杂质对磷石膏与碳酸铵反应及产物碳酸钙结晶的影响

用碳酸铵与磷石膏反应制取硫酸铵是磷石膏利用的有效途径之一,但磷石膏中的杂质会对石膏的转化过程及碳酸钙的结晶产生不利影响,进而影响碳酸钙的分离过程。以二水硫酸钙与碳酸铵为原料,以磷酸、硝酸镁、氟化钠及酸不溶物(AI)为杂质添加剂,研究了磷石膏复分解反应制取硫酸铵过程中杂质P2O5、Mg2+、F-及AI对硫酸钙转化率的影响,并对反应产物碳酸钙的结晶形态和晶型进行了SEM和XRD分析。结果表明,杂质的存在不仅降低了石膏中硫的转化率,而且使碳酸钙的晶型和晶体形状发生了变化,从而将影响产物的物性和过滤性能。     

半水硫酸钙晶须水化过程

对半水硫酸钙晶须水化产物进行了形貌的实时、非实时观测和XRD分析.结果表明半水硫酸钙晶须水化过程的显著特点在于其晶型和形貌的改变及由此引起的长径比减小;半水硫酸钙晶须的水化过程包括3个阶段:半水硫酸钙晶须水化初始期,二水硫酸钙晶须生成期,二水硫酸钙晶须的粗化溶解及新的二水硫酸钙晶体生成期.半水硫酸钙晶须的水化过程与半水石膏的水化过程略有不同.     

半水硫酸钙晶须制备稳定一体化

使用优选稳定剂对半水硫酸钙晶须进行制备稳定一体化处理,研究了稳定剂用量对半水硫酸钙晶须形貌及稳定性的影响.通过SEM和XRD等检测手段对晶须产品进行了表征,结果表明:在制备过程中加入稳定剂油酸钠,当用量为0.025%时,半水硫酸钙晶须可保持形状稳定,但制备后静置72h后,晶型已全部转化为二水硫酸钙;采用分段加药的方式,即制备时加入0.025%硬脂酸钠,制备后加入0.15%油酸钠,半水硫酸钙晶须形貌与晶型可保持不变,实现了半水硫酸钙晶须的制备稳定一体化.     

水热条件下反应介质对Mg(OH)2晶体晶形的影响

以氯化镁和氨水为原料,在室温下制得Mg(OH)2,在不同的反应介质中对Mg(OH)2进行水热处理,制备出了超细、高纯的Mg(OH)2颗粒,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制得Mg(OH)2颗粒的晶相、形貌和颗粒尺寸进行了表征.研究结果表明,水热条件下反应介质对Mg(OH)2晶体的形成有十分显著的影响,NaOH溶液、乙二胺和乙醇溶液能够显著改善Mg(OH)2晶体的晶形和分散性.初步探讨了水热条件下反应介质对Mg(OH)2晶形的影响机制.     

溶剂介质对ZnO晶体极性生长的影响

以Zn(NO3)2·6H2O、NaOH为原料,以水、乙醇、液体石蜡和双氧水为溶剂,在不同条件下水热合成不同结构形貌的ZnO.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构形貌进行表征,讨论ZnO在上述介质中的极性生长特性和生长机制.结果表明,溶剂类型可明显改变晶体+c轴方向的生长速率,从而获得不同的结构形态.在水介质中,晶体极性生长习性明显,+c轴 [0001]方向的生长速率明显大于其它方向,晶体生长为六方长柱状结构;以水和乙醇混合物为溶剂时,沿+c轴方向的生长速率明显减小,晶体呈六方片状;在液体石蜡中晶体沿各个晶向都无择优性,极性生长习性不明显,+c轴 [0001]方向的生长速率近似于其它方向,从而形成六方短柱状结构;双氧水的富氧体系则大大促进了晶体沿+c轴方向的极性生长,促使晶体呈针管状结构.     

