电子束蒸镀透明导电薄膜

一、引言 In_2O_3-SnO_2透明导电薄膜,具有高透明导电性能,因此被用作电光显示、电光快门的透明电极以及增透膜和红外反射膜等。人们用金属、金属氧化物等制备材料,提出各种制备方法,得可见光透光率大于90％,电阻率10~(-4)(?)·cm数量级的透明电极。目前,欲得透光率高     

具有半导体性质的7,7,8,8-四腈基-对苯醌二甲烷(TCNQ)稀土化合物

稀土金属离子TCNQ~(?)化合物的研究还很少,仅初步报道了Ce~(3+)(TCNQ~(?))_3·6H_2O及Sm~(3+)(TCNQ~(?))_3·6H_2O的合成以及后一化合物的电阻率为2×10~4(ohm·cm)。本工作合成了11个稀土TCNQ化合物和5个大环配体的稀土TCNQ化合物,对它们的谱学性质和电性质进行了测试研究。     

L~p空间上一类积-微分算子的谱

考虑如下被真空包围的有界闭凸集V中的中子迁移算子 A·=-vΩ·grad_r·-vΣ(r,v)·+∫_D∫_E κ(r,v,Ω,v′,Ω′)·dv′dΩ′,D(A)={Φ∈L~p(G)\AΦ∈L~p(G);Φ(r,v,Ω)=0对r∈aV及进入V的方向Ω成立},(r,v,Ω)∈G=V×E×D,E=(0,v_M],0相似文献   

金刚石薄膜的紫外区电致发光

金刚石薄膜在光谱蓝区的电致发光已有过一些研究工作。然而迄今为止,金刚石薄膜在紫外光谱区的电致发光现象尚未见有报道。我们采用了非晶金刚石薄膜——本征金刚石薄膜——掺杂金刚石薄膜3层结构,制备了电致发光器件。观察到在近紫外光谱区380nm处有一发光主峰。 为了提高金刚石薄膜的成核密度,改善薄膜的均匀性,我们采用脉冲激光沉积技术首先在硅衬底上沉积一层非晶金刚石薄膜。非晶金刚石薄膜脉冲激光沉积的实验装置已在文献[4]中有过详细描述。采用波长355nm,重复频率5Hz的Q开关3次谐波YAG激光器,激光功率密度为3.5×10~8W/cm~2。沉积时间5min,获得的非晶金刚石薄膜厚度为0.15μm,电阻率为1.33×10~6Ω·cm。为了提高电致发光器件的击穿电压,再利用微波CVD系统在非晶金     

利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质

利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为固相源、ZnNO₃为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm^-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm²/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.     

高弹性高导电稳定性炭黑/碳管/硅橡胶复合材料的设计与制备

采用少量炭黑(CB)和少量碳纳米管(CNTs)并用,通过调控CB和CNTs在甲基乙烯基硅橡胶(PMVS)基体中的网络结构,成功制备了低导电填料下高弹性、高导电性、高循环拉伸导电稳定性的PMVS-CB-CNTs导电橡胶复合材料.当1.8%(体积百分比,下同)CB和1.2%CNTs并用时,复合材料体积电阻率降低至271Ωcm, 30%拉伸应变下的体积电阻率(R/R0)为2.1,10次循环拉伸再回复后其R/R_0低至1.3.CNTs是原位生长在层状双氢氧化物表面而制备的碳管阵列(CNTA),其与橡胶混炼加工时易于解离成单根分散碳管,不易缠结,且其高长径比有利于低填料量下获得高导电性;而CB的各向同性能够使复合材料拉伸回复后形成新的导电通路.由于所用CNTs具有纳米弹簧效应,复合材料保持了良好的弹性和柔顺性.进一步研究了复合材料在拉伸应变过程中的电导性的变化和循环拉伸导电稳定性,以及拉伸应变下导电网络结构变化和拉伸前后的填料网络结构变化,探明了复合材料导电网络结构与导电性及导电稳定性的关系.结果表明,低含量CB和CNTs可在橡胶基体中形成较强的双导电网络结构;拉伸时,CNTs作为桥梁连接单个的CB粒子及其聚集体,导电网络破坏较小;经循环拉伸再回复后,CB和CNTs又可回复形成较强的双导电网络结构,因此该复合材料电导性较高,且单次拉伸和循环拉伸导电稳定性均较好.     

