S4+离子3s2-3s3p和S5+离子3s-3p电子碰撞激发截面

利用全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了阈值附近不同入射电子能量下S~(4+)离子基态3s~(21)S_0到激发态3s3p ~3P_(0,1,2)~1P_1和S~(5+)离子基态3s ~2S_(1/2)到激发态3p ~2P_(1/2)~2P_(2/3)精细结构能级的碰撞截面,在两种关联模型下,分析了组态相互作用对碰撞截面的影响.目前的计算结果与Wallbank实验值~([14])相比,得到很好的一致性.     

类Be离子Z=8-54内壳层激发态禁戒退激发过程

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,系统研究了类Be离子Z=8-54内壳层激发态1s2P3和1s2s~22p的结构和辐射退激发过程,详细讨论了禁戒跃迁过程随Z的变化.结果表明:对于大部分原子态,禁戒跃迁可以忽略,但对于原子态1s2p~(35)S_2和1s2s~22p ~3P_(0,2),随着Z的增大,禁戒跃迁过程迅速增大,不可忽略.     

原子高激发态的激光增强电离光谱(LEIS)

研究了可谐染料激光激励火焰中的Rb,K原子从基态跃迁到高激发态下的激光增强电离光谱(LEIS),检测到Rb原子从基态5s~2S_(1/2)跃迁到高激发态np~2P_(1/2,3/2)~0(n=13～20),K原子从基态4s~2S_(1/2)跃迁到高激发态np~2P_(1/2,3/2)~0(n=19～24)的LEI信号及Rb,K原子的光谱特征。     

应用于光学温度传感器的Er3+/Yb3+共掺的YAG晶体的光热性能研究

论文测量了在975nm激光二极管激发下,Er~(3+)/Yb~(3+)共掺YAG晶体的上转换荧光光谱.实验结果表明:该晶体在波长为523、546和558nm激发下出现强的上转换绿光,它们分别来自于Er~(3+)离子跃迁:~2H_(11/2)→~4I_(15/2),~4S_(3/2)(1)→~4I_(15/2)和~4S_(3/2)(2)→~4I_(15/2).随着样品温度的增加,上转换绿光的强度比发生变化.基于荧光强度比~2 H_(11/2)/~4S_(3/2)(1)和~2H_(11/2)/~4S_(3/2)(2),荧光温度传感器的灵敏度最大值为～0.0023K~(-1)和～0.0017K~(-1).研究成果对荧光温度传感器的发展有很大程度上的帮助.     

氩气微放电通道电子激发温度的空间分布

采用发射光谱法,研究了气体压强为1.01×105Pa条件下氩气介质阻挡放电单个微放电丝通道中电子激发温度的空间分布.通过氩原子763.51 nm(2P6→1S5)和772.42 nm(2P2→1S3)2条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:在只有1个微放电丝的条件下,电子激发温度在放电通道中不是1个恒定值,而是在放电通道正中间出现1个最大值,越靠近电极越小.本工作对研究介质阻挡放电中等离子体的动力学过程和单个微放电丝模型的建立具有重要意义.     

Pr3+∶Y2 SiO5 晶体中橙-蓝频率上转换过程

测量了Pr3+∶Y2SiO5晶体的吸收谱, 标定了室温下Pr3+在Y2SiO5晶体4f2组态内的能级. 利用579 nm激光激发Pr3+∶ Y2SiO5晶体, 观察到480～515 nm上转换荧光带. 运用时间分辨激光光谱技术测量了3P0能级的上转换荧光衰减曲线. 通过研究上转换荧光的衰减曲线、吸收谱、激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系, 确定了以1D2为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制.     

Rb2（1Λg）高位态的预解离和碰撞转移过程

池温控制在519-548K之间,在不充任何缓冲气体的纯Rb样品池中,Rb原子密度在4-8×1015cm-3范围,Rb2分子的粒子数密度数量级为1014,利用YAG脉冲激光器的680nm激光双光子激发Rb2的X1Σg+态至1Λg高位态.利用激光感生荧光光谱法研究Rb2(1Λg)+Rb(5S)→Rb(6 D,8S)的预解离和碰撞转移.在不同的Rb原子密度下探测1Λg→B1Πu的时间分辨荧光,得到不同Rb密度N时1Λg态的有效寿命.利用Stern-Volmer方程,看出有效寿命的倒数与Rb密度成线性关系,从直线的截距和斜率分别得到1Λg→B1Πu辐射寿命与预解离率之和及总的碰撞截面.用光子计数器测量时间积分荧光强度I3[Rb2(1Λg→B1Πu)],I2[Rb(8S→5P3/2)]和I1[Rb(6 D→5P3/2)],从直线的斜率和截距并结合从Stern-Volmer方程得到的结果,确定Rb2(1Λg)的预解离率,ΓP8S=(6.5±0.6)×106 S-1,ΓP6 D=(4.1±0.3)×106 S-1和碰撞转移截面σ8S=(7.9±0.7)×10-13cm2,σ6 D=(6.2±0.3)×10-13cm2.     

