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寻找新型的电极修饰材料,制备和研究具有独特性能、稳定性良好的聚合物薄膜修饰电极是化学修饰电极研究的重要方向。最近出现的以Nafion离子交换型聚合物薄膜作为电活性物载体的化学修饰电极引起了人们很大的兴趣。Nafion是一种全氟磺酸高聚物,在其内部可分为憎水性畴,即类似于聚四氟乙烯的氟碳骨架畴及亲水性畴,即离子化的磺酸基,它就 相似文献
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近年来,采用“LB”膜和分子自组装技术在电极表面形成的高度有序的单分子层化学修饰电极,由于能在电极表面建立特定的化学微结构而引起人们的关注.用饱和烷烃巯基化合物通过Au-S键在电极表面形成稳定、高度有序的自组装单分子层已有不少报道.本文研究了不饱和巯基化合物硫酚(TP)在金电极表面自组装形成的单分子层修饰电极(Au/TP)的电化学特性;循环伏安和交流阻抗的研究表明Au/TP表现出和阵列微电极相似的电化学特性;探讨了Au/TP电极在复杂电极反应机理的研究及快速电极反应速率常数的测定等方面的应用. 相似文献
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高效毛细管电泳(High performance capillary electrophoresis缩写HPCE)是一种高效、快速分离复杂混合物的强有力工具.毛细管电泳电化学检测(Capillary electrophoresiselectrochemistry缩写CEEC)在HPCE中是一个极有前途的研究领域.安培检测由于灵敏度高,死体积小,成本低,而受到极大关注.把化学修饰电极(Chemically modified electrode缩写CME)用于CEEC的报道很少.本文介绍了一种新颖的方法将铂修饰到碳纤维电极上,并用于CEEC中检测肼.肼是一类比较难氧化的化合物,在普通固体电极上过电位很高,不适于电化学检测.我们做的修饰电极,对肼不仅有很好的催化活性,而且有很好的稳定性. 相似文献
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一种新型的化学修饰电极电位传感器 总被引:3,自引:0,他引:3
近年来,在电化学领域中化学修饰电极是新发展的方向。化学修饰电极在电催化、电合成、光敏作用以及电致生色等方面所呈现出的特性,预示了潜在的应用前景,已引起人们的注意,目前已开始探索化学修饰电极在多方面应用的可能性。已报道了酚、苯胺类化合物电聚合膜修饰电极具有电位传感效应。 相似文献
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化学修饰电极的电色效应,即在外加电信号下通过电化学反应可交递地呈现不同颜色的现象。它在电色显示方面应用的前景吸引了人们的浓厚兴趣。本文首次报道一种新的具有良好电色效应的化学修饰电极——六氰亚铁钒(VHF),组成为KV~(3+)Fe~Ⅱ(CN)_0的薄膜。VHF是混合价态无机盐普鲁士蓝(PB)的一种类似物。在组成及化学性质方面与PB很类似。 相似文献
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直流溅射法制备电致变色NiO_x膜 总被引:1,自引:0,他引:1
材料在外电场或电流的作用下,发生可逆的色彩变化叫电致变色(Electrochromic)现象.电致变色材料在大面积显示、调光囱户(Smart window)以及信息的(彩色的和连续的)贮存等领域,有很好的应用前景.目前研究的重点是若干过渡金属氧化物及其水合物的电化学变色性(Electrochemichromism),其工作模式是:将这些材料制成覆盖在导电(透明)衬底上的薄膜,并成为电池的一个电极,给电极施加电压后,薄膜两侧同时分别注入(或抽取)电子和离 相似文献
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Pd/a-Ge双层膜中金属诱导晶化引起的分形 总被引:3,自引:0,他引:3
目前,分形的研究已成为国内外普遍关注的问题.对于金属/半导体二元薄膜体系,在金属诱导非晶半导体晶化的过程中,常常出现雪花状的分形结构.见诸文献的有关报道,多为没有化合物生成的金属、半导体共晶系统,例如Au/a-Ge(Si),Ag/a-Ge(Si)和Al/a-Ge(Si)等等.对于有化合物生成的金属/半导体薄膜体系,这种研究报道很少.段建中等曾在Pd/a-Si中发现了分形,分形出现的同时有多种硅化物产生.对于分形形成的机制,已建立了若干模型,其中扩散限制聚集(DLA)模型是很成功的,但DLA模型难以解释金属/半导体二元薄膜体系中分形的成因.吴自勤教授等根据薄膜体系中分形晶化的微观结构观测,提出了由温度场控制的随机逐次成核(RSN)模型,在解释薄膜的分形晶化时十分令人满意.为 相似文献
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导电织物因在智能服装、电极材料和柔性传感器等领域具有广泛的应用而备受关注.本研究采用多酚修饰法,利用单宁酸改性和化学镀银相结合的方法,制备了高导电的涤纶镀银织物(方阻为9.28 mΩ/□).与传统的织物镀银工艺相比,该方法省去了敏化活化等步骤,具有工艺简单、节省成本和导电性能优异等特点.以高导电镀银织物作为电致变色器件的阴极,喷涂聚苯胺的ITO-PET薄膜为阳极组成电致变色织物器件,该聚苯胺电致变色织物器件具有丰富的色彩变化(黄绿色-深绿色-蓝黑色)、优异的循环稳定性(伏安循环3000次)、较低的变色电压(–0.8 V/1.8 V)和较快的变色速度(4.3 s/6.4 s)以及柔性轻质的特点,可广泛应用于军事伪装服、野外考察服、布型显示器以及民用时尚变色服装等领域. 相似文献
