电位移矢量■仅与自由电荷有关的条件

从电位移矢量D-■的定义式可知,一般来说D-■不仅与自由电荷的分布有关,而且还与束缚电荷的分布有关。但在一定的条件下,D-■仅与自由电荷有关,与束缚电荷无关。本文从理论上导出D-■仅与自由电荷有关的条件。     

关于一道静电学题目解法的讨论

通过对一道经典的静电学题目的解法的讨论,分析了介质中自由电荷与极化电荷的区别,以及自由电荷与像电荷的区别.论证了一定电荷分布(包括极化电荷)所产生的场在真空与介质中具有完全相同的形式,与场点有无介质无直接关系,并给出了该静电题目的物理图像明晰的求解.     

电位移矢量■与电荷分布的关系

本文从矢量场■的散度,旋度相联系的矢量恒等式导出电位移矢量■不仅与激发电场强度■的自由电荷分布有关,而且与束缚电荷的分布有关。并得出电位移矢量■=ε■的适用范围。     

通过拉普拉斯方程求解有特殊电荷分布的空间电势

探讨的是空间有自由电荷分布时通过拉普拉斯方程求解空间电势分布的问题。当空间有自由电荷分布且电荷分布有一定特殊性时（球对称）,可以将空间各点的电势看作是自由电荷在空间产生的电势与介质上的极化电荷在空间产生的电势相叠加。自由电荷在空间产生的电势可以用高斯（M．E．Gauss）定理进行求解,介质上的极化电荷在空间产生的电势分布满足拉普拉斯方程,可以用分离变量法求解。这样就把空间中有自由电荷分布时需求解的泊松方程的问题转化为拉氏方程进行求解,使问题得到简化。     

电荷禁闭和夸克禁闭的相似性与对偶性

证明了静电场中点电荷的禁闭条件是禁闭区外部为抗电介质,或者在禁闭区外排布镜像点自由电荷系列线.通过与色电场的类比得到,夸克禁闭区外部应为抗色介质,或者排布镜像点自由色荷系列线.自然界中并不存在的常规抗电介质,一般物质密度下也不存在点状自由色荷/夸克.因此,只有镜像点自由电荷系列线才能实现电荷禁闭,只有在强子外面存在作为抗色介质的(量子)真空区才能实现色电场的夸克/色荷禁闭.计算结果显示,当强子物质的密度足够高,以致强子互相重叠、抗色介质不再存在时,夸克/色荷禁闭即可解除.     

关于各向异性倾斜地层AVO特征提取的方法改进

推导中间界面为倾斜界面时, 上覆层为均匀各向同性介质、下伏层为横向各向同性介质(HTI介质)的双层模型中倾斜界面处地震波入射角与炮检距的关系。基于Ruger提出的存在水平界面时均匀各向同性介质下面存在横向各向同性介质(HTI介质)的反射系数表达式, 反演地层的弹性参数。通过将反演结果与前人结果进行对比, 检验了新方法的正确性以及算法的优越性。     

负折射率介质中能流传输研究

研究了平面电磁波从各向同性且均匀的右手介质(ε(ω)>0,μ(ω)>0)透射到各向同性且均匀色散的左手介质中(ε(ω)<0,μ(ω)<0)的传播规律.通过场和坡印亭矢量的表达式,计算了坡印亭矢量对时间的平均值.从能流的角度,证明了电磁波从右手介质进入左手介质中时电磁波是以负角度折射的,并进一步推算了在Drude介质中的群速度,证实了群速度vg(ω)>0.     

也论电位移矢量''''非汉字符号''''

本文阐明电位移矢量D与哪些物理量有关,并指出极化电荷分布与介质分布两个物理概念的区别和联系,其次论证了。与极化电荷分布无关和D只与自由电荷分布有关的条件以及两者的区别与联系。     

矩量法分析屏蔽导体内的多层介质多导体传输线

利用矩量法分析屏蔽导体内的多层介质多导体传输线。首先,建立该问题的算子方程;然后离散化算子方程,通过对导体和介质分界面的总电荷及介质和介质分界面自由电荷的自由空间二维格林函数分析,得出矩阵方程;最后得出屏蔽导体内多层介质中各导体的电容矩阵和电感矩阵。数值结果与现有类似结构分析结果相比较一致性较好。     

电容储能分析

电容器储存的电能W由两个部分组成:一是纯电场能We;二是电介质的级化能Wp,纯电场能We实际上就是电容器极板上的自由电荷与介质表面的极化电荷的总静电能,而介质极化能Wp是给电容器充电的过程中由于电场对介质做功而使介质储存的电能。下面就平行板电容器这个最简单的情形来计算We和Wp以及相应的能量密度We和Wp。     

含非均匀介质薄层状结构的声反射特性

应用有限元方法研究了含非均匀介质层的复合薄层结构中的低频(0~2 kHz)声反射特性,其中非均匀介质层为橡胶中周期分布的多孔介质体.文中将流体等效处理为(粘)弹性体;对多孔介质,提出在薄层、低频下忽略其骨架的运动,由Biot理论获得退化的孔中流体的基本方程,并将其等效处理为(粘)弹性体;利用Galerkin方法建立了有限元方程,分析了非均匀层中多孔介质的体积分数,孔中流体材料参数、层厚度及多层非均匀介质的不同叠合对其结构反射特性的影响.结果表明,一定条件下含多孔介质的非均匀层可明显影响结构较低频段的反射系数.     

