Sn_(0.95)Ga_(0.05)P_2O_7/聚四氟乙烯复合电解质的中温电性能

本文采用固相法合成了有机-无机复合电解质聚四氟乙烯/Sn_(0.95)Ga_(0.05)P_2O_7。XRD、SEM结果表明Sn_(0.95)Ga_(0.05)P_2O_7和PTFE复合没有发生反应生成新物质。采用电化学工作站研究了在中温(50~250℃)范围样品的电性能。电导率测试表明气体气氛显著影响电导率:σ(wet O_2)σ(wet N_2)σ(dry N_2)σ(dry O_2)。复合电解质在干燥氧气气氛中,175℃电导率达到最大值为:2.6×10~(-2)S·cm~(-1)。湿润氧气气氛下的水蒸气浓差电池说明质子导电性在复合电解质中存在。H_2/O_2燃料电池性能测试表明,在150℃下,最大输出功率密度为63 mW·cm~(-2)。     

溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.95)Ti_(0.05)O_3及其性能研究

利用无机醇盐制备了锆钛酸铅Pb Zr0.95Ti0.05O3溶胶-凝胶,并在不同温度下烧结了PZT陶瓷.用XRD测量了PZT陶瓷的晶体结构,实验结果发现随烧结温度从500℃升高到800℃,PZT的晶态由焦绿石相变为钙钛矿相.用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼谱(Raman)测量了PZT陶瓷的光谱,确定了PZT陶瓷由焦绿石相变为钙钛矿相的转变温度为600℃左右.测量结果与固相法(950℃)烧结的PZT陶瓷做了对比.     

以MOFs为前驱体合成NaTi_2(PO_4)_3/C及其电化学性能

以金属有机骨架结构MIL-125与磷酸盐反应制备了磷酸钛钠/碳(NTP/C)复合材料。MIL-125前驱体既用作钛源和碳源,还充当模板剂,在该复合材料的合成和形貌控制中发挥了重要作用。对材料进行XRD,SEM以及电化学性分析测试,讨论了不同煅烧条件对材料电化学性能的影响。实验结果表明:在900℃煅烧1h的条件下得到的磷酸钛钠/碳复合材料的结晶性能良好,并且具有最佳的电化学性能。     

水热合成NaZr_2(PO_4)_3的研究

拓宽了NaZr_2(PO_4)_3的水热晶化条件,在摩尔比为:P_2O_5/ZrO_2=30～0.75,Na~+/P≥1:3,H_2O/ZrO_2=900～215,pH≤2.0,250℃的条件下,制得了纯相NaZr_2(PO_4)_3晶体,用XRD,IR和Raman光谱对其进行了表征.讨论了水热合成诸因素对产物物相的影响.初步研究了水热生成磷酸锆钠的机理及F~-对NaZr_2(PO_4)_3晶体生长的影响.     

0.05Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3-0.95PZT的性能研究

采用固相合成法制备 0 .0 5Ba(Cu1/ 2 W1/ 2 )O3 - 0 .95PZT三元体系压电陶瓷 ,研究了烧结温度对压电陶瓷压电性能的影响 ;通过XRD和SEM测试发现材料仍为钙钛矿结构 ,显微分析表明晶粒之间结合紧密 ,颗粒大小均匀 ;实验结果表明 ,压电陶瓷的压电系数d3 3 为 6 0 5pC/N ,机电耦合系数Kp为 0 .37左右 ,机械品质因数Qm 为 6 0。     

Ca_3(PO_4)_2和Ca_5(PO_4)_3(OH)的表面处理及血液相容性

根据含32 P复合新型材料应用于内辐射治疗肿瘤的设想 ,以非标P模拟32 P ,用IR、接触角测定、复钙时间测试等方法研究了Ca3(PO4) 2 和Ca5(PO4) 3(OH)粉末的表面处理的效果、泄漏情况及血液相容性 结果表明 :Ca3(PO4) 2 和Ca5(PO4) 3(OH)粉末经硅烷偶联剂KH - 570处理后 ,表面形成偶联剂膜 ,有效提高粉末的疏水性 ,并明显降低P在水中的溶出量 ;同时可以提高粉末的血液相容性 ;当KH - 570溶液的浓度为 1 5%～ 2 0 % ,且KH - 570用量是粉末的 2phr时 ,表面处理的效果较佳     

