较好； 退火温度高于600 ℃时, 类金刚石膜中的sp³ C键逐渐向sp ² C键转变, 当退火温度升到800 ℃时, 类金刚石膜中sp³ C键含量由 退火前的大约70%下降到40%. 可见, 高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势.     

在不同退火温度下射频磁控溅射CNx膜的电子场发射性质

对磁控溅射沉积得到的CN_x膜在不同温度下进行真空退火, 退火前后CN_x膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征. 结果发现, 沉积的CN_x膜中氮原子与sp, sp², sp³杂化碳原子相键合, 并对经过退火的CN_x膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.     

衬底温度对NiTi薄膜晶化温度的影响

采用直流磁控溅射方法, 制备出沉积在不同温度衬底上 的NiTi薄膜. 应用X射线衍射、 小角X射线散射和差热扫描量热法研究了两种衬底温度(室温和573 K)溅射的NiTi合金薄膜晶化温度和在763 K退火1 h的晶化程度.