关于三角内插多项式线性求和算子在C空间的饱和性

关于三角多项式卷积算子■_n(f·X)的饱和问题在中做了详细讨论。本文建立了三角多项式内插算子■_n(f·X)与卷积算子■_n(f·X)之间的关系,并且借助于■_n(f·X)在C空间的饱和定理得出了■_n(f·X)的饱和阶和饱和类。     

电磁场边值关系的一种证明及其推广应用

给出了一种电磁场边值关系的新证明,并把电磁场边值关系推广应用到介质分界面内或存在自由电荷面分布自由电流线分布的界面内任意曲面上,使电磁场边值问题得予进一步分区求解,在求解某些电磁场边值问题中显示出其优越性。     

关于矩形波导中的场解问题

本文将对矩形波导中的电磁场方程的解答作了较为系统的论述。其内容包括两大部分:(一)场的波动方程及其解答。(二)矩形波导中的主模 TE_(10)波。在阐述过程中,力求方法简单,步骤简洁明确。因而本文仅作为教材处理方面的一点体会。在微波传输线中,目前应用最广的一种是矩形波导,因而本文就矩形波导的场解问题,作一讨论。若有由金属壁组成的矩形波导,并取其坐标如图(1)示。其宽边为 a,窄边为 b 且设:①波导为无限长,均匀,其内介质为空气,磁导率μ=μ_0,介电常数ε=ε_0。②波导内壁为理想导体。③波导中没有自由电荷ρ和传导电流 J。④在讨论中,只考虑沿 Z 轴前进的波。则在上述条件下,求其电磁场方程的解。     

有效介质近似自洽条件的研究

运用了两种自洽条件:(1)在长波长极限下,非均匀复合介质的净极化为零,(2)非均匀复合介质的有效电场等于单个颗粒中局域场的平均值,研究了具有不同的电导张量和几何微结构的二组元无规对称分布的椭球颗粒所构成的系统的有效介质近似方程EMA1和EMA2,讨论了逾渗阈值(临界体积分数)fC随退极化因子的变化情况,说明EMA1方程能更好地解释无规非均匀介质的输运性质.并且探讨了将这两种自洽条件应用于一种颗粒浸在另一种基质中反对称分布的Maxwell Garnett型的非均匀复合介质,得出有效电导率的公式.     

导电媒质中的自由电荷分布研究

给出了导电媒质中的自由电荷分布,论述了在静止导电媒质内初始自由电荷是由传导电流传输到导电媒质界面的,不存在电荷"超光速"运行的问题.讨论了导电媒质中自由电荷的分布和负离子发生的离子浓度分布,对正确使用负氧离子发生器是有益的.     

电大三维非均匀介质体散射特性的快速分析

在体积分方程矩量法(VIE-MoM)中,采用多层快速多极子技术(MLFMA)并结合近场预条件技术,快速分析电大尺寸三维非均匀介质目标的电磁散射特性.在实施MLFMA加速技术的基础上,选取系数矩阵中近场耦合元素构造出具有近似对角特征的稀疏化矩阵,对其求逆快速构造预条件因子,用以加快GMRES迭代收敛速度.通过电大尺寸介质平板算例验证了MLFMA计算程序的正确性及其在节省计算时间和内存需求方面的明显效果.对非均匀半球壳介质体和三层非均匀介质平板的RCS进行了计算,采用上述预条件技术,收敛计算效率分别提高了87%和42%.数值结果表明,采用MLFMA结合预条件技术的VIE-MoM,是解决快速分析电大尺寸非均匀介质体散射问题的有效途径.     

一步法合成纳米CeO2溶胶及其分散稳定机理

针对胶溶法制备纳半分散体时条件严格、过程繁琐的问题,以硝酸过量的Ce(NO3)3溶液和氨水为反应物,在低pH值条件下,通过一步法合成了在水介质和乙酸乙酯介质中稳定分散的亮黄色透明的纳米CeO2胶体分散体;讨论了表面活性剂(DBS)用量与萃取率的关系,得出了用乙酸乙酯萃取时Ce(NO3)3溶液与DBS用量的最佳比.电镜照片观察到,CeO2纳米粒子在水介质和乙酸乙酯介质中均呈球形,粒径分布均匀,平均粒径约为3～5nm.初步研究探讨了在两种介质中稳定分散的机理.     

磁化等离子体的Kelvin-Helmholz不稳定性

在文献[1]中,作者讨论了均匀磁场中不可压缩等离子体的 Kelvin-Helmoholz 不稳定性,对分界面上总压力扰动取如下形式的表面波:■_1=P_0exp(-k|x|)·expi(k_yy+k_zz-ωt)其中 k=(k_y~2+k_z     

OSRC在介质覆层圆柱电磁散射中的应用

本文利用表面辐射条件(On-surface Radiation Condition,简称OSRC)分析和计算了介质覆层导电圆柱的RCS(Radar Cross Section)。文中给出了均匀介质覆层导电圆柱在TM/TE极化平面波照射下的RCS计算公式,并计算了一些例子。数值结果表明,当覆层为均匀无耗介质且电尺寸较大时,利用OSRC所得结果将足比较良好的。