复配型晶体调控剂对硫酸钙晶须生长的影响

以预处理的工业废渣磷石膏为原料,氯化亚铁与十二烷基磺酸钠(FeCl_2·4H_2O+SDS)复配物作晶体调控剂,采用水热法成功制备了硫酸钙晶须,利用SEM和XRD分别对硫酸钙晶须的表面形貌、物相特征进行了表征,研究了复配晶体调控剂掺量对硫酸钙晶须性能的影响,并对复配型晶体调控剂的作用机理进行了分析。研究结果表明,晶体调控剂能够显著增大硫酸钙晶须的长度和长径比,改善晶须的形貌,随着其掺量的增加,晶须长度、长径比均呈现先增加后减小的趋势,其最佳掺量(质量分数)为1.0%,此时晶须的平均长径比为139.50。     

低温煅烧硫酸钙晶须的水化性能

采用SEM、FT-IR、XRD等测试方法对硫酸钙晶须水化产物的形貌、表面基团、物相组成及水化能力进行了研究。结果表明:低温下煅烧的硫酸钙晶须水化产物随温度的不同而不同,并且其水化能力随着煅烧温度的升高而减小。     

湿法磷酸中的杂质对二水硫酸钙结晶影响的研究

用模拟湿法磷酸进行了Ｆｅ２Ｏ３离子、Ａｌ２Ｏ３、Ｈ２ＳｉＦ６和Ｈ２ＳＯ４五种杂质及ＮＨ离子对二硫酸钙结晶影响的实验研究。并以过滤时间表征结晶质量进行了杂质对石膏结晶过程影响的分析。对于ＮＨ离子的影响进行了单因素实验。实验得出，当磷酸杂质含量在平均水平附近时，随湿法磷酸中Ｆｅ、Ａｌ、Ｍｇ杂质含量的增高，都会使二水硫酸钙的过滤性能变坏，其中尤以Ａｌ２Ｏ３的影响最大。但ＮＨ能促使二水硫酸钙生成聚晶，对石膏的过滤性能有改良作用，通过实验可确定出一个最佳ＮＨ浓度。对不同杂质含量的磷酸，其最佳ＮＨ浓度值并不相同。     

水化时间和温度对半水硫酸钙晶须水化过程的影响

对水热法产物半水硫酸钙晶须水化过程进行了研究,重点考察了水化时间和温度对晶须水化过程的影响。结果表明,在水化温度为25~90℃范围内,水化产物中半水硫酸钙晶须含量随着水化时间的增加而减少,最终全部转化为片状、薄板状或者块状二水硫酸钙;随着水化温度的增加,水化诱导期延长,特别是在90℃时,半水硫酸钙晶须可稳定存在60min;根据水化产物观测结果以及物相组成分析发现,水化机理主要分为水化诱导期、半水硫酸钙晶须溶解以及二水硫酸钙重结晶3部分。     

普通凝固Mg-Zn-Y系合金组织

采用普通凝固技术在Mg-Zn-Y合金中制备出稳定态准晶相Mg30Zn60Y10.通过光学显微镜、X射线衍射仪、能谱分析仪、扫描电镜和透射电镜显微分析技术,确定准晶的组织、相成分及结构.研究结果表明:由于合金成分不同,导致基体组织不同并使准晶的形貌、分布、数量等存在差异;随Y含量的增加,准晶相含量逐渐增加,分布逐渐均匀化,且形貌发生较大变化;当Y含量(摩尔分数)小于3%时,基体组织为Mg7Zn3;当Y含量达到3.5%时,基体为组织MgZn.     

硫酸软骨素／SDBS协同作用下球霰石的简易合成

通过模拟生物矿化过程，利用CO2缓慢扩散，在硫酸软骨素和十二烷基苯磺酸钠二元体系中，与富集在有机/无机界面的钙离子相结合，合成了碳酸钙晶体。系统地研究了室温下各种因素对碳酸钙晶体形貌和晶型的影响，利用粉末X-射线衍射（ XRD）、扫描电子显微镜（ SEM）等对所得的碳酸钙晶体进行了形貌与结构表征。结果显示，在不同浓度比下的硫酸软骨素和十二烷基苯磺酸钠二元体系或在不同时间下，生成的碳酸钙都具有不同的晶体结构和形貌。     

纤维二糖对碳酸钙结晶的影响

选用纤维二糖为基质,碳酸铵挥发CO2,扩散至CaCl2溶液中合成碳酸钙晶体,采用扫描电子显微镜(SEM),X-射线粉末衍射仪(XRD)对所得产物进行表征,讨论了纤维二糖溶液的浓度和pH对产物晶型及形貌的影响。结果表明,纤维二糖能够合成含有六边形球霰石形貌的碳酸钙晶体,浓度比pH对碳酸钙晶型和形貌的影响更大。     

