首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
丁烷氧化制顺酐VPO催化剂的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用BET、XRD、IR和ESR等测试手段,考察了由4种不同方法制备的VPO催化剂的比表面,钒的平均氧化态以及晶相组成,研究了催化剂在不同条件下的活化以及用于正丁烷氧化制顺酐反应的催化性能,实验民用还原剂的种类以及活化条件对催化剂的性能有明显的影响。  相似文献   

2.
镍负载硅酸铝催化剂上丙烯齐聚反应(Ⅱ)   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用真空静态循环装置和XRD,ESR技术研究了镍负载硅酸铝催化剂上的丙烯齐聚反应.系统地考察了催化剂制备条件和反应条件对低压下丙烯齐聚反应催化性能的影响.结果证明,最佳条件为Ni含量7%~8%,活化温度550~600℃,预抽空处理温度400℃以上,反应温度130~150℃.同时发现镍含量在7%~8%时,催化剂表面有新晶相形成,预抽空过程是一还原过程.  相似文献   

3.
镍负载硅酸铝催化剂上丙烯齐聚反应(II)   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空静态循环装置和XRD,ESR技术研究了银负载硅酸铝催化剂上的丙烯齐聚反应。系统地考察了催化剂制备条件和反应条件对低压下丙烯齐聚反应催化性能的影响。结果证明,最佳条件为Ni含量7% ̄8%,活化温度550 ̄600℃,预抽空处理温度400℃以上,反应温度130 ̄150℃。同时发现镍含量在7% ̄8%时,催化剂表面有新晶相形成,预抽空过程是一还原过程。  相似文献   

4.
XRD,ESR对萘氧化制苯酐催化剂中钾助剂作用的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用XRD,ESR方法研究了萘氧化制苯酐催化剂中K2SO4助剂含量对催化性能的影响,解释了过量K2SO4助剂导致苯酐选择性下降的原因。  相似文献   

5.
Cu—ZSM—5上NO催化分解的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
考究了不同温度及不同空速条件下,Cu-ZSM-5、Cu/Al2O3及Cu/SiO2等催化剂上NO直接分解的性能,并采用XRD,TPR及SEM等手段对催化剂进行表征,将表征结果与催化剂活性相关联,探讨了Cu-ZSM-5催化剂活性较高的原因。  相似文献   

6.
负载量对稀土钴系复合氧化物催化剂结构与催化性能?…   总被引:1,自引:1,他引:0  
用混合硝酸盐溶液浸渍法制备了负载型稀土钴系复合氧化物催化剂,以二甲苯完全氧化活性探针反应,配合XRD、TPR、BEF表面测试等手段,研究了负载量对催化剂 原性能以及催化活性的影响,XRD及活性实验结果表明,负载量增加,载体γ-Al2O3特征衍射峰逐渐展宽,衍射基线也有所增高,催化剂活性增强,CoAl2O3尖 晶石峰变得尖锐,负载量为20%和30%两催化剂间呈现活性突跃区,TPR实验结果表明,负载量  相似文献   

7.
电化学活化条件对Pt/C催化剂甲醇电氧化催化活性的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
利用亚硫酸路线和亚锡酸法合成了两种Pt/C催化剂,并利用循环伏安技术,详细地研究了循环伏安高电位和活化方式对Pt/C催化剂的甲醇电氧化催化活性的影响.研究结果表明:在改变高电位的逐步循环伏安活化方式下,不同的Pt/C催化剂的活化存在有不同的最优循环伏安高电位;在最优高电位下,一次性活化方式对亚锡酸法Pt/C催化剂的活化最为有效.不同的活化条件产生不同的催化活性,主要原因在于不同的活化过程形成的最终的Pt的存在形式不一样,致使催化剂对水和阴离子具有不同的吸附能力和吸附速率.  相似文献   

8.
甲苯深度氧化铜锰复氧化物催化剂的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了用于甲苯深度氧化的铜锰复氧化物催化剂。采用BET、TG、DTA、XRD、SEM、IR等技术研究了催化剂的物化性质,发现甲苯深度氧化活性与CuMn_2O_4尖晶石的生成有对应关系。甲苯吸附还揭示了侧链。a-H均裂可能是深度氧化的速率决定步骤。  相似文献   

9.
对阳极氧化技术制备铝磁性膜进行了实验研究。用SEM,ESCA,RBS等表面分析手段对Al磁性膜的形貌、大小、厚度以及磁性膜中的元素分布作了分析,并测量了不同工艺条件下磁性膜的矩形比。  相似文献   

10.
稀土基催化裂化钝镍剂的抗镍性能及其机理   总被引:5,自引:0,他引:5  
利用催化裂化平衡催化剂CHZ-2考察了稀土元素RE的钝镍性能。实验结果表明,适量的RE钝镍剂能明显降低催化裂化反应的比氢气量和比积炭值,提高汽油收率,具有较明显的钝镍效果。程序升温还原实验和XRD物相检测发现,在FCC再生温度下,RE和沉积在催化剂表面上的高价镍反应生成RENiO3晶相。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号