科技短波

超大规律集成电路用硅片在沪制成前不久上海硅材料厂利用本厂和国内现有设备及工艺技术,开展超大规模集成电路用φ200毫米硅片研制,获得成功,并已通过专家鉴定。该项研制为今后上海大直径硅片的发展以及直径200毫米硅片生产线的建设奠定了技术基础。     

有色金属研究总院又传捷报

近日,北京有色金属研究总院研制成功了我国第一根直径18英寸(450毫米)直拉硅单晶和第一根直径12英寸红外光学锗单晶。直径18英寸直拉硅单晶的研制成功,将对提高我国半导体材料工业的研究水平、推动集成电路和信息产业的发展产生积极影响,标志着我国大直径硅单晶研究进入世界领先行列。锗单晶广泛应用于国防先进武器装备以及激光加工领域。目前,国外资料报道的锗单晶最大直径在12-13英寸范围,主     

发展中的晟纳吉光伏材料有限公司

内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司是一家全球领先的、专门从事半导体硅材料和太阳能硅材料的研发与生产一体化的高科技企业。主要生产经营重掺半导体级硅单晶棒、硅抛光片和太阳能电池级硅单晶棒、硅单晶片。同时也加工为此配套的掺杂剂、籽晶、石墨热系统等等一系列相关产品。公司成立于2006年1月。坐落于内蒙古呼和浩特出口加工区,目前注册资金1．5亿元人民币。     

抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究

化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。     

超高精度大直径硅片表面超声浮动抛光

为了提高大直径硅片表面质量,利用超声浮动抛光加工宏观磨削力、磨削应力、磨削热小,对加工材料表面损伤低的特点,再结合相关磨料对超高精度大直径硅片表面进行超声浮动抛光加工.在工作机理研究的基础上,对大直径硅片超声浮动抛光加工进行了实验研究,优化了其工作参数,获得了满意的效果,为该技术的实际应用奠定了理论与实验基础.     

晶体生长设备系列产品

硅单晶炉、激光晶体及氧化物晶体生长设备是采用直拉法生长硅单晶、激光晶体及氧化物晶体的专用电子设备 ,所生长的电子或光电子材料是信息技术最基本的功能材料 ,是信息和通讯技术革命的主要驱动力。西安理工大学工厂自 1 961年研制成功我国第一台单晶炉以来 ,已定型生产了 8大系列 ,40余个品种的晶体生长设备 ,涉及半导体、光学、化合物、氧化物、氟化物等晶体材料、合金材料及高纯金属等高技术领域。其中大直径硅单晶炉和大直径激光单晶炉等设备性能已达到国际同类产品水平。获 1 3项国家、省部级科技进步奖。产品在国内覆盖面95 %以上 ,…     

用C-V法测量硅材料中的含氧量

硅材料中的含氧量是判断硅材料质量优劣的一个重要参数。氧原子是半导体硅材料中的一个主要的非金属元素。它是在拉制硅单晶的过程中引进的。含氧量的多少直接影响器件的性能。因此,降低和控制硅材料中的含氧量,就成为硅单晶材料制备工作的一项重要内容。而含氧量的测试就成为不断提高硅材料质量的一项重要任务。     

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（<0.5μm）和亚四分之一微米级（<0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。     

21世纪的硅材料--SOI

SOI是一种在硅材料与集成电路巨大成功的基础上出现的有独特优势．能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是“二十一世纪的微电子技术”。介绍了SOI材料的性能及主要制备技术,对其应用前号也做了详尽的论述。     

混合集成技术前景广阔

混合集成技术经过三十多年的发展,已成为微电子技术的两大重要组成部分之一。混合集成电路(HIC)与半导体集成电路相比具有独自的特点,不仅可弥补半导体集成电路的不足,而且能充分发挥半导体集成电路高集成度、高速等特点,成为实现电子系统小型化、高性能化、多功能化、     

日本的硅岛

作为集成电路芯片的小小硅片,在可与近代蒸汽机的发明所带来的变革相提并论的现代微电子革命中,正扮演着重要角色。现在,闻名世界的三大半导体生产基地都被人们以“硅”字命     

硅基集成电路的发展及其面临的挑战

文章跟踪微电子技术的发展对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题及研究成果进行综述评论,。这些问题包括Cu/低ε介质互连系统、CMOS器件运作的内在结构及电接触问题、高ε栅极氧化物材料、SOI、SiGe、SiGe-OI以及大直径硅单晶片等。微电子技术的发展已逼近微电子器件的物理极限,并将逐步发展到它的下一代——纳米电子器件,人类对物质世界的认识也将提高到一个新阶段。     

