三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模

运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系。结果表明:与二元晶体量子阱线和三元混晶单量子线不同,在GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe量子阱线中分别存在十支和八支表面和界面光学声子模,这些表面和界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化呈非线性变化,三元混晶的单模和双模性也在色散曲线中体现了出来。     

三元混晶矩形量子线的表面光学声子模

运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了三元混晶矩形量子线系统的表面光学声子模.以AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe为例,获得了表面光学声子模的色散关系以及表面光学声子模的频率随混晶组分和量子线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子线不同,在三元混晶量子线系统中存在四支表面光学声子模,这四支表面光学声子模的频率曲线位于三元混晶的体纵、横光学声子的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子线结构的变化而呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现出来.     

三元混晶异质结构介面光学声子模

运用 无规元素孤立位移模型，研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学声子模。     

三元混晶核壳量子点中的光学声子模

采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了含三元混晶的球形核壳量子点中的光学声子模,选取GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnS/Zn1-xCdxS两种球形异质结构进行了数值计算.结果表明,含双模型三元混晶的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子点中存在五支界面/表面光学声子模,含单模型三元混晶的ZnS/Zn1-xCdxS量子点中存在三支界面/表面光学声子模,且两种结构中的界面/表面光学声子模频率随组分x呈现明显的非线性变化,当量子数l较小(l≤7)时,声子模的频率对混晶组分x和壳层厚度的依赖性较大.     

量子方阱中的光学界面声子

本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量，以及相应的色散关系     

量子斜阱中光学界面声子模在│kl0│《1时的近似解

在连续介电模型基础上，讨论了量斜阱中的光学界面声子；利用文献（６）所给数据，得到了在│ｋｌ０│〈〈时的电场分量和电位移分量的微扰解，以及相应的色散关系解析表达式，数值计算结果表明与方阱以及文献（３）的结果显然不同，色散关系曲线相当复杂，与方阱时相反，电场分量和电位移分量对频率十分敏感，而对│ｋｌ０│值的变化却不敏感。     

量子斜阱中光学界面声子模在｜kl_0｜<<1时的近似解

在连续介电模型基础上，讨论了量子斜阱中的光学界面声子；利用文献［６］所给数据，得到了在｜ｋｌ０｜＜＜１时的电场分量和电位移分量的微扰解，以及相应的色散关系解析表达式。数值计算结果表明与方阱以及文献［３］的结果显然不同，色散关系曲线相当复杂；与方阱时相反，电场分量和电位移分量对频率十分敏感，而对｜ｋｌ０｜值的变化却不敏感。     

纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子

在长波近似条件下,采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学声子进行计算,结果表明光学声子的频率、振子强度、介电常数随组份x出现明显的线性变化,但当组分增加到一定程度又呈现明显的非线性变化。计算结果与紫外共振喇曼散射观测到A1(LO),A1(TO)一阶声子散射峰符合的较好。     

有限单量子阱结构中电子—界面光学声子相互作用

本文给出了有限单量子阱结构中电子与有（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符，电子－声子耦合函数被计算和讨论。     

量子阱中不同支声子模对杂质态能量的影响

在量子阱材料中，同时考虑体声子和界面声子模对受主杂质态能级的影响，给出了受主杂质态基态结合能和不同支声子模对能量的贡献随阱宽变化的数值结果。结果表明，阱宽较大时，体声子模的作用比界面声子模的作用大，阱宽较小时，界面声子模的作用比体声子模的作用大，而整个电子－声子相互作用随阱宽的增大而减小。     

InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

采用有效质量理论６带模型,研究量子结构变化对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性。说明量子线结构比量子阱结构提高量子激光器光学性能。     

光学支声子模对谱线热增宽的影响

研究发现光学支声子模对谱线热增增有一定影响，尤其随着温度升高，光学支对热增宽的影响愈加明显，本文人理论上推导了光学支项的计算公式，然后全面考虑声学支和光学支对ＭｇＯ：Ｃ＾３＋ｒＲ线热增宽的贡献，并进行拟合计算，计算结果与实验结果符合很好。     