对半导体材料研究的一些意見

远在十九世紀后半世紀,半导体的某些特性就已被发現。但是对它系統地深入研究,只不过是最近二三十年的事。在第二次世界大战期間,利用半导体p-n結的整流作用制成的检波器,解决了真空管所不能解决的雷达技术中极高頻电路的应用問題以后,半导体科学技术获得了极为蓬勃的发展。物貭按其导电的性貭可分为三类,即导体、电介貭和半导体。导体的电阻率約为10~(-6)～10~(-4)欧姆·厘米;电介貭的电阻率約为10~(14)～10~(18)欧姆·厘米;半导体的电阻率介于导体和电介貭之間。半导体与电介貭只是有量上的差別,而半导体与导体则具本貭的差别。半导体的电阻温度系数为負。电介貭亦如是,不过只有在     

Si的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带法所制备的。研究用的样品均垂直拉晶方向[111]切成16×4×2毫米~3的矩形。电极用冷压金丝或铝合金化经压触来达到欧姆接触。电阻<10~5欧姆的样品,用直流补偿法来进行测量,电阻>10~5欧姆的样品,则采用DC-1静电计电路来进行测量,前者实验误差为±5％,后者为±10％。从霍尔系数与电阻率的温度关系分析指出,对于较纯样品的硼受主能级的电离能为4.5×10~(-2)ev(位于价带上),磷施主能级的     

4-取代苯并十五冠五取代基效应与磁圆二色谱的关系

自从1967年Pedrsen开拓冠醚化合物研究以来,冠醚化合物与金属离子的配位作用的研究已相当广泛。冠醚化合物的催化、分离性质日益重要,深刻地研究冠醚化合物的本质很有必要。本文研究了取代苯并冠醚的磁圆二色性,而这一方面的研究还未见报道。1 实验结果化合物的磁圆二色谱在磁场强度0.7T下用JASCO-J20C型自动记录旋光仪测定,标度2/1000池长0.5cm,浓度为5×10~(-4)mol/L,实验结果及取代基的Hammett参数列于表1。MCD谱见图1,[θ]_M值为1T下的摩尔椭圆度(°·cm~2·dmol~(-1))。化合物4-取代苯并十五     

多壁碳纳米管修饰碳糊电极阳极吸附伏安法测定痕量锆

制备了多壁碳纳米管(MWCNT)修饰碳糊电极, 并研究了锆-钙-茜素红(ARS)异多核络合物在该电极上的阳极吸附伏安行为. 该方法用于锆的测定具有较高的灵敏度和较好的选择性. 在极谱分析仪上采用二阶导数线性扫描伏安法进行分析, 在0.128 mol·L^-1氨基乙酸和0.048 mol·L^-1邻苯二甲酸氢钾缓冲液(pH 4.0)中, 在200 mV富集60~120 s, 从200~1200 mV以200 mV·s^-1的速率线性扫描, 络合物吸附在修饰电极表面, 于840 mV (vs. SCE)处产生一灵敏的溶出峰, 为络合物中配体茜素红的氧化所产生. 络合物的峰电流与锆的浓度在6.0×10^-12 ~ 6.0×10^-11 mol·L^-1(富集时间120 s), 6.0×10^-11 ~ 2.0×10^-9 mol·L^-1 (富集时间90 s)和2.0×10^-9 ~ 1.0×10^-7 mol·L^-1(富集时间60 s)范围内分三段呈良好的线性关系, 检出限(S/N = 3)为2.0×10^-12 mol·L^-1(富集时间180 s). 方法用于岩矿样品中痕量锆的测定, 结果满意.     

东海陆架坡折小尺度过程观测

2004年3月7日至9日东方红2号船在东海陆架坡折海区进行了温度、盐度和湍动能耗散率的直接观测. 从Turner角的计算结果看, 在水体的上50 m层同时存在着双扩散对流、盐指和层结稳定的区域; 50 m以下, 只存在着弱的盐指现象. 观测站位的湍耗散率的范围从1.0 × 10^-9~1.2 × 10^-6 W·kg^-1, 并且沿着M₂潮的波射线显著增强; 相应的混合率的范围是从1 × 10^-6~1 × 10^-2 m²·s^-1, 整个断面的平均混合率为2.3 × 10^-3 m²·s^-1, 远大于大洋背景场的平均混合率1 × 10^-5 m²·s^-1.     

变分不等式的并行Schwarz算法

设Ω为R~d中有界多角形区域,V为Sobo1ev空间H~k(Ω)的子空间,a(·,·)为V×V上连续强制对称双线性型,f∈V。为简单计,设V中元素在Ω上满足齐次边界条件。考虑变分不等式:求u∈K使 a(u,v—u)≥f(v—u), (?)v∈K, (1) 其中 K={v∈V:v≥φ于Ω},φ≤0于(?)Ω, (2) 或者 K={v∈V:φ≤v≤ψ于Ω}, φ≤0≤ψ于(?)Ω, (3) 且φ,ψ∈H~1(Ω)∩C~0(Ω)。 设V~h(?)H_0~1(Ω)是V的有限元逼近且其结点参数值包含在结点的函数值。问题(1),(2)或问题(1),(3)的有限元逼近为:求u_h∈K_h使     