真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究

阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达３９００个／ｍｍ２,起始发射电压为２～３Ｖ,反向击穿电压大于３０Ｖ,收集极在２０Ｖ在电压时,单尖发射电流达０．２μＡ,实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。     

小振幅兆声对硅片化学机械抛光效果的影响

为了改善硅片化学机械抛光效果,提高硅片表面质量,一小振幅兆声振子引入化学机械抛光系统,通过对比表面粗糙度大小和分布,发现该振子对改善硅片化学机械抛光效果有明显促进作用。测试表明:振子频率为1.7 MHz,中心最大振幅约为70 nm;硅片表面振动频率为1.7 MHz,中心最大振幅小于10 nm;该振子独立抛光时,未发现硅片表面粗糙度明显降低,但它能引起抛光液微流动,使储存在抛光垫窠室中更多的抛光液进入接触区参与抛光。无振动抛光时,硅片中心区域抛光液供给不足,造成该区抛光效果较差;兆声致微流动能有效缓解这种不足,改善硅片中心区域抛光效果,不仅如此,它还能有效降低其他区域的表面粗糙度。与无振动抛光的硅片相比,经过兆声辅助抛光的硅片,表面粗糙度更小,分布更均匀。     

半导体材料范畴的界定

将半导体材料定义为广义半导体材料和狭义半导体材料2类,分别介绍了其各自范畴。提供了全球主要广义半导体材料厂商名录,分析了广义半导体材料在集成电路芯片制造中的占比情况及国产化率情况;对狭义半导体材料按材料组分、结晶状态、禁带宽度、光电子器件应用及微电子器件应用列举了常见的5种划分方法,并指出狭义半导体材料以代系划分仅限于微电子器件用,且其各有不同的应用领域,不完全是替代关系。     

发光的多孔硅材料

国家自然科学基金委员会材料与工程科学部于1993年3月29～31日在北京大学组织召开了首次“发光多孔硅材料”研讨会。北京大学、复旦大学、南京大学、浙江大学和中国科技大学等5个单位提供了22篇研究报告。在研讨会上,除进行了发光多孔硅材料的学术交流外,还就我国如何跟踪这一世界研究热点的发展战略进行了讨论。多孔硅能发射可见光,是近年来在国际上引起轰动的重大发现之一。所谓多孔硅,是一种把硅单晶作为阳极置于浓氢氟酸电解液中,通过电解,在硅片上形成的一层具有大量微孔的单晶硅薄膜。这种多孔硅早在1956年就有过报道,但那时不知道它能发光,后来被用做集     

新一代宽禁带半导体材料

回顾半导体的发展历程,随着不同时期新材料的出现,半导体的应用先后出现了几次飞跃。首先,硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用。而后,砷化镓材料的研究则使半导体的应用进入光电子学领域。用砷化镓基材料及其类似的一些化合物半导体,如镓铝砷、磷镓砷、铟镓砷、磷化镓、磷化钠和磷砷化镓等,制备出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到不可替代的作用,由此也带来了VCD和多媒体等的飞速发展。 目前,人们又开始研究新一代的宽禁带半导体材料。其中最有意义的是碳化硅、氮化镓和氧化锌。这些材料的共同特点是它们的禁带宽度在3.3到3.5电子伏之间,是硅的3倍,比     

激光晶轴定向仪及其应用

<正> 在集成电路的生产中,往往出现隐埋图形畸变的问题.据认为,这是由于硅片的切割方向不当引起的.为了解决这个问题,在切片前先定出硅单晶的方向,使之能按最佳的方向切片,是十分必要的.激光晶轴定向仪是一种结构简单、便于操作、精度可靠、不需暗室的晶轴定向仪器,是一种可直接用于集成电路生产的、应用日趋广泛的仪器.下面加以介绍.     

真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究

在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元(O_2,SiO等)亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO_2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10~(-2)托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。     

数字化时代的模拟集成电路

模拟集成电路是微电子技术的核心技术之一,在国防科技、工业生产和日常生活中有着广泛应用,在数字化时代也进入了一个前所未有的发展阶段。本文概述了模拟集成电路的应用和发展趋势,并展望中国模拟集成电路的发展。