Ni-Fe-P/Al_2O_3复合电沉积工艺对Al_2O_3复合量的影响

研究了Ｎｉ－Ｆｅ－Ｐ／Ａｌ２Ｏ３复合电沉积的工艺参数对沉积层中Ａｌ２Ｏ３硬质微粒复合量的影响．结果表明，复合电沉积层中Ａｌ２Ｏ３微粒复合量随镀液中Ａｌ２Ｏ３含量、温度、阴极电流密度以及ＮａＨ２ＰＯ２含量的改变表现出不同的变化趋势．在实验工艺条件下，可获得Ａｌ２Ｏ３硬质微粒均匀弥散分布的复合电沉积层，其中Ａｌ２Ｏ３的最大复合量可达１３．４８％（体积）．     

Mg_3(PO_4)_2修饰铂钨锆复合氧化物的性能

采用浸渍-焙烧法制备不同含量Mg_3(PO_4)_2修饰的铂钨锆复合氧化物(Pt-WO_3/ZrO_2)。采用N_2吸附-脱附、X线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、NH_3程序升温脱附(NH_3-TPD)、H_2程序升温还原(H_2-TPR)以及CO脉冲吸附等手段对Mg_3(PO_4)_2修饰的Pt-WO_3/ZrO_2进行表征。通过连续的固定床反应器对Mg_3(PO_4)_2修饰的Pt-WO_3/ZrO_2催化甘油氢解的稳定性能进行评价,并利用水热釜对修饰前后的WO_3/ZrO_2载体进行水热稳定性研究。结果表明:一定量Mg_3(PO_4)_2修饰的Pt-WO_3/ZrO_2,ZrO_2的四方相较单斜相增长较多,总酸量增加,Pt的分散度增大,金属的还原性能增强,其中2%Mg_3(PO_4)_2修饰的Pt-WO_3/ZrO_2催化甘油氢解的稳定性能较为显著,200 h内反应基本趋于稳定。一定量Mg_3(PO_4)_2的引入有效地促进了ZrO_2晶型的转变,促使其他晶型的ZrO_2更多地转变为四方相的ZrO_2,阻止了WO_3/ZrO_2载体总酸量的降低和孔道结构的坍塌,从而提高了WO_3/ZrO_2载体的水热稳定性。     

[(NH_4)_3PO_4·(Mo~((Ⅵ))O_3)_3·(Mo2~((Ⅴ))O_5)_4]·8H_2O的合成和性质研究

在酸性介质中,以抗坏血酸为还原剂,用简便方法一步合成了[(NH_4)_3PO_4·_3··8H_2O,并采用乙醇溶液蒸发结晶,用元素分析、可见光谱、pH值曲线、x射线衍射等方法研究了它的组成和性质。     

Nb掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能

用传统的固相烧结工艺,制备了铌掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-x/3Ti4-xNbxO15(SBTN-x),Nb掺杂量x=0.00,0.003,0.012,0.03和0.06.X射线衍射的结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Nb掺杂未改变SBTi的晶体结构.铁电测量结果表明,Nb掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.03时,2Pr达到最大值24.7μC/cm2,而SrBi4Ti4O15的2Pr仅为15.8μC/cm2,掺杂使2Pr提高近60%.同时,样品的矫顽场几乎不随掺杂量的改变而变化.掺杂后,样品的居里温度变化很小,表明Nb对SrBi_4Ti_4O_(15)的B位掺杂基本未影响材料的热稳定性能.     

