沉积电压对辅助加热PCVD—TiN涂层的影响

研究了不同的沉积电压对辅助加热式ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的影响。实验证明,提高沉积电压可以细化ＴｉＮ涂层的柱状晶结构,增加ＴｉＮ涂层的显微硬度和沉积速率。在试验范围内,涂层内残存的氯含量基本不受沉积电压的影响。     

动态混合高结合力超厚TiN膜

在新型的ＭＢＭＩ多束混合注入设备中、高真空条件下，在Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ基底上采用化学配比态的强流Ｎ＾＋离子束，动态混合真空弧Ｔｉ等离子体束的沉积膜，得到高结合力（Ｌｃ：１００Ｎ）超厚（１０－３０μｍ）的ＴｉＮ膜。     

反应磁控溅射离子镀TiN膜的工艺参数

为改进反应磁控溅射离子镀氮化钛膜工艺,提高溅射速率和改善薄膜质量,本实俭测得了靶极电压与氮气流量;靶极电流与氮气流量;溅射室内气体压强与氮气流量;氮化钛膜的颜色与氮分压;靶极功率与氩气分压强的关系,以及薄膜层中氮含量、钛含量沿薄膜表面的分布。探讨了影响镀膜的主要工艺参数。     

PCVD—TiC膜的工艺及其应用研究

通过正交试验对ＰＣＶＤ－ＴｉＣ膜的镀膜工艺参数进行了优化，得到了制备高硬工，高结合牢度和高沉积速度ＴｉＣ膜的工艺参数。试验表明，在用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＣ膜的过程中，ＴｉＣｌ５和ＣＨ４的流量是重要的控制参数。过多的ＴｉＣｌ４和ＣＨ４都会给ＴｉＣ膜带来不利的影响。     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究

利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构。在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的。     

基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响

应用Ｘ射线衍射分析研究了基片负偏压对ＰＥＭＳＩＰ法ＴｉＮ涂层相组成的影响；结果表明，随着基片负偏压增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，进而影响膜层的硬度。通过微区化学成分分析（ＥＤＳ）研究了膜基界面附近的成分分布。结果表明，界面处有过渡层；偏压愈高，过渡层愈显著。     

温度和时间对TiN涂层性能的影响

采用松理化学气相沉积（即ＰＣＶＤ）技术，在不同的温度和时间下制备２组ＴｉＮ涂层试样；讨论了温度与时间对涂层性能的影响，并在微观结构分析基础上，讨论了时间和温度等工艺参数与微观结构和性能间的关系     

空心阴极离子镀氮化钛工艺对膜层性能的影响

本文主要研究HCD离子镀中工艺参数对膜层性能的影响。测量了镀膜室内温度及沉积膜厚的分布;研究了反应气体量对膜层性能的影响;分析讨论了温度、反应气体量的作用。结果表明,镀膜过程中工件最高温度低于500℃,可用于高速钢刀具镀膜,镀膜厚度沿工件架环向分布极不均匀,随氮流量增加,膜层组份,相结构及择优取向均发生变化,从而对膜层机械性能产生了影响。     

PEMSIP法Ti2N和TiN两相涂层工艺研究

介绍了等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ涂层的工艺，组织结构和性能，研究了氮分压和靶功率对涂层相组成和性能的影响，讨论了Ｔｉ２Ｎ对涂层硬度的影响，实验结果表明，由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的涂层硬度高，显著提高刀具耐用度。     

射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

用射频等离子体沉积择优取向的ＴｉＮ膜，用Ｘ－衍射的方法分析影响取向的原因。     

沉积温度对直流磁控溅射TiN薄膜结构和表面形貌的影响

利用直流磁控溅射技术,在锆合金基体表面上研究不同基体温度对沉积TiN薄膜的影响.分别采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)对TiN薄膜结构、表面形貌和截面形貌进行了研究.研究结果表明:TiN薄膜在不同沉积温度下晶格取向是不同的;200℃时,TiN为随机取向;300℃时,TiN薄膜以(111)为择优取向;400℃时,薄膜晶化质量不断提高,最后逐渐趋于稳定.300℃时,薄膜的致密性与均匀性较好,表面无明显缺陷.     

用PCVD法制备抗高温氧化涂层的研究

研究了用ＰＣＶＤ法所制备的ＴｉＮ,ＴｉＡ１Ｎ及ＴｉＳｉＮ硬质支的抗高温氧化性及ＴｉＮ涂层在双氧水介质中的抗氧化性能。结果表明,ＴｉＡ１Ｎ,ＴｉＳｉＮ涂怪在空气中的抗高温氧化性可在７００℃以上,ＴｉＮ涂层可达６００℃。在双氧水介质中,ＰＶＣＤ－ＴｉＮ涂层仍具有较强的抗氧化能力,且优于ＰＶＤ－ｉＮ涂层。     

化学气相沉积耐磨涂层TiN的温度选择

化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3～10μm可使模具寿命提高3～4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950～1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv(1)≈20000N/mm~2,基体尺寸变化在万分之五以内。     

计算机控制的PCVD系统

对ＬＬ－ＰＣＶＤ（真空负载保护等离子体化学气相沉积系统）进行了计算机控制的改进，改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜。讨论了关键的技术问题     

金刚石覆镀TiN膜的工艺改进及效果

阐明了金刚石覆盖的最佳途径－真空离子覆镀TiN膜。同时通过对从清洗、轰击、到物料的振动与翻滚等全部工艺过程的论述，说明了金刚石覆镀TiN膜的实施过程。通过结果讨论，说明金刚石覆镀TiN膜后的综合性能明显优于未镀和其它覆镀的性能。     

TiN涂层金属学特性对高速钢刀具耐用度的影响

分别运用扫描电镜、透射电镜和Ｘ射线射仪研究了空心阴极法制备的ＴｉＮ涂层的组织结构，微观形貌，内应力和相组成及其对ＴｉＮ涂层高速钢刀具耐用度的影响。