脉冲放电等离子体电子激发温度发射光谱诊断

利用微量Ar的发射光谱,对标准大气压N2脉冲流光放电等离子体特性进行了实验研究.在对所得Ar原子荧光谱线归属的基础上,分别采用谱线相对荧光强度比值法,玻尔兹曼曲线斜率法和费米-狄拉克布居分布模型法3种计算方法,对标准大气压N2脉冲流光放电等离子体电子激发温度进行分析比较.结果表明:采用玻尔兹曼曲线斜率法和费米-狄拉克布居分布模型法计算得到的电子激发温度非常接近,分别为(7 474±500)K和(7 480±500)K,说明本研究所涉及的脉冲流光放电等离子体至少接近局部热平衡.     

激等离子体线状光谱的辐射机制和时间演化过程分析

利用波长为1064nm、脉宽为10ns的脉冲激光烧蚀Hg0.8Cd0.2Te晶体表面,由光学多道分析仪（OMA）记录其激光等离子体的时间分辨光谱．通过对等离子体线状谱的演化分析得知：等离子体的膨胀过程是一个原子不断被激发的能量交换过程;线状谱的发射机制是碰撞激发．     

Pr3+∶Y2SiO5晶体中橙—蓝频率上转换过程

测量了Pr³⁺∶Y₂SiO₅晶体的吸收谱, 标定了室温下Pr³⁺在Y₂SiO₅晶体4f²组态内的能级. 利用579 nm激光激发Pr³⁺∶Y₂SiO₅晶体, 观察到480~515 nm上转换荧光带. 运用时间分辨激光光谱技术测量了³P₀能级的上转换荧光衰减曲线. 通过研究上转换荧光的衰减曲线、 吸收谱、 激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系, 确定了以¹D₂为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制.      

β胡萝卜素低温荧光谱的特征

本工作观察了直链β胡萝卜素分子(溶于正己烷,浓度5×10~(-5)mol/l在80K和20K的低温下的荧光谱,激发波长分别是位于~1Bu~ (S_3)吸收光谱段的412,465,477和485nm。光谱线的特征提示:在S_3能级的上方存在另一能级S_3.谱线还表明在极低的温度下,从S_3到S_2能级以及从S_4,S_2到S_1能级之间的内转换效率明显提高。     

CaAl_2_O4:Eu~(3+)的制备、结构及光致发光特性

采用自蔓延燃烧合成技术成功制备了纯净的单相CaAl_2O_4:Eu~(3+)红色荧光体,并采用XRD分析及红外光谱对其进行了表征.结果表明:晶胞属立方晶系,P21/n空间群;晶胞参数a=0.870 0 nm,b=0.810 2 nm,c=1.522 2 nm,β=90.148 5°,Z=12.激发光谱在260～290 nm处带状强激发峰为O~(2-)→Eu~(3+)的电荷迁移带(CTB)跃迁吸收,322,365,387和397 nm处的激发峰分别来自~7F_0→~5H_3,~7F_0→~5L_8,~7F_0→~5G_2,~7F_0→~5L_6的跃迁吸收.发射光谱在579,589,617,655和701 nm处的发射峰分别归属于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_J(J=0,1,2,3,4)跃迁发射.SEM显示样品表面光滑、结晶好.     

外电场作用下PbS分子结构及其特性

对S原子采用6-311+G*基组,Pb原子采用aug-cc-pVTZ-PP基组,利用密度泛函理论中的B3LYP方法研究不同强度外电场(-0.04～0.04a.u.)下PbS分子基态的几何结构、能级、电荷布居、谐振频率和红外光谱强度及前6个激发态的激发能、吸收谱和振子强度的影响.结果表明:随着正向电场的逐渐增大,PbS基态分子的键长和红外光谱强度先减小后增大;谐振频率、分子总能量、HOMO能量E_H和LUMO能量E_L先增大后减小;能隙E_g和分子的电偶极矩则减小.随着正向电场强度的增大,由基态至~1Σ态、前2个~1Π态和前3个~1Δ态跃迁的激发能减小,波长增大;电场的引入还将改变激发态出现的顺序.     

激发态Cs(6P)原子间碰撞能量转移截面

目的研究Cs(6P3/2)+Cs(6P3/2)→Cs(nLJ=8S1/2,4F5/2,4F7/2)+Cs(6S1/2)碰撞能量合并过程。方法利用一台单模半导体激光器共振激发6P3/2态,利用另一与泵浦激光束反向平行的单模激光束作为吸收线探测激发态原子密度及其空间分布,吸收线调至6P3/2→8S1/2跃迁,并可平行于泵浦激光束移动。由激发态原子密度和谱线的荧光强度比得到碰撞能量合并的截面。结果碰撞转移到8S1/2,4F5/2和4F7/2的截面分别是(5.43±1.56)×10-16cm2,(4.89±1.16)×10-16cm2和(6.17±1.60)×10-16cm2。结论计算结果是准确的并与其它实验结果进行了比较。     

