亚氟化银单晶体价带光电子谱及电子结构研究

本文首次给出以 He-I 共振线和 Mg-K。线激发而得到的 Ag_2F 单晶体全价带光电子谱。在 UPS 谱中发现三个显著的能带,从费米能级算起它们分别处于2.OeV4.6eV 以及6.OeV 附近,它们分别标志 F2p 态、Ag4d 态以及两态的混合.实验结果与最近的 LAPW 能带计算相比较表明,4d 带的计算结果相对于实验结果向较低的束缚能方向移动了约 leV,这表明 LAPW 计算中形成小椭球形费米面的第16号能带可能在费米能级之上,这对进一步研究该晶体的物理性质具有重要意义.     

ZnO电子态密度和吸收光谱的理论计算

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究纤锌矿znO的能带结构、电子态密度和吸收光谱.计算结果表明,纤锌矿ZnO为直接带隙半导体,计算带隙宽度为0.81 ev.由配位场理论分析知,zn3 d电子劈裂后形成的t2带对应Zn-O成键态,t2*带对应Zn-O键态,e带为非键态.计算得ZnO的光学吸收边为3.47 ev,计算结果与实验值相一致.     

CrSi_2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好.     

CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0．353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等．经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好．     

Zn2SiO4电子结构及光学性质的第一性原理计算

使用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对三斜结构的Zn2SiO4的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.能带计算结果表明,Zn2SiO4是具有能隙为1.086 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Zn的3d态电子和O的2P态电子构成,导带在6.5～7.5 ev之间,起主要贡献的是Zn的3p和4s...     

MgO能带结构的LMTO—ASA计算

来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,该方案仅用16×16阶久期方程,计算量小,准确性高,可以给出MgO的合理的能带结构。     

MoSe2电子结构和光学性质的理论研究

基于密度泛函理论第一性原理,计算了MoSe2的能带结构、态密度和光学性质,再根据相关参数分析了该材料的半导体特性和光学性质.能带结构结果表明MoSe2具有间接带隙宽度为0.853 eV的半导体材料,从态密度图可看出价带由Mo的5s4d价电子和Se的4s4p价电子起主要作用,其它价电子作用较少导带主要是Mo的4d和Se的...     

对称性对二维三角晶格光子晶体简并态的影响

本文从介质圆柱在空气中排列的二维三角晶格光子晶体出发，引入了一种复式格子二维光子晶体结构，使原三角晶格C6v的对称性降低至C2v，从而使能带简并分立，产生了一些新的带隙。采用超元胞的方法来计算能带结构，结果表明，随着两种圆柱半径比的增大，带隙结构越来越丰富。我们将由原二维三角晶格光子晶体第一条能带折叠形成的四条能带定义为超元胞第一组能带，以此类推。发现随着两种圆柱半径比的增大，第一组能带之间出现了3条带隙，总体上逐渐展宽，而第一组能带和第二组能带之间的带隙逐渐减小。最后我们还计算了绝对禁带随着两种圆柱半径比增大的变化情况，发现随着半径比的增大，绝对禁带从无到有，为我们提供了一种新的获得绝对禁带的方法。     

钨酸钡电子结构的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,优化了晶胞的几何结构,计算了白钨矿结构的BaWO4基态的能带结构和电子结构;研究发现:BaWO4为直接带隙结构,带隙宽带为4.5 eV,费米面处的价带主要由W5p和O2p态上电子构成,导带主要是W5d和O2p;根据晶体场理论和分子轨道理论分析了钨酸钡晶体的分子轨道成键,其结果与计算得到的态密度图能较好吻合。关键词:     

BaTaO2N局域电子结构及光学性质的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了BaTa02N的局域能带结构、态密度和光学性质．能带结构结果表明,BaTa02N属于直接带隙半导体,其能带宽度Eg=0．62eV;价带主要由O2p,N2p和Ta5d态电子构成,且N2p态位于价带顶;导带主要由Ta5d态电子构成．基于能带结构和态密度分析了BaTaO：N的介电函数以及折射率、光电导率、吸收谱和能量损失函数等光学性质．静态介电常数（0）=6．13,折射率no=2．48,在紫外区有较大的吸收系数．     

NiMnSb化合物的原子无序对半金属性的影响

根据第一原理利用线性缀加平面波（LAPW）法, 计算了half-Heusler结构NiMnSb化合物3种原子有序态的电子能态密度分布. 结果表明, 不同的原子有序态间的转变无序将导致电子自旋极化率的降低或材料半金属性的消失.     