Na_3Eu(PO_4)_2的相变和晶体结构

用X射线晶体学和把三价铕离子作为结构探子的方法,研究了Na_3Eu(PO_4)_2的相变和晶体结构。这个化合物存在四种同素异形变体:一种属于六方晶系的高温变体α;两种皆为正交晶相的结构近似的中间变体β和β′和一种属于单斜晶系的低温变体γ。它们的相变和晶体结构与Ca_2SiO_4和Sr_2SiO_4等同类的化合物有相似之处。在β变体中存在结构元序现象。β变体和要β′变体之间的差别只有通过低温下Eu~(3+)离子的~5D_0-~7F_0发射光谱分析才能辨认。     

晶界偏析对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

采用溶胶凝胶法制备Ca Cu_3Ti_4O_(12),通过球磨对陶瓷样品进行处理,探究此处理方法对Ca Cu_3Ti_4O_(12)介电性能的影响.研究结果表明,球磨对Ca Cu_3Ti_4O_(12)陶瓷样品的介电常数有较大影响.随着球磨时间的增加,样品介电常数显著增加,当球磨时间为4 h,其室温下介电常数可达10~6量级,比未经球磨处理的样品高2个数量级,且随温度升高,介电常数显著增大.温度上升100 K,介电常数约提高一个数量级.同时SEM分析表明,球磨处理Ca Cu_3Ti_4O_(12)样品介电常数的增大与其晶界偏析有较大的关系,特别是晶界处析出的Cu O二次相可极大地提升Ca Cu_3Ti_4O_(12)的极化率,可提高约2个数量级.     

Zr掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

通过溶胶凝胶-燃烧法制备了一系列不同比例Zr掺杂改性的Ca Cu3Ti4-xZrxO12陶瓷,利用X-射线衍射仪和宽频介电谱分析仪对陶瓷样本进行微结构表征和介电性能分析,研究不同浓度Zr元素对钛酸铜钙陶瓷电介质的介电性能的影响。结果表明,1050℃晶化处理的陶瓷具有典型钙钛矿晶体结构,纯度高,无杂相成分,并且Zr掺杂未改变陶瓷晶体结构。改性后Ca Cu3Ti4-xZrxO12陶瓷的介电常数保持104数量级以上,具有宽频(100Hz¹MHz)稳定性,且在常温下发生低频介电松弛响应。当x=0.1时,陶瓷的介电常数在10Hz频率下高达1.57×105。Zr取代Ti位能有效降低陶瓷的高频介质损耗和电导率,并随着掺杂浓度的增加出现先减小后增加的变化。当x=0.01时,改性陶瓷具有最低的介质损耗值0.076。     

H(PyH)_3[Mo_2O_4(C_2O_4)_2(H_2O)_2]_2·2H_2O的晶体结构

Ｈ（ＰｙＨ）_３［Ｍｏ_２Ｏ_４（Ｃ_２Ｏ_４）_２（Ｈ_２Ｏ）_２］_２·２Ｈ_２Ｏ的晶体结构采用。射线衍射法测定．晶体属单斜 晶系，空间群Ａ２／ｍ，ａ＝９．１１４（８）、ｂ＝１８．９４５（６）、Ｃ＝１１．４３（２）Ａ，＝１０２．３（１），Ｚ＝２，Ｄｅａｌｃ ＝２．０９，Ｄｏｂｓ＝２．０８。ｇ·ｃｍ－３。研究表明，络合物具有双氧桥双核钼Ｍｏ２Ｏ４２＝核心，Ｍｏ－Ｍｏ金属键长２．５６４Ａ．Ｍｏ为扭歪的八面体配位，二聚体由两个用的配位多面体通过共边相联系，络阴离子具有Ｃ２对称性。     

