PZT—BF—SCN系压电陶瓷的烧结和电性能

本文研究了PZT—BF—SCN系压电陶瓷中的第四组元SCN对该系统烧结和电性能的影响。发现SCN能明显降低系统的烧结温度,改善系统的电性能。随着SCN量的增加,系统的介电常数增加,tgδ减小,且K_p和Q_m能同时出现最大值。     

PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

本文研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及其对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗行为。     

中温烧结BaTiO_3基多相铁电瓷料X7R特性

采用铋钛低熔物降低ＢａＴｉＯ３基资料的烧结温度。当加入量约０．０５ｍｏｌ时，可实现中温烧结，此过程存在过渡液相烧结。改性添加物Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等在固－液烧结过程中溶－析及Ａ、Ｂ位缺位补偿因溶，使主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成“核－壳”结构。从ε－Ｔ特性和微观结构分析，探讨了不均匀分布的ＢａＴｉＯ３基多相铁电瓷料具有Ｘ７Ｒ特性的机制。     

低温烧结PZT压电陶瓷的研究

对ＰＺＴ压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现，在ＰＺＴ陶瓷中添加少量低 熔玻璃（ｘＢ２Ｏ３－чＢｉ２Ｏ３－ｚＣｄＯ）可使烧结温度从１２５０℃降低至９６０℃。其性能参数： Ｋｐ≥０．５２～０．５６，Ｑｍ≥１０００，ε３３Ｔ／ε０＝８００～１２００， ｔｇδ≤５×１０－３．借助于扫描电镜 （ＳＥＭ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｘ光光电子能谱分析（ＸＰＳ）和体积烧缩速率的 测量，对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论，所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器，其空载交流升压比可高达 ９ ０００以上。     

PLZT纳米功能陶瓷的制备及其微结构研究

用共沉淀的方法制备得到PLZT纳米晶体，借助傅立叶红外光谱、热重一差热、X射线衍射及正电子湮没对样品进行了研究．分析表明：运用反滴法在pH为9．6时的共沉淀较完全，组分丢失少，经720℃煅烧得到平均粒径为52nm的PLZT纳米晶体；正电子研究结果表明，La^3＋掺杂对PLZT晶体微结构有重要影响，随La^3＋量增加，晶体中阳离子空位缺陷增加，当La^3＋量增加到9％以后，阳离子空位缺陷减小，浓度增幅减缓．     

低温烧结的PZT-BF-BCW系压电陶瓷

本文研究了锆钛酸铅(PZT)——铁酸铋(BF)——钨铜酸钡(BCW)系压电陶瓷的低温烧结特性,给出了组成对烧结温度及性能的影响结果。获得了烧结温度低(935℃/0.5h)且性能优良的配方:0.92PZT-0.05BF-0.03BCW+0.08wt%CuO,其主要电性能:K_p为47%,Q_m为950,ε_(33)~T/ε_0为850。并应用XRD、SEM和DTA等手段探讨了该系统瓷体的相组成和低温烧结机理。     

锆钛酸铅陶瓷的烧结性能

测定了Zr 浓度为x= 0-85 ～0-97 的锆钛酸铅陶瓷(PZT) 的径向线收缩率和致密度. 同时, 利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr 浓度范围内PZT 陶瓷的烧结活化能. 研究发现, 在PZT陶瓷的铁电一反铁电相边界所对应的Zr 浓度范围, PZT 陶瓷的烧结活化能和致密度存在突变.     

Mn掺杂对PLZT陶瓷制备及性能的影响

通过水热法制备Mn掺杂的PLZT陶瓷.采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）分别对陶瓷进行微观结构和表面形貌的分析.结果表明,制备得到的PLZT室温下是纯四方相晶体,Mn掺杂会增强PLZT的四方对称性,而过多的Mn掺杂会抑制晶粒长大.介电性能测试表明,该陶瓷体系具有明显的弥散相变特征,Mn掺杂会使PLZT的居里温度降低,一定量Mn掺杂会增大介电常数,但损耗也明显增加.     

Sb3+掺杂的PLZT电光陶瓷的水热合成与性能研究

水热合成法制备Sb3 掺杂的PLZT电光陶瓷.用XRD、拉曼光谱等分析方法研究发现,Sb3 含量的增加有助于PLZT的铁电相变及介电性能的改善,当Sb3 掺杂量(摩尔分数)为2.4%时,其介电性能最佳.     

