Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y固溶体

用X射线衍射及氧含量分析法测定了Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y固溶区域为0≤x≤0.4。当x<0.25时,Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y属正交晶系;x=0.25时,发生从正交到四方的相变;在整个固溶区域内,T_c随x的增加而下降,直至淬灭。同时探讨了Sm_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_y化合物在不同的淬火温度、氧含量与晶体结构、超导电性的关系。     

（Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的正电子寿命谱研究

研究了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）超导体的正电子寿命谱，利用两态捕获模型对实验结果进行了分析，并与非超导的同类样品作了比较，研究了各寿命参数及电子结构和缺陷浓度的变化，观察到了样品内部ＰＳ及ＰＳ￣（－）束缚态的形成现象．     

用正电子湮没研究CaO掺杂的CeO2氧离子导体

测量了不同CaO掺杂量的CeO2 氧离子导体 (CaO) 1-x(CeO2 ) x 的正电子寿命谱 .发现正电子寿命随x的增加 (x从 0 .0 5到 0 .5)先增大后减小 ,峰值出现在x =0 .1 2附近 .从掺杂离子与缺陷的相互作用所造成的缺陷组态变化对该现象进行了解释 .     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

高B_2O_3含量的（5x）B_2O_3·（20－x）PbO·（80－4x）B

利用传统熔体冷却方法确定了（５ｘ）Ｂ２Ｏ３·（２０－ｘ）ＰｂＯ·（８０－４ｘ）Ｂｉ２Ｏ３系统形成玻璃的最大Ｂ２Ｏ３引入量，并利用Ｘ射线衍射分析、红外光谱和扫描电镜等方法研究了该系统玻璃的结构特征及随Ｂ２Ｏ３引入量的增加而引起的结构变化，探讨了该系统产生分相的原因，结果表明，该系统在高Ｂ２Ｏ３区形成的玻璃的无定形结构由晶子、微晶体及含３个［ＢＯ３］三角体的六元硼氧环基团所组成；分相是由于对称性低的硼氧环大阴离子团及三硼酸盐环状基团的形成。     

Ho掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其正电子湮没研究

采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,0.2%,0.3%,0.4%,0.5%,0.6%,0.7%);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线;借助XRD物相分析手段对所制备样品进行了研究,表明其结构均为钙钛矿结构;采用正电子寿命谱学的方法研究了不同掺杂量Ho2O3所引起的结构缺陷.     

C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．     

氧含量分析法确定Sm_（1＋x）Ba_（2－x）Cu_3On的固溶区

基于碘量法测定高温超导氧化物氧含量的方法，总结出固溶化合物Ｓｍ（１＋ｘ）Ｂａ（２－ｘ）Ｃｕ３Ｏｎ的氧含量ｎ随固溶度ｘ变化的规律性；从理论分析和实验测定得出在固溶区域内，Ｓｍ（１＋ｘ）Ｂａ（２－ｘ）Ｃｕ３Ｏｎ的氧含量ｎ与替代程度ｘ呈线性关系，超出固溶极限ｘ０，直线斜率将发生明显变化。此结果与Ｘ射线粉末衍射结果基本一致．     

Bi_(2-x)Pr_xSr_2Ca_2Cu_3O_y超导体的研究

本文报导在零电阻温度为83K的Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体中以不同含量Pr替代Bi的样品制备工艺、超导性能测试、X射线衍射及电镜的测量。测试表明Bi_(2-x)z Pr_x Sr_2 Ca_2 Cu_3 O_y中的Pr的摩尔含量x<0.2时样品的T_c在77K以上。这些样品随Pr含量的增加晶胞常数b,c有所增大,而a略有减小趋势。     

高温超导体的正电子湮没研究(续)

本文在文献的基础上,进一步测量稀土系YBaCu_xO_y在T_c附近的正电子寿命谱,同时测量了成分相同非超导样品,实验结果证实超导寿命谱在T_c附近有跃变发生,伴随无规则振荡现象,至于非超导样品,τ-T曲线形式则无跃变发生.还测量了非稀土系高T_c超导体BiSrCaCu_xO_y在相变温区的正电子寿命谱,也发现在T_c附近有跃变、无规则振荡,但振荡区域比稀土系样品要宽.样品YBaCuO中,Y,Ba,Cu的氧化物按1:2:3配比,以不同的氧含量,得到T_c=90 K的超导样品Ⅰ和非超导样品Ⅱ.样品BiSrCaCu_xO_y中,按配比Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2,以适量氧含量,得到T_c=83 K的超导体Ⅲ,所有样品均为圆片,直径约为15mm,厚为1.5mm.放射源为强度8×10~5Bq的~(20)Na正电子源,衬底为Mylar膜.两片相同的样品夹住正电子源,置于样品架中.测量在空气中进行,测量所用的寿命谱仪为标准的块一块符合系统,对~(60)Co     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

La_(1-x)Ca_xMnO_3中Ca含量对电子结构的影响

对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3 系列样品 (其中 0 .0 5≤x≤ 0 .80 )在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量 .结果表明 :对应于出现巨磁阻效应的Ca成分范围 (0 .30≤x≤ 0 .5 0 ) ,正电子的平均寿命τm 和多普勒谱S参数明显降低 ,说明在这一成分范围电子局域化程度增强     

退火温度对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金磁后效和正电子寿命的影响

测量了制备态和经不同温度（ｔａ ＝ ４５０ ～７５０ ℃） 退火的Ｆｅ７３－５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３－５Ｂ９ 合金的室温磁后效和正电子寿命·发现在６００ ℃以下退火,随着退火温度升高,磁后效和正电子寿命都单调下降;在６５０ ℃以上退火,磁后效基本被抑制,正电子寿命出现两个值,它们分别对应自由体积和空位聚集体,且后者显着增大·实验结果表明,磁后效主要由材料中的非晶相所贡献,这是由于非晶相中存在大量自由体积的缘故·     

非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究

作者利用正电子湮灭寿命谱(PAL)、光激电流瞬态谱(PICTS)及Hall效应,研究了非掺杂半绝缘(SI)InP中补偿缺陷的形成,即在磷化铁(IP)及纯磷(PP)气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化,从而探讨原生非掺InP形成SI态的机制.实验的原始材料都是用液封直拉法(LEC)生长的n型非掺InP.对原生InP,铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱,VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因.在IP SI-InP的形成中,Fe原子扩散进入VIn,可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制     

Fe-基形状记忆合金不同预应变量下的正电子湮没寿命谱研究

利用正电子湮没寿命谱研究了几种不同成分Ｆｅ基形状记忆合金预应变过程中缺陷结构的变化，并讨论了这一变化对合金形状记忆效应的影响     

硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究

配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释