空原子球对SrS导带结构的影响

基于密度泛函理论，用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法计算了碱土硫化物ＳｒＳ的能带结构，同时根据基函数的对称性组合，由原子球分波态的计算结果能量本征值进行标记，并在原胞中添加空原子球，根据ＳｒＳ晶体结构，适当地选取空球与原子球半径比，研究空球对导带结构的影响。     

Design of a novel optically stimulated luminescent dosimeter using alkaline earth sulfides doped with SrS:Eu,Sm materials

Optically stimulated luminescence （OSL） is the luminescence emitted from an irradiated insulator or semiconductor during exposure to light. The OSL intensity is a function of the dose of radiation absorbed by the sample and thus can be used as the basis of a radiation dosimetry method. Alkaline earth sulfides doped with rare-earth elements such as Ce, Sm and Eu are OSL dosimeters having very high sensitivity, and the OSL with a short time constant is separated from the stimulated light. In this paper, a novel OSL dosimeter designed with SrS：Eu,Sm materials is described. The dosimeter takes advantage of the characteristics of charge trapping materials SrS：Eu,Sm that exhibit OSL. The measuring range of the dosimeter is from 0.01 to 100Gy. The equipment, which is relatively simple and small in size, is promising for applications in space exploration and high dose radiation dosimetry.     

单质子化卟吩构型的理论研究

使用从头算Ｈａｒｔｒｅｅｅ－Ｆｏｃｋ和密度泛函Ｂ３ＬＹＰ方法计算了单质子化卟吩（ＰＨ３＾＋）的构型。用ＨＦ方法只能得到Ｃ１性的构型。当考虑相关后,用密度泛函Ｂ３ＬＹＰ方法在３－２１Ｇ,３－２１Ｇ（ｐ）,６－３１Ｇ三个基组水平得到了具有Ｃｓ的对称性的结构,推测这种结构是合理的。     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中,Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑,自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度,得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

短峰波与圆弧型贯底式多孔介质防波堤相互作用研究

将比例边界有限元法(SBFEM)推广到短峰波与圆弧型贯底式多孔介质防波堤相互作用研究中.将圆弧延伸构建一个虚拟圆柱面,对于圆弧段与圆弧延伸段,分别采用不同的孔隙影响系数.该圆将整个流场划分成一个无限子域和一个有限子域,并利用变分原理在各个子域上推导了SBFEM的基本方程.然后,SBFEM针对无限域和有限域分别采用汉开尔函数和贝塞尔函数作为基函数来求解对应域的解,并在公共圆边界处加以匹配.数值计算验证了该方法是一种利用很少单元离散虚拟圆便能得到精确结果的高效方法.进一步给出了不同波向入射、相对波数、防波堤不同孔隙影响系数、不同张角等参数对防波堤波浪荷载、波浪爬升的影响,这为该类防波堤水动力分析和结构设计提供了有价值的参考.     

甘氨酸晶体结构和振动频率的密度泛函方法研究

用密度泛函理论(DFT)的BLYP、B3LYP、Hartree-Fock(HF)和MP2方法,在6-311 G**基组水平上,对甘氨酸的几何构型和红外光谱进行了研究,并与实验结果(晶体数据)作了比较,得出了以上方法在计算甘氨酸的几何参数和谐振频率与实验数据间的相关性:在优化几何参数方面,B3LYP方法优于其它方法;在计算振动频率方面,可以看出对HF方法,标度因子校正是必要的,在非校正的情况下,DFT方法优于MP2和HF方法.     

Fe、Co、Ni掺杂磷烯的第一性原理研究

本文基于第一性原理研究了Fe、Co、Ni在P位吸附和掺杂磷烯的稳定性、能带结构、态密度以及差分电荷密度分布.结果表明:在吸附体系中,Co在P位的吸附的稳定性强于Fe、Ni吸附体系;在掺杂体系中,Fe、Co、Ni在P位掺杂的的稳定性较强的是Ni掺杂体系.Fe、Co、Ni在P位吸附磷烯,可以较好的调控能带结构,从而得到可控性能的半导体材料.在P位掺杂Fe、Co、Ni原子的带隙值分别为0.52、0.56和0.4eV.在Fe、Co、Ni掺杂位点上,近邻的两个磷原子周围出现了电子聚集的现象;原因在于Fe、Co、Ni的4s轨道上都有两电子,而非金属的磷原子较容易得到电子.     

基于视觉的贴片元件检测算法

为了实现贴片元件的自动检测,提出了一种基于视觉的贴片元件几何特征参数检测方法.首先采用最大外接矩形法实现元件的粗定位及确定边缘的分割点,并采用Canny和Zernike矩边缘检测算子实现边缘的精确定位.然后,利用分割点将边缘分割成4部分,分别进行直线和圆弧拟合,得到其精确值.同时,利用快速傅里叶变换后的图像特征,实现端面图像中条纹方向的判定.实验中测得亚像素边缘点的定位精度为0.03像素,直线拟合精度为0.03像素,圆弧拟合精度为0.05像素,端面条纹判断的准确率为100%.实验结果表明:文中提出的检测方法能很好地满足贴片元件自动视觉检测稳定可靠、精度高及实时性强的要求.