静电场对硫酸钙结晶的影响及计算机模拟

实验在水浴加热和水浴加热附加静电场两种条件下,对基本相同的结晶条件（温升速率,过饱和度,水动力学等）下得到硫酸钙晶体利用扫描电镜（SEM）进行了表征和分析.分析结果显示：在基本相同结晶条件下,水浴加热附加静电场与仅水浴加热下生成的硫酸钙晶体的形貌相比,有所增大.我们从水的内能与结晶形貌的关系出发,利用蒙特卡罗（MC）方法对静电场作用下的结晶情况进行了初步的分子模拟,解释了这一特殊现象.该分析结果可用于指导水溶液中生长晶体,外加一定强度的静电场可能得到更大更完整的晶体.     

PA/MSer二元复合体系对碳酸钙晶体生长的调控

本文利用聚丙烯酰胺(PAM)和丝氨酸(Ser)构建的二元复合体系作为有效调控剂对碳酸钙仿生矿化进行研究,并对所得的产物使用扫描电子显微镜(SEM)和X-射线粉末衍射仪(XRD)进行了表征。结果显示,在PAM单独存在时,获得的产物为方解石,但当PAM/Ser的摩尔浓度比为1:1和1:2时,获得的为方解石和球霰石的混合相,且产物中球霰石的比例随丝氨酸浓度的增大而升高。研究结果表明,PAM/Ser二元复合体系对碳酸钙的晶体生长过程起着十分重要的影响。     

PSSS基质及温度对碳酸钙结晶的影响

文章根据生物矿化原理,以PSSS(聚苯乙烯磺酸钠)为基质,采用碳酸氢铵挥发CO2,扩散至CaCl2溶液中合成碳酸钙晶体,讨论了反应时间、pH值、温度、PSSS质量浓度和CaCO3浓度对产物晶型及形貌的影响.采用扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪和红外吸收光谱等手段对所得产物进行表征.结果表明,文章合成了不同形貌的碳酸钙晶体,而且发现相对于其他因素,反应时间和温度对碳酸钙晶型和形貌影响不大.     

石膏性质对半水硫酸钙晶须形貌的影响

探讨了以石膏为原料,用水热法制半水硫酸钙(CaSO4.0.5H2O)晶须的可行性,侧重考察了石膏(CaSO4.2H2O)性质对水热产物形貌的影响.结果表明,以纯石膏、工业副产石膏(磷石膏、脱硫石膏)或合成石膏(由电石渣或氧化钙与硫酸反应制得)为原料,用水热法均可制备半水硫酸钙晶须.纯石膏晶粒度较大,磷石膏含杂较多,二者只能合成短棒状晶须.脱硫石膏和合成石膏的晶粒度小、含杂少,更有利于形成高长径比晶须.     

烧结电除尘灰浸出液分离制备球形碳酸钙的研究

对包钢烧结电除尘灰进行了浸出试验,研究结果表明浸出液中有较高含量的钾盐和钙盐。为了提升钾盐产品质量和降低硫酸钙结垢对设备安全操作的影响,在回收钾盐之前,需要对浸出液中的硫酸钙盐进行去除。以碳酸钠溶液为沉淀剂,考察了沉淀剂浓度、反应温度、搅拌强度和平衡时间对浸出液中硫酸钙的去除效果及碳酸钙产品晶型晶貌的影响。结果表明,钙离子去除率几乎达到100%,同时获得了粒径10μm左右、颗粒分散均匀、高附加值的球形碳酸钙副产品。     

La_2O_3施主掺杂(MgCoNi)O系氧敏材料的高温缺陷化学分析

讨论了少量Ｌａ２Ｏ３施主掺杂的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系样品在不同测试温度下的电导与氧分压关系．实验发现，施主杂质有两方面的作用：当施主含量较低时，以缺位补偿为主；另一方面，施主含量较高时，电子补偿占优，随着施主含量的增加，由缺位补偿向电子补偿过渡，用阳离子缺位扩散控制机制解释了施主杂质对晶粒生长的影响