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在Cu(Ⅱ)在存在下,Al(Ⅲ)-PAN「1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚」络合体系的荧光强度下降,铜量在10^-8-10^-6M范围内,荧光强度的变化值与其含量成正比。 相似文献
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李前荣 《中国科学技术大学学报》1995,25(4):503-505
在LiAlH4及光学活性物质-孟氧基-3(5H)-呋酮存在下,将6-(3’,4,5-三甲氧基羟卞基)-胡椒醛二甲缩醛的甲苯溶液加热回汉8小时,可得旋光性的(1R,34)-(-1)-1-甲氧基-5,6-亚甲二氧基-3-(3,4,5三甲氧苯基)-异苯并二氢呋喃晶体,产率61.8%。 相似文献
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T(1(1/2))一型和T(2(1/2))一型是两种邻域蜘,证明了它们的一些性质,推导了二者分离性之间的关系。 相似文献
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关于丢番图方程(ax^n—1)/(ax—1)=y^2和(ax^n+1)/(ax+1)=y^2 总被引:7,自引:0,他引:7
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用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。 相似文献
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Sb吸附在GaAs(110)(1×1)—Sb(1ML)表面上的电子态特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用紧束缚的sp^3s模型本电子态,用散射理论的格林函数方法研究了Sb吸附在GaSAs(110)表面上的电子特性,计算结果表明:在-12eV-+2eV的能区内有9个表面态存在,对于这样的金属/半导体系统仍有带隙存在,其带隙宽度为0.4eV左右;体系的性质表现为半导体的性质,而不表现出金属的性质。 相似文献
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(AlxGa1—x)yIn1—yP表面氧化特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对(AlxHa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线 相似文献
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冯桂荣 《岳阳师范学院学报》2002,15(3):61-63
以4-甲基苯甲酸为原料,经过Curtius重排反应制得4-甲基苯异氰酸酯,再进一步与3-氨基-1H-1,2,4-三氮唑发生亲核加成反应,合成了目标化合物N-(4-甲基苯基)-N^1-(1,2,4-三氮唑)脲,其产率为75%,对目标化合物经元素分析,1R和′HNMR表征,并初步测定了此化合物的植物生长调节活性。 相似文献
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用NBS为溴化试剂同芳酸酯反应,制备了5种献未见报道的α-溴代芳氧乙酸酯新化合物;通过溴代物同1,2,4-三唑反应,合成了5种新型三氮唑类化合物;经IR、^1HNMR、MS及元素分析确定了化合物的结构。 相似文献
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标题化合物8-一种新的手性催化剂,通过丙二酸酯法及酶解拆分合成(s)-3-(2-氯苯基)丙氨酸甲酯,进一步与溴苯发生格氏反应而成。 相似文献
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5-(1-Meng氧基)-2(5H)-呋喃酮在温和的实验条件下,能够同环状硝酮发生立体选择性的环加成反应,得到立体专一性产物,化学产率54%-81%。 相似文献
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1—取代—1—(1,2,4—三唑—1—基)—3,3—二甲基丁醇—2的合成 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了连二亚硫酸钠对高位阻羰基化合物的还原反应;合成了十个标题化合物,它们的结构均得到IR,H’NMR 和 MS谱的确证。 相似文献
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