微波辅助合成色控型CMC-Tb/Eu纳米复合物的荧光性质

微波辅助下通过共同沉淀法制备了一系列可色控的CMC-Tb/Eu复合物,并通过SEM-EDS、TEM、XPS、UV-Vis,荧光光谱和荧光寿命检测等方法考察了复合物的形貌、结构、荧光性能以及能量转移特征.结果表明:CMC-Tb/Eu复合物的表面与CMC的相比裂痕多,有小粒子集聚于CMC表面,颗粒为实心结构,平均直径为75~98 nm;纳米复合物中金属离子都与CMC分子链上的—OH、—COO~-以及—COC—中O原子发生配位键合和离子;CMC为主要的光能量吸收体,在其与稀土离子的能量传递过程中,传递给Tb~(3+)的效率要远大于传递给Eu~(3+);在激发光为350 nm下,CMCTb/Eu发射光谱中存在~5D_4→~7F_5(544 nm)和~5D_4→~7F_6(489 nm)Tb~(3+)跃迁峰;589 nm和616 nm附近的两个发射峰是由Tb~(3+)的~5D_4→~7F_3和~5D_4→~7F_4跃迁以及Eu~(3+)的~5D_0→~7F_1和~5D_0→~7F_2跃迁叠加所致;实现了荧光光色可控.Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5跃迁峰强度变化以及纳米复合物的荧光寿命变化证明了纳米复合物存在Tb(Ⅲ)Eu(Ⅲ)能量转移.     

4-氟苯酚分子在S_1←S_0跃迁过程中分子构型和振动频率的变化研究

文章利用从头算法(ab initio)和密度泛函理论(DFT)计算得到4-氟苯酚(FPO)分子在S_1←S_0跃迁过程中分子构型和振动频率的变化。FPO分子在S_1←S_0跃迁过程中键长和键角的变化表明π*←π的激发使得苯环发生了扩张,取代基羟基(OH)和氟原子(F)与苯环的相互作用在S_1←S_0的跃迁中发生了变化。FPO分子的振动模式在S_1态的频率值普遍低于其在S_0态时的频率值,这说明FPO分子的结构在S_0态的刚性强于在S_1态的刚性。     

混合气体介质阻挡放电中的电子激发温度

采用光谱法,研究大气压下氩气/空气介质阻挡放电中电子激发温度随空气含量的变化.放电装置为水电极介质阻挡放电装置,通过氩原子763.51nm(2P6→1S5)和772.42nm(2P2→1S3)两条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:当空气的体积分数为10%～60%时,电子激发温度随空气含量的增加而减小.     

Nd:La0.02Lu0.98VO4晶体的生长与性能研究

利用提拉法生长Nd:La_(0.02)Lu_(0.98)VO_4单晶.经测试,晶体的晶胞参数a=b=0.703 7 nm,c=0.624 2 nm;a向和c向的热膨胀系数分别为α_a=4.3×10~(-6)K~(-1)和α_c=11.6×10~(-6)K~(-1).室温下测试偏振吸收和荧光光谱,结果显示:晶体在809 nm处有较大的吸收线宽5.00 nm(σ)和6.15 nm(π),较大的吸收截面4.70×10~(-20)cm~2(σ)和10.47×10~(-20)cm~2(π).在1 065 nm处有强荧光发射峰,半峰宽分别为2.27 nm(σ)和1.82 nm(π),受激发射截面σe分别为6.5×10-19cm2(σ)和13.8×10~(-19)cm~2(π),荧光寿命为102.5μs.利用未镀膜的晶片进行初步激光实验,获得1 065 nm连续和调Q激光输出.在最高泵浦功率20 W时,获得最高4.95 W的连续输出,光-光转换效率为24.8%,斜效率27.9%;在脉冲重复频率为5 kHz时,得到最高的峰值功率为61.99 kW.结果表明,Nd:La_(0.02)Lu_(0.98)VO_4晶体可能成为新的脉冲激光晶体.     

硫氰酸盐和结晶紫分光光度法测定痕量汞

在酸性溶液中,汞(Ⅱ)与过量的硫氰酸盐形成[Hg(SCN)_4]~(2-)配阴离子,在阿拉伯树胶和乳化剂OP存在下,可进一步与结晶紫形成离子缔合配合物(CV)_2[Hg(SCN)_4],此时溶液发生明显的颜色变化.离子缔合物的最大吸收在535nm处,并且具有非常高的灵敏度,摩尔吸光系数ε=1.15×10~6L·mol~(-1)·cm~(-1),方法可用于水中痕量汞的测定.     

氧硫化碳在230nm附近的三重态解离通道

氧硫化碳(OCS)在吸收230 nm左右的光子后迅速解离,生成的CO(X1Σ+g,v=0,J=42~65)碎片通过(2+1)共振增强多光子电离后检测.通过对CO+进行速度成像,获得了CO+的平动能布居和角度分布.除了主要的单重态通道S(1D)+CO(X1Σ+g,v=0)以外,三重态解离通道形成的S(3P)原子也被观测到,其通道分支比约为0.5%,并且随CO的转动激发而略增加.结合最新计算的OCS电子激发态势能面,获得了OCS的三重态解离机理:OCS吸收230 nm光子被激发至A1A'态,进而通过旋轨耦合至b3A″态解离.