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采用白磷还原法制备了磷修饰的金纳米粒子(Au-PNPs),Au-PNPs的粒径能够通过改变氯金酸与白磷的投料摩尔比进行有效调控.采用X-射线粉末衍射光谱(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和透射电子显微镜(TEM)和电化学测试来表征Au-PNPs的形貌、结构和表面组成.循环伏安测试表明,在pH7.4的磷酸缓冲溶液中,Au-PNPs修饰电极对葡萄糖电化学氧化有良好的催化性能.通过与柠檬酸钠还原法制得的金纳米粒子(Au-CitNPs)的电化学性质比较,发现Au-PNPs对葡萄糖的电催化氧化具有优良的稳定性.基于此Au-PNPs修饰电极的葡萄糖无酶电化学传感器对于葡萄糖检测具有宽的线性检测范围(9.0×10-6~1.8×10-2mol/L)和低的检出限(5.0×10-6mol/L). 相似文献
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钯锗薄膜中分形结构的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动材料科学研究的深入.本文利用透射电子显微镜(TEM)首次系统地对由化合物(PdGe和Pd_2Ge等)生成的把锗薄膜体系中分形结构进行了研究.有关钯锗薄膜体系中的分形结构还未见文献报道. 相似文献
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脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。 相似文献
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介绍了染料敏化太阳能电池的制备过程, 深入探讨了二氧化钛薄膜厚度、四氯化钛处理电极及添加大粒子散射层对电池效率的影响. 研究结果表明, 在一定范围内增加TiO2电极的厚度可以显著提高电池效率, 但当电极过厚时, 薄膜中的缺陷态增加, 降低了电子的传输效率, 导致光电流下降, 电池效率降低; 四氯化钛处理电极增强了基底导电面与薄膜界面以及二氧化钛粒子间的电接触, 加快电子传输使光电流增强; 引入散射层, 提高了电池在长波段的光捕获效率, 从而提高了电池的效率. 相似文献
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肼是较难氧化的物质,在酸性溶液中,在碳电极上电化学检测要求检测电位正于1.0V.用董绍俊等报道的方法,我们在750℃下对四苯基钴卟啉修饰玻碳电极热处理1h,制得修饰电极(简称HCME).首次发现这种HCME在酸性溶液中对肼具有良好的电催化氧化作用和极高的催化稳定性. 循环伏安实验发现,在pH2.5的磷酸缓 相似文献
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TiO2纳米管薄膜的制备及其光散射性能 总被引:5,自引:2,他引:5
采用超声水热联合的方法, 用商品P25为原料制备出直径10 nm, 长600 nm的TiO2纳米管, 通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子衍射(SAED)和透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征. 用TiO2纳米管制作薄膜电极并研究其光散射性能, 结果表明TiO2纳米管可以作为染料敏化太阳能电池中薄膜工作电极内的光散射中心, 增大光能的吸收. 掺有10%小颗粒的纳米管薄膜电极具有强的光散射性能和良好的机械性能, 可用做高效率染料敏化太阳能电池的工作电极. 相似文献
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一、引言 钙钛矿型(ABO_3)化合物由于它们具有十分有用的介电的和磁的性质而受到人们广泛的注意。 关于SrFeO_y的穆斯堡尔谱曾有报道,但对Sr(Fe_(1-x)Ti_x)O_y系列材料的穆斯堡尔谱学研究的报道迄今尚未见到。 相似文献
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四氮杂对环仿(Tetraazaparacyclophane)是人工模拟酶研究中发现的一类新化合物,对这一类化合物的修饰,例如改变环的形状和大小或引入具有活性的基团,就有可能产生理想的酶模型.本文以1,8,22.29-四氮杂[8.1.8.1]对环仿(CP66)为原料,合成得到了4种未见文献报道的四取代四氮杂对环 相似文献
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喹啉酮-(2)和它的衍生物广泛用于生麦素、抗菌素、杀虫剂和荧光材料等,近年来,虽然它的各种光化学性质包括光二聚、光加成等已见报道,但很少注意卤代喹啉酮的光化学研究,我们曾报道过卤代芳香化合物同杂环类、取代苯类和稠环化合物的光偶合反应,这里我们发表的在喹啉酮-(2)3位上通过卤代喹啉酮-(2)的光偶合反应,直接引入芳香基团合成3-芳香喹啉酮-(2)的光化学方法。 相似文献
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热处理工艺对KTa0.65Nb0.35O3薄膜结晶学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
钽铌酸钾(KTa_(1-x)Nb_xO_3,简称KTN),铁电与顺电相变温度(T_c)可通过改变钽铌比调节,将T_c调节到近室温附近,其晶体具有良好的热释电、电光和非线性光学性质,可用于热释电探测器、电光调制器、电光偏转器、全息存贮等,其薄膜可用于光电子器件和集成光学器件中.当x=0.35时,KTN在无机材料中具有最大的二次电光系数.我们用Sol-Gel法制备了其沿(100)、(111)取向生长的薄膜.薄膜的结晶学性能对薄膜的电学、光学和电光性能有很大的影响,如焦绿石结构相的存在,使KTN薄膜失去铁电性.另外,薄膜的Curie温度(T_c)升高,介电温谱峰竞化,剩余极化强度降低,电滞回线变窄等,不仅与尺寸效应、衬底对薄膜的应力有关,而且与薄膜的结晶学性能有关.本文研究了热处理工艺对薄膜的结晶学性能的影响. 相似文献