A RESEARCH ON THE MEDIUM TEMPERATURE SINTERED BaTiO_3-BASE CERAMIC MATERIAL FOR MLC WITH X7R BEHAVIOR

采用加入Ｂｉ２Ｏ３＿ＰｂＯ＿ＺｎＯ玻璃及Ｂｉ、Ｃｏ、Ｎｂ掺杂的方法，使ＢａＴｉＯ３基铁电瓷料中温烧结（１０８０～１１４０℃）。在实验结果的基础上，探讨Ｘ７Ｒ铁电瓷料中的第二相和晶粒尺寸对ＭＬＣ的ε＿ｔ性能的影响，并研究其烧结机制。     

添加物对PLZT陶瓷的降温和改性作用

本文研究了４Ｂｉ２Ｏ３·Ｂ２Ｏ３助熔剂对ＰＬＺＴ瓷料的降温效果以及ＢａＳｎＯ３的固溶和Ｂａ２＋的Ａ位取代对掺Ａｇ＋的ＰＬＺＴ反铁电组分的改性作用，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ系Ｘ７Ｒ瓷料．其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２０００±１００；ｔｇδ＜５０×１０－４；ρｖ＞１０１３Ω·ｃｍ；△ε／ε２９８Ｋ＜±１０％；Ｅｂ＞１．１×１０４ｋＶ／ｍ；Ｔｓ＝１３４３～１３９３·Ｋ     

细晶氧化铝瓷研究

实验研究ＣａＯ－ＭｇＯ－ＳｉＯ２熔块对Ａｌ２Ｏ３瓷烧结的作用结果表明：在２０％ｗｔ％ＣａＯ，３０ｗｔ％ＭｇＯ，５０ｗｔ％ＳｉＯ２区域附近的熔块能很好地促进Ａｌ２Ｏ３瓷的低温烧结；除了第２相对晶界的钉扎作用以及固溶作用外，ＭｇＯ在烧结中的作用能维持ＣａＯ／ＳｉＯ２比，即维持烧结系统中的液相量；Ｌａ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３能使Ａｌ２Ｏ３瓷的烧结温度下降大约３０℃，其表面显微结构也有所改善。     

线性高频电容器瓷料的研究

研制一种以ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２－ＣａＴｉＯ３为主晶相的Ｖ组线性电容器瓷料．以三、五族氧化物为改性剂，使容量温度特性线性化；加ＰｂＴｉＯ３，使介电常数提高．其介电常数ε＞３１０，电容温度系数αｃ＝（－１５００±２５０）×１０－６／℃，其余各项电气、物理、机械性能均符合国际ＧＢ５５９６－８５．     

BaTiO_3基抗还原陶瓷材料的研究

研究了 Ba Ti O3基抗还原陶瓷材料的结构和介电性质 ,讨论了 Zr O2 、Mn O和 BT系中摩尔比 m对瓷料抗还原性能和介电性能的影响 .通过调整上述参量并加入适量的添加剂 ,获得了在氮气中烧成并符合 F组性能要求的 Ba Ti O3基抗还原陶瓷材料     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

工程陶瓷材料去除过程研究

用有限元法对增韧氧化锆和低纯度氧化铝陶瓷依靠初始裂纹的形成,扩展和转折而实现的切屑形成和材料去除过程进行理论研究,并分析裂纹扩展路径的影响因素。所得主要结论通过现场观察和高速摄影机拍摄的系列照片得到了验证。     

烧结温度对Li-Ti-Zn微波铁氧体的影响

本文报道在不同温度(970—1050℃)下烧结的 Li-Ti-Zn 微波铁氧体样品的磁滞参数和穆斯堡尔谱.实验结果表明1030℃是这种微波铁氧体的最佳烧结温度.     

采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能

研究了采用金属有机化合物热分解（ＭＯＤ）法制备锆钛酸铅Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电薄膜的工艺及ＰＺＴ薄膜的介电性能,利用ＸＲＤ分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜,铂电极有利于钙钛矿相的形成,薄膜的介电温谱研究结果表明,薄膜的居里温度约为４３０℃（１ＫＨｚ）。