H(PYH)_3[Mo_2O_4(C_2O_4)_2(H_2O)_2]_2·2H_2O的晶体结构

H(PYH)3[Mo2O4(C2O4)2(H2O)2]2·2H2O晶体呈红棕色棱柱状外形。属单斜晶系、空间群为A2/m,晶胞参数:a=9.114(8)、b=18.945(b)、c=11.626(21)A;β=102.32(11)。晶体密度ρobs=2.08g/cm3,ρcalc=2.09g/cm3,晶胞体积为1927.5A3,由此计算出晶胞内分子数Z=2。 衍射强度数据是在CAD4四园衍射仪上收渠的,用Mo-Ka射线,借助θ～29扫描方式,在1°<θ<25°的范围内,收集到独立衍射点3571个,其中I>3σ(I)的有1762个。强度数据经LP因子,衰减因子和经验吸收校正。 晶体结构主要用重原子法和电子密度法解出。从分析三维Patterson函数,得到重原子…     

CaCu_3Ti_4O_(12)/P(VDF-TrFE)复合材料的制备和介电性能研究

采用固相法制备了微米级CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,将CCTO粉体作为填料与P(VDF-TrFE)(摩尔比为70/30)共聚物进行热压复合,主要研究了热压温度和CCTO填料含量对CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的微结构和介电性能的影响。CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料中CCTO粉体较均匀地分散于P(VDF-TrFE)共聚物中,形成0-3型复合。随着热压温度的升高,P(VDF-TrFE)基体对CCTO陶瓷颗粒的包覆性增强,结合更紧密。随着CCTO体积分数的增加,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电常数和介电损耗都有所增大,主要分别源于界面极化和填料自身较高的介电损耗。随着热压温度的升高,CCTO添料与P(VDFTrFE)共聚物结合更紧密,界面缺陷减少,复合材料的介电常数逐渐增大。而其介电损耗在一定的频率范围内随热压温度的升高变化不大。当CCTO体积分数为50%、热压温度为140℃时,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料介电性能最优。不同的复合材料介电理论模型对比表明,Yamada模型与实验数值重合度最高,可有效地预测CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电增强现象。     

[(n-Bu)_4N]_2(C_(20)H_(14)O_2)_2Mo_2O_7的合成与结构研究(英文)

标题化合物:C_(72)H_(100)Mo_2N_2O_(11),分子量为1361.49,三斜晶体,对称群为P1,a=1.0367(2)nm,b=1.0746(2)nm,c=1.6739(3)nm,n=103.89(3)°,p=102.86(3)°,r=92.59(3)°,V=1.7552(9)nm~2,Z=1,Dx=1.288Mgm~(-3),P(MoK_a)=4.032cm~(-1),F(000)=718,可观测的独立衍射点(I≥3e(1))有3115个,修正因子和权重修正因子分别为0.057和0.069。与配合物[(n-Bu)_4N]_2Mo_4O_(10)(OC_(10)H_6O)_2(OCH_3)_2和[(n-Bu)_3N]_2Mo_4O_(10)(OC_(14)H_3O)_2(OCH_3)_2进行比较,结果表明,外围取代基的变化可导致聚钼多酸配合中心基团聚和度的变化。     

粉体合成方法对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响

为了深入研究粉体合成方法对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强(170V/cm)远小于固相法合成陶瓷(4 980V/cm),且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法(1.03MΩ)的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。     

Li_2SO_4-Ce_(0.9)Ca_(0.1)O_(1.9)复合电解质中温区电学性能与应用

以 Li2 SO4 和 Ce0 .9Ca0 .1O1.9为原料 ,混合制成复合电解质 .实验表明 ,Li2 SO4 -Ce0 .9Ca0 .1O1.9复合电解质在中温区 (50 0～ 650℃ )具有较高的导电率 ,以此材料制成的燃料电池的开路电压可达 1 .0 V左右 ,明显高于以 Ce0 .9Ca0 .1O1.9为电解质的燃料电池的开路电压 ,在 550℃左右具有 1 0 m W/cm2 以上的最大输出功率密度 ,但在更高的温度下性能有所下降 ,且电极性能尚待改进 .     

B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)的研究

制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.