超导L-B膜材料:四硫富瓦烯衍生物的合成及性质

1973年,Ferraris等首次合成了有机导体四硫富瓦烯的复合物(TTF-TCNQ),其室温的电导率高达10~3Ω~(-1)·cm~(-1),从而引起人们对有机导体这一领域的重视.要进一步提高导电性,必须减少体系的库仑斥力,增加分子间的作用力,提高体系的维数.据此,Jerome等在1980年合成了四甲基四硒富瓦烯(TMTSeF)的电荷转移复合物,从此开创了有机超导体的研     

柔性全有机薄膜场效应晶体管的制备和性能

在聚乙烯基对苯二酸酯基片上依次制备氧化铟锡电极、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、并五苯半导体层和金电极, 得到了柔性全有机薄膜场效应晶体管, 器件的载流子迁移率为2.10×10^-2 cm²·(V·s)^-1, 开关电流比超过10⁵. 同时研究了柔性全有机薄膜场效应晶体管在不同曲率半径下的性能.     

NH3+NH→2NH2基元反应的理论研究

NH_3分子和基态NH(X~3∑)自由基的反应存在于氨、肼的热解离过程中,在含氮燃料的燃烧过程中也起着重要作用。到目前为止,关于此反应动力学数据的报道较少,而且差别较大。Mantel和Bair曾通过对NH_3与稀有气体的低压混合物进行闪光光解,测得室温下NH与NH_3反应的速率常数为1×10~(12)cm~3·mol~(-1)·s~(-1)。Zetzsch和Stuhl在较高压力下对NH_3与稀有气体的混合物进行闪光光解,发现在室温下NH与NH_3几乎不发生任何反应,他们给出了NH+NH_3反应速率常数的上限:k≤5×10~7cm~3·mol~(-1)·s~(-1)。最近Wagner等采用激波管技术在高温下对标题反应进行直接测量,得到了1300～1700K温度区间反应的速率方程为k=10~((14.5±0.3))exp(-(112±9)kJ·mol~(-1)/RT)cm~3·mol~(-1)·s~(-1)。对此反应的理论研究,文献未见报道。本文用G2理论首次对标题反应的势能面上各关键点进行了高水平从头计算,并在此基础上用Ering过渡态理论计算了反应的速率常数。     

超高能γ-线、高能μ-子和Centauros事例

最近实验发现来自宇宙的超高能(E_r>10~(15)eV)r-线有两方面特别重要:(1)已与十多个高能天体相对应(见Nature,315(1985),205),其中银河系内7个:CygX-3、VelaX-1、CirX-1、ScoX-1、CenX-3、GX301-2、GX304-1,大麦哲仑云中4个和小麦哲仑云中1个, E_r=(4—15)×10~(15)eV,流强F_r=(0.44—1.6)×10~(-10)(m~(-2)·s~(-1));     

PEO-LiClO4-ZSM5复合聚合物电解质的电化学研究

以催化领域广泛使用的微孔“择形”分子筛ZSM5为填料, 通过溶液浇铸法制得PEO-LiClO4-LiZSM5全固态复合聚合物电解质膜. 实验表明LiZSM5的引入可以显著地提高体系的离子电导率, 25℃时PEO₁₀-LiClO₄-10%LiZSM5的离子电导率达到1.4×10^-5 S·cm^-1. 利用交流阻抗-稳态电流相结合的方法对体系的锂离子迁移数进行了测定, 表明掺入LiZSM5后锂离子迁移数明显升高. 电化学稳定窗口实验表明PEO-LiClO₄-LiZSM5复合聚合物电解质在全固态锂离子二次电池领域具有良好的应用前景.     

两种可能的彗尾加速机制

早年,在Ⅰ型彗尾中就观测到有大的加速现象,其数值可达300 cm/s~2.近年对G-Z彗星进行直接测量,得其粒子的能量高达2×10~5eV,远高于彗星离子的初始能量(≤2×10~4eV),     

高灵敏度404型电子自旋共振波谱仪

本文简述了电子自旋共振(ESR)的基本原理,并较详细地介绍了我们自行设计、研制成功的高灵敏度404型波谱仪的结构特点和主要性能指标.404型波谱仪为3cm微波波段,高频小调场式,固体器件化的波谱仪.在设计和制作中采用了若干新技术和新方法,仪器的灵敏度高达1.6×10~(-13)·克分子D.P.P.H,分辨率优于3.5×10~(-5);并且经过三年多的使用,结果证明,仪器工作稳定可靠,适合于生物学样品的测量和一般     

Alcator C超过劳孙判据

1983年11月初,美国麻省理工学院的受控热核装置Alcator C的劳孙参数nτ达到了8×10~(13)秒·厘米~(-3),首次超过劳孙判据(即热化氘氚等离子体中输出的聚变功率大于输入的加热功率的条件是离子密度n与能量约束时间τ的乘积须大于6×10~(-3)秒·厘米~(-3))。 Alcator C是一座紧凑的高场强托卡马克(其大、小半径分别为64厘米和16.5厘米,设计场强为