蹼状晶体反外延及低频大功率晶体管的试制

前言 我们于1971年开始进行蹼状晶体拉制的准备和研究工作,几年来取得了一些进展,已能拉制出长2.3米、宽22毫米、电阻率4～6欧姆厘米的蹼状晶体,初步满足了器件制作的要求。根据目前国内外的情况,蹼状晶体主要应用于制造太阳能电池、高伏稳压管和高反     

大功率晶体管管壳的温度分布

本文提出大功率晶体管管壳热状态的数学模型,求解后得出其温度分布计算公式、热流量计算公式和热阻计算公式,供热设计和热应力分析使用。     

辐射损伤的半导体元器件的电子束退火

常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验方法本实验所采用的样品有CMOS电路,双极型晶体管.CMOS电路是国产CO36电路,其中有Al_2O_3膜,Si_3N_4膜、SiO_2膜钝化的CO36电路和没有钝化的CO36电路;双极型晶体管是经Al_2O_3膜钝化具有一定核加固能力的PNP型小功率管3CK_2和3CG型晶体管.     

低频大功率Janus-Helmholtz换能器的设计

阐述了Janus-Helmholtz换能器宽带工作的机理,运用有限元软件ANSYS对JanusHelmholtz换能器的结构参数进行优化设计,研究了腔体结构尺寸对工作带宽等电声参数的影响规律.设计制作了一个工作带宽为500~2 000Hz的试验样机.水池测试结果显示,仿真结果和实验结果基本相符.验证了有限元仿真结果的正确性,表明有限元方法是研究液腔振动和设计宽带Helmholtz换能器的可信手段.     

蓄电池测试装置中大功率晶体管散热的研究

在介绍蓄电池测试装置主电路的基础上，设计出水冷散热及强迫风冷散热器，并对两种散热效果进行了分析与比较。     

对大功率晶体管斩波调速控制电路的研究

本文阐述了大功率晶体管斩波调速的原理及调速过程.重点分析控制电路的组成、特点及工作原理.     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

晶体管低频放大器的小信号条件

在模拟电子技术中，常遇到低频小信号放大器，但各种有关书籍都未给出小信号的具体量值，造成学生在做有关实验时，盲目地给放大器输入信号而导致得出错误的结论。因此，本文将从工程的观点出发定量地推导出放大器的小信号条件。     

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究林茂清（原子核科学技术研究所）随着空间技术和核技术的发展，半导体器件的核加固已取得不少成果．在制造工艺中加固的晶体管抗辐射平均水平有了较大提高．然而，由于材料和工艺的复杂性，即使用同一材料同时加固的同批晶体管，...     

大功率低频和超低频放大器实现途径及特点

在经济以及科技都取得巨大进步的当今社会,低频的放大器以及超低频的放大器也逐渐在功率方面有着显著提升的要求。在20世纪的五六十年代,对放大器的需求仅仅在几十千瓦,而随着经济以及科技的持续发展,当今时代对放大器的需求已经达到了几兆瓦,这样的低频、超低频的大功率放大器在当今的高频加热领域、导航领域以及军事领域都得到了极其广泛的应用。本文就是对低频、超低频放大器的实现途径以及特点进行的分析。     

大功率晶体管材料参数计算与分析

为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。分析方法通过实验验证,具有较好的实用性。     

功率场效应晶体管的低频噪声检测方法

针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性,设计了低频噪声测试的偏置电路并建立了一套低频噪声测试系统。提出了一种基于小波熵的低频噪声检测方法,解决了所测低频噪声容易被测试系统白噪声淹没而造成低频噪声检测准确性低的弊端。通过仿真,验证了小波熵检测方法可以有效检测低频噪声。     

一种大功率晶体管的快速保护方法及其响应时间研究

分析了实现大功率晶体管（ＧＴＲ）快速保护的途径，提出了一种 ＧＴＲ的快速保护电路，尤其对检测电路作了详细的讨论。对不同情况下出现的过流故障进行了模拟试验，并对保护电路的响应时间进行了测量。这种快速保护电路具有响应快、结构简单、调试方便等众多优点。     

低频大功率晶体三极管的功耗限制电路

随着半导体技术的发展,晶休三极管的最大耗散功率也在不断提高。上千瓦,上百安的管子已经问世。使用大功率晶体管制作的设备功率可以高达几十千瓦,甚至更高。但是,大功率晶体管比起电子管来最大的弱点就是极易损坏。损坏的原因大致有如下几点:一、过电压击穿,特别是二次击穿;二、过电流热击穿;三、过功耗损坏。在通常的电路中多采用过压和过流的方式来对晶体管进行保护,这些方法都是行之有效的;但有时在使用中也经常发生电路中的电流和电压都没有超过管子的额定值而管子却损坏     

双极晶体管中子辐照后的高温退火特性

利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的重复性。在快中子脉冲堆上对贴片型3DG121C双极晶体管进行三轮中子辐照,每轮辐照累计注量2.64×10~(13)cm~(-2)。经过第一轮中子辐照后,双极晶体管直流增益下降至辐照前的40%,经过180℃连续24 h的高温退火后,直流增益恢复至辐照前的67%;经过第二轮辐照后,直流增益下降至第二轮辐照前的50%,在相同条件下退火后,直流增益恢复至第二轮辐照前的73%;经过第三轮辐照后,直流增益下降至第三轮辐照前的58%,在相同条件下退火后,其直流增益恢复至第三轮辐照前的87%。三轮实验结果表明:双极晶体管直流增益倒数随辐照中子注量变化的线性关系基本一致,具体表现为其损伤常数具有很好的重复性。利用该高温退火特性,将双极晶体管作为中子注量探测器应用于快中子脉冲堆中子注量在线监测,监测结果与活化箔结果基本吻合。     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

自制NPN高频大功率晶体管中间测量仪

一、概述 本仪器是根据北京电子管厂设计的“NPN高频大功率晶体管（4S1～4S11系列）中间测试台”线路图按我们生产上的需要改制而成,属于生产线上的专用仪器,适用于高频大功率管3DA1～3DA29系列的中间测试和成品测试。本仪器可用作直流测试（由仪器的电表读出参数）和脉冲测试（用示波器显示特性曲线）两类,包括晶体管的反向截止电流、反向击穿电压、共发射极电流放大系数等项参数。 仪器中供测试晶体管用的偏置电源输出电压是半调整的,按产品的测试规范调好,由七个微动按钮开关根据各种不同的测试项目通过继电器连接被测晶体管（或管芯）;因此,它适应生产过程中中间测试需要简捷方便的要求。     

微机控制大功率晶体管斩波调速系统

国内采用晶闸管(SCR)斩波调速技术已有二十余年历史,并取得了可喜的成果,但由于SCR本身的特点使其发展受到限制,近年来国内外大功率晶体三极管(GTR)器件发展很快,所以将大功率晶体管引用于斩波调速系统,必将促进这一技术的发展.本文对GTR斩波器的基本原理加以叙述,设计了实用的GTR驱动电路以及GTR斩波调速系统的软、硬件,并对整个系统进行了实验,达到了满意的效果.     

微机控制大功率晶体管脉宽调制直流调速系统

本文介绍一种采用TR—801单板机,配合大功率晶体管(GTR)构成的斩波器,对直流电动机实现斩波控制的直流调速系统,给出了系统的硬件电路图和软件流程图,并给出了实验结果。