制氧机输出端黄铜管爆裂分析

针对制氧机输出端黄铜管爆裂事故进行了检验和分析，得出制氧机启动与停止所产生的疲劳应力与高速流动的高压氧气氧化介质共同作用，导致了黄铜管发生腐蚀疲劳爆裂破坏，冷加工后退火不均匀是加速黄铜管爆裂的内部原因。     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶，在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

罩式退火炉温控系统的神经网络PID预测控制

罩式退火炉温控系统是一类具有大滞后及模型慢时变系统,采用传统控制方法其效果并不理想.因此,将神经网络PID预测控制思想应用于罩式退火炉温控系统,利用灰色预测模型与四阶龙格库塔法相结合对罩式退火炉温控系统的行为进行预测,同时结合神经网络PID控制器克服预测误差、系统干扰等不确定因素带来的影响,提高系统的自适应性.仿真结果表明,系统运行平稳,受不确定因素的影响较小,对罩式退火炉温控系统具有良好的控制效果.     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

基于模拟退火遗传算法的凸多面体间碰撞检测算法研究

提出用顶点的凸包来表示凸多面体,将两凸物体间距离的问题归结为一个带约束条件的非线性规划问题。利用模拟退火遗传算法对该问题进行求解,即利用模拟退火的接收准则来交叉、变异。结果表明,该算法有较高的计算效率和计算速度。     

非晶退火晶化过程中晶粒度的可选择性

非晶的退火晶化法是目前广泛采用的一种制备纳米晶材料的新方法．如果可以根据不同的目的对材料的品粒度进行选择，那是非常有意义的．理论和实验表明，通过掺杂和控制退火过程可以实现这一目的。     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜的研究

基于化学浴沉积法,采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜.对在不同沉积时间以及退火时间下得到的ZnS薄膜运用X射线衍射法观测其晶型结构,发现较长的沉积时间(5 h)和退火时间(3 h)制得的薄膜结晶度好,且检测出为闪锌矿晶型.并对其透光性能做了检测,发现pH值对透光度有显著影响.     

一种改进的遗传算法

传统的遗传算法有两个严重的缺点,即不能有效地克服过早收敛现象,以及在进化后期搜索效率较低。模拟退火算法是基于金属退火的机理而建立起来的一种全局最优化方法,它能够以随机搜索技术从概率的意义上找到目标函数的全局最小点。本文将遗传算法与模拟退火算法相结合,提出模拟退火遗传算法,实验结果表明,该算法在性能上有较大的提高。     

铝箔油斑缺陷的原因分析及改进措施

从轧制油的组分、退火工艺、箔面的平整度和缠卷的松紧程度几个方面 ,对油斑缺陷的产生原因进行了分析 ,并提出了改进措施 ,使该缺陷得到有效的控制 .     

基于模拟退火算法的生产调度问题

介绍了Metropolis准则,给出了模拟退火算法解决生产调度问题的基本方法和步骤,并对算法的有效性进行了验证.