Bi2O3—ZnO—Nb2O5三元系统中焦绿石结构及相变

文章研究了ＢｉＯ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）三元系统中的焦绿石绘声绘色与相变。用Ｘ－射线衍射技术分析了研究样品的相结构及相组成，发现了两种焦绿石晶相及其复相结构。且随着Ｘ值的增加，晶体结构从焦绿石立方相向焦绿石单斜相逐渐过渡；焙烧温度的升高和保温时间的延长有利于焦绿石立方相的形成。     

Bi2O3-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响 ,锐钛型TiO2 的掺杂可优化温度系数 ,得到介电性能优异的BZN陶瓷 .     

A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.     

工艺对SrTiO3—MgTiO3—Bi2O3·nTiO2系陶瓷结构和性能的影响

研究了ＳｒＴｉＯ３－ＭｇＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响．研究表明，采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大．以ＳｒＴｉＯ３、碱式碳酸镁、ＴｉＯ２为初始原料以及经过预先合成烧块的工艺，有利于Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，促进Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２在ＳｒＴｉＯ３中的固溶，并可获得充分烧结的、电性能优异的高介低损耗瓷料     

MgTiO3对SrTiO3—Bi2O3·nTiO2系统的微观结构和介电性能的影响

研究了加入ＭｇＴｉＯ３的ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系统的结构和性能的变化规律．研究表明，随ＭｇＴｉＯ３量增加，材料的相组成、晶格常数和性能均发生变化．加入的Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，使Ｂｉ３＋的固溶极限显著提高，产生强烈的移峰作用和展宽作用，大大改善了材料的温度特性     

ZnO—Cr2O3系湿敏陶瓷感湿机理的探讨

在研究ZnO—Cr_2O_3系显敏陶瓷的制备和特性测试中,根据陶瓷的温度和湿敏特性,提出一个感湿反应动力学机理模型。所得结果与实验相符,说明了吸—脱湿的感湿规律。     

SiO2-Al2O3-ZnO-SrO-La2O3系微晶玻璃性能的研究

SiO2-Al2O3-ZnO-SrO-La2O3为基本成分制备了微晶玻璃样品,在750℃下不同时间热处理。用微波微扰法测量其微波介电性能,结合扫描电镜和X射线衍射分析了其晶相。结果表明,随保温时间的延长,样品的主晶相经历了SrZrSi2O7→SrAl2Si2O8→新玻璃相La2ZrTiO7的变化。SrAl2Si2O8相是亚稳过渡相。反应生成的新玻璃相La2ZrTiO7的Q值高达1800,温度系数约为＋500×10^-6／℃。     

ZnO—Cr_2O_3系陶瓷的NTC热敏特性考察

本文研究了ZnO-Cr_2O_3系陶瓷的制备工艺,粉末压片电导行为.证实其电导或电阻与温度有Arrheuius线性关系.该系陶瓷具有NTC热敏电阻特性,热敏电阻常数(3.1—9.5)×10~3,是一类稳定、灵敏的中温到热敏陶瓷.     

PS_bN-PZN-PZT四元系高介电常数压电陶瓷材料研究

本文从生产实用化的角度出发,对PSbN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料组成与性能的关系进行了研究。通过Nb2O5、Sb2O3等氧化物适当地掺杂改性以及用Sr、Ba等元素对部分Pb的置换,常温极化即可获得3ε3/0ε=5200、d33=820 pC/N、Kp=0.78的高性能和高致密度的压电陶瓷材料,是目前用于制作小体积大容量的各类高档压电电声器件的良好材料。     

PZN-PFN基复相陶瓷的制备及介电性能研究

用混合烧结法制备了两相共存的PZN—PFN复相陶瓷，分析了实现两相共存的原因。研究了复相陶瓷的介电性能及其温度稳定性，也详细研究了烧结温度和保温时间对复相陶瓷介电性能及其温度稳定性的影响。     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷研究进展

综述了固有烧结温度低的微波介质陶瓷的研究进展,对不同材料体系的微波介质陶瓷结构、介电性能进行了详尽讨论,指出了今后微波介质陶瓷发展方向.     

高阶变系数非线性常微分方程组的常系数线性化

给出了几类高阶变系数非线性常微分方程组,借助 Leibniz 公式的求导法则及变换组法,或再用自变量变换法,将其化为变系数线性方程组,然后化为常系数线性方程组,最后应用已知的方法,便可求出方程组的解的表达式,从而论证了方程组的可积性。所得结论是相应文献结果的推广。     

气体相对介电常数εr的测量

气体的相对介电常数εr在理工科大学的教材中都要讨论,但相应的实验较少,并且实验教学效果不佳。文章提出一种对气体的相对介电常数εr进行测量的实验方法,并对其测量原理作了讨论,该方法实验装置简单,测量结果有一定精度,可以作为学生的选修实验,实验教学效果较好。     

关于金属介电常数的讨论

考虑金属中的电子位移极化,利用谐振束缚电子模型,导出了金属中相对介电常数的表达式,并讨论低频极限和高频极限两种重要的特殊情况,对关于金属介电常数的一些说法作出了解释,从而对金属介电常数有了更为全面的理解。     

变系数微分方程的常系数化条件

不同于解具有e∫φ(z)dz形式的待定函数法,由引理1给出了n阶变系数微分方程具体的因变量代换形式,从而给出n阶变系数微分方程常系数化的充要条件并加以详细证明,由此得到二阶、三阶变系数线性微分方程常系数化的充要条件,同时指出三阶变系数微分方程在具体应用中令a1=0的简便性.对二阶变系数非线性微分方程的常系数化给出两个使其可积的条件,并举例论证.     

BCZT-KNN无铅压电陶瓷的制备及其介电性能研究

采用固相合成法制备了(Na0.5K0.5)NbO3(KNN)掺杂的(Ba0.92Ca0.08)(Ti0.95Zr0.05)O3(BCZT)陶瓷.研究了KNN掺杂量对BCZT物相结构、晶粒生长和介电性能的影响.XRD结果表明BCZT-xKNN陶瓷可形成单一钙钛矿结构的固溶体,Nb5+离子取代Ti4+位,Na+,K+取代Ba2+位,并在晶界处发生偏析,从而使得烧结温度降低,介温峰变宽.KNN固容量的增加直接影响陶瓷微观结构、晶粒尺寸和介电性能,并且在KNN固容量为4%时陶瓷具有明显弛豫现象和最大介电常数(’ε=6 000).     

烧结温度和升温速率对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相法制备BaTiO₃陶瓷,研究了烧结温度和烧结升温速率对陶瓷试样晶体结构、微观形貌、介电性能的影响。实验表明,所制陶瓷均为四方相钙钛矿晶格结构。烧结温度低会造成较多点缺陷,随烧结温度的增大,晶体均匀度和致密性有效提高,晶粒尺寸增大有助于促进畴壁运动,介电性能有所提升。烧结升温速率过慢同样会造成点缺陷浓度增多,且有液相生成,气孔较多,气孔含量高会降低介电性能的稳定性、减小介电常数、增大介电损耗;提高升温速率同样有助于提高晶粒尺寸、均匀度和致密性,当晶粒尺寸到达单畴晶粒尺寸附近时,内应力为0,90°铁电畴贡献高介电常数;但过快的升温速率会出现“过烧现象”,致使介电性能下降。当以5℃/min的烧结升温速率升温至1 275℃时,介电常数最大,介电损耗最小,其值分别为ε=2 374,tanδ=0.023 18。