光学支声子模对谱线热增宽的影响

本文研究发现光学支声子模对谱线热增宽有一定影响。尤其随着温度升高，光不支对热增宽贡献愈加明显。本文从理论上推导出光学支项的计算公式，然后全面考虑多学支和光学支对ＭｇＯ２：Ｃｒ＾３＋Ｒ线热增宽的贡献，并进行拟合计算，计算结果与实验结果符合很好。     

单模型三元混晶界面极化子

仅考虑高频分支对极化子的贡献,研究了单模型三元混晶界面极化子的性质．既考虑了电子与体声子的耦合,又考虑了电子与两支界面光声子的耦合．我们计算了ＺｎＳｅｘＴｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＧａＡｓｘＳｂ１－ｘ（ＩｎＳｂ）两种材料里电子与声子相互作用．电子在强电场的作用下,界面光声子与电子的耦合加强．体光声子与电子的耦合在ｘ的某一点有一个极小值,两支界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化很小     

纤锌矿GaN/Alx Ga1-xN量子阱中界面声子模对极化子能量的影响

采用Lee-Low-Pines变分法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响.理论计算中考虑了定域体声子模和界面声子模的作用,同时考虑了它们的各向异性.给出极化子基态能量、第1激发态能量、跃迁能量(第1激发态到基态),以及电子-声子相互作用对能量的贡献随量子阱宽度和深度(组分)变化的数值结果.为了定性分析和对比还给出了闪锌矿量子阱中的相对应结果.计算结果表明:阱宽较小时界面声子对极化子能量的贡献大于定域声子,阱宽较大时界面声子的贡献小于定域声子.纤锌矿结构中声子对能量的贡献大于闪锌矿结构中的相应值.GaN/AlxGa1-xN量子阱中声子对能量的贡献比GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的相应值大得多,当阱宽为20nm时,电子-声子相互作用能分别约等于-35,-2.5 meV.     

双模型三元混晶的界面极化子

采用ＥＰＭＡ近似法,研究了双模型三元混晶界面极化子的性质,计算了ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＡｌＧａ１－ｘＡｓ（ＧａＳｂ）材料中界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化。结果表明,在强电场作用下,界面光声子与电子的耦合加强;体光声子与电子的耦合在ｘ的某一值处存在极小值,界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化则较复杂。     

体光学声子对耦合量子阱能级的作用

水文讨论了体光学声子对耦合量子阱能级的影响,采用包络函数近似,计算了对称耦合量子附的能级和非对称量子阱的能级与波函数。     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论     

多层球形核壳量子点中光学振动模的三元混晶效应

考虑三元混晶的"单模"与"双模"性,利用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型,研究了含三元混晶的多层球形核壳量子点中的光学声子模.选取InN/In_xGa_(1-x)N/InN和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)/ZnSe两种核壳结构进行了数值计算,其中In_xGa_(1-x)N为单模型三元混晶,ZnS_xSe_(1-x)为双模型三元混晶,给出了两种结构中声子模频率随混晶组分、量子点尺寸以及角量子数的变化关系.结果表明,InN/In_xGa_(1-x)N/InN和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)/ZnSe结构中分别存在着5支和7支界面/表面光学声子模,且均具有特殊的混晶效应,具体表现在各支声子模的频率对组分x有不同的依赖关系.当组分x0.8时,在ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)/ZnSe结构中,模6、7重合为一支.同时发现各支声子模的频率对内壳层厚度γ_1和较小的量子数l的依赖性较强.     

三元氮化物纤锌矿结构混晶InxGa1-xN中的光学声子

采用修正的无轨离子位移模型研究三元氮化物纤锌矿混晶中的光学声子模.用微扰法对系统的弗留里希耦合常数、混晶的介电常数和谐振子强度进行计算和讨论.结果表明,纤锌矿结构InxGa1-xN中的光学声子能量等物理量随组份x出现明显非线性变化,In与Ga原子之间的相互作用对混晶的性质有显著的影响.