化学修饰电极修饰膜中Os（bpy）3^2＋／3＋的扩散系数测定

采用计量电流法测定Os（bpy)3^2 在聚合物AQ单层和AQ和PVP组成的复合膜修饰电极中的扩散系数，结果显示复合膜中离子的扩散系数比单层膜中的扩散系数大。     

蕴含（K_4-e）＋K_3可图序列的刻划

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.K k,C k,Pk分别表示k阶完全图,圈长为k的圈和路长为k的路.本文刻划了当n≥6时,蕴含（K 4-e）＋K3的可图序列,其中,（K 4-e）＋K3如下图所示.     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

掺杂铕硅酸锶Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4的发光及结构特性

用高温高压方法合成了Sr(Eu,Bi)SiO3,Sr(Eu,Bi)2SiO4。研究了高压对其结构及发光性能的影响。与用溶脑－凝胶法和常压高温法合成的产品相比较，常压制备的Sr(Eu,Bi)SiO3为六角结构，而在2．34－4．10GPa的合成压力下，未发现其结构相变。高压能显地改就样品的发光特性。其发光强度和相对量子发光效率降低，半宽明显增加，且伴有红移发生。发光强度的改变是压致晶场的变化引起的。     

蕴含（K_4-e）＋C_4可图序列的刻画

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.Kk,Ck,Pk分别表示k阶完全图,圈长为k的圈和路长为k的路.本文刻画了当n≥6时,蕴含（K4-e）＋C4的可图序列.     

（w/g）展开法求解（2＋1）维ZK方程的显式解

利用推广的（w/g）展开法,研究（2＋1）维ZK方程,并得到了很多该方程新的显式解,包括单循环孤立子解、三角周期解、有理函数解等.     

Ca8Zn（SiO4）4Cl2：Eu^2＋,Mn^2荧光体中Mn^2＋的晶体学格位及Eu…

合成了Ｃａ８Ｚｎ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２；Ｅｕ＾２＋，Ｍｎ＾２＋荧光体，对荧光体进行了结构和光谱的测试与分析。结果表明，Ｍｎ＾２＋优先占据四面体配位的Ｚｎ格位，Ｅｕ＾２＋－Ｍｎ＾２＋之间存在着有效的能量传递。     

2-巯基-3-（4-羟基-3-甲氧基苯基）丙烯酸的合成

以香草醛为原料,利用Knoevenagel反应,在苯胺的催化条件下,与绕丹宁反应,先合成4-羟基-3-甲氧基苄叉绕丹宁,之后经过碱解,酸化,得到产物2-巯基-3-（4-羟基．3-甲氧基苯基）丙烯酸．考查了反应物的物质的量的比、催化剂用量,吡啶、甲苯用量及反应时间对产品产率的影响．反应的最佳条件是：反应物（香草醛与绕丹宁）的物质的量的比为1：1．5,反应溶剂吡啶15mL,甲苯20mL;催化剂苯胺2mL;加热回流反应2h,产率达到73．7％．     

2-芳基-3-N-丙酰基-5-（4-吡啶基）-1,3,4-唑啉类衍生物的合成及抗菌活性

4-吡啶苯甲酰肼（1）与芳香醛缩合得到酰腙（2a～2h）,而后2a～2h与丙酸酐环合,以良好的收率合成出2-芳基-3-N-丙酰基-5-（4-吡啶基）-1,3,4-（口恶）唑啉类衍生物（3a～3h）,并通过元素分析,IR,1H NMR和MS对3a～3h的结构进行了表征.初步的抗菌试验表明,部分目标化合物表现出较好的抑菌活性.