磷压法气相外延 GaAs_(1-x)P_x

本文系采用赤磷、三氯化砷、砷化镓(或镓)为原料,在砷化镓衬底上进行GaAs_(1-x)P_x 气相外延生长的试验总结。文中分析了影响生长速度、合金组成、外延层表面形态的因素;叙述了此体系生长GaAs_(1-x)P_x(x≈0.40)外延层的操作工艺和条件。从制造发光器件的结果和投产的情况说明,此法可作为工业生产方法。     

磷压法生长GaAs_(1-x)P_x的特性和最佳条件

一、前言在以前的报道中,我们叙述了磷压法的一般工艺条件和初步结果。在文[1]的基础上,我们对磷压法作了较为深入的研究和改进。从制管结果看,发光效率又有所提高。本工作对磷压法生长的GaAs_(1-x)P_x材料进行较为全面的性能测试和制管分析,研究生长工艺条件与外延参数以及发光性能之间的关系,并由此确定最佳生长条件。磷压法以前采用过的掺杂方法是在镓源中加入掺碲的砷化镓片。此法操作不便,纯度欠高,制备     

用汽相外延法试制铟砷磷材料的初步总结

本文介绍了用汽相外延法生长铟砷磷的全过程及其用途。我们初步的摸索了该材料外延的最佳生长条件、磷砷比的控制和掺Zn等工作。     

磷砷镓(GaAsP)数码管试制小结

随着电子设备的固体化、数字化的飞跃发展,Ⅲ—V族化合物半导体发光器件引起人们的重视,用磷砷镓（GaAs_(0.6)P_(0.4)）制成的固体数码管,发光峰值波长在6500A°附近,采用环氧树脂封装,具有体积小、重量轻、耐震动、寿命长、可靠性好、耗电少、工作电压低、响应速度快等优点。 在批林批孔运动中,我们进一步批判了过去“三脱离”的修正主义科研路线,坚     

加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP

近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x>0.5)由低发光效率的间接跃迁型能带结构,转变为具有高发光效率的“类直接跃迁”型能带结构GaAS_(1-x)P_x:N(x>0.5),这种材料可用来制造橙红色和黄色发光器件.由于较短波长具有较高的视感度,其实际流明效率超过用GaAs_(0.06)P_(0.04)/GaAs制成的红色发光器件.     

光声光谱法测定磷砷化镓外延层固溶体组分

测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测样品的光声光谱图(见图1)确定与样品禁带宽度相对应的入射单色光波长九λ_(E(?)),再用公式     

砷化镓气相外延中不同形式的镓源对载流子浓度的影响

采用H_2/AsCl_3/Te/Ga体系,分别以被砷饱和的镓、高温合成的砷化镓锭以及低温合成的砷化镓块为源进行了掺杂外延试验,测定了用这三种源时气相中的As/Ga比;采用H_2/AsCl_3/Ga体系,用被砷饱和的镓和用低温合成的砷化镓块为源进行了不摻杂外延试验,指出以砷化镓为源具有不“吃”碲、“放”碲和气相中As/Ga比较为稳定的优点,从而可提高外延片载流子浓度的稳定性;而且As/Ga比较高,这有利于提高外延片的电子迁栘率?臀潞铣傻纳榛乜赏哂薪细叩拇慷?故用之作源较为适当。     

半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究

针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理，介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓，磷化姻，重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中，腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。用椭圆隔板式喷淋吸收塔或双塔式喷淋吸收设备，用氧化剂及碱液吸收的治理方法。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后，加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准。     

磁集成器件的界面扩散及钝化影响

 为了解决铁与砷化镓界面形成过程中,存在砷原子向金属层中扩散的现象,导致界面磁性减弱影响该结构的物理性能问题,采用钝化工艺改善界面磁性的方法,利用电子能谱技术测量了界面形成过程中铁与砷化镓界面的价带谱和砷原子的3d芯能级谱,从电子能谱的角度得到了砷原子扩散的相关数据。通过对比清洁界面和钝化界面的实验结果,证明了钝化可以减弱砷原子的界面扩散,铁原子3d能级的磁性交换劈裂也得到加强,价带峰被展宽,界面的磁性得到改善。依据价带谱的展宽现象和相关的研究报导表明:将硫钝化界面技术应用于磁集成器件制造工艺是有益的。     

发光二极管及其亮度

发光二极管因其体积小、耗电省,可靠性高(寿命达10~4——10~6小时),响应速度快(10~(-9)——10~(-7)秒)、工作电压低、能与集成电路匹配,近年来在袖珍计算机、钟表、各种小型数字化仪表等装置中得到广泛的应用。发光二极管目前大多由Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体及它们的混晶材料制成。我们所制作的发光二极管就是用有一定混晶比x的磷化镓(GaP)和砷化镓(GaAs)的混晶材料磷砷化镓(GaA_(s1-x)P_x)这种三元化合物,依其混晶比之不同,禁带宽度可以在一个很宽的范围内变化。发光二极管是结型场致发光器件。它的主要结构是一个在外加正向电压下能发光的P—N结。图1(a)表示热平衡状态下P—N结的能带图.当给P—N结加上一定的正向     

新一代宽禁带半导体材料

回顾半导体的发展历程,随着不同时期新材料的出现,半导体的应用先后出现了几次飞跃。首先,硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用。而后,砷化镓材料的研究则使半导体的应用进入光电子学领域。用砷化镓基材料及其类似的一些化合物半导体,如镓铝砷、磷镓砷、铟镓砷、磷化镓、磷化钠和磷砷化镓等,制备出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到不可替代的作用,由此也带来了VCD和多媒体等的飞速发展。 目前,人们又开始研究新一代的宽禁带半导体材料。其中最有意义的是碳化硅、氮化镓和氧化锌。这些材料的共同特点是它们的禁带宽度在3.3到3.5电子伏之间,是硅的3倍,比     

磷钨氧化物薄膜的制备及其有机发光二极管

有机发光二极管(OLED)中的高性能材料和新制备工艺一直是该领域的研究热点.以磷钨杂多酸溶液为前驱体,采用旋涂法在氧化铟锡(ITO)阳极上经退火制备磷钨氧化物薄膜,通过不同的退火条件调控薄膜的功函数.以X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)表征其组成、表面粗糙度和透光性.以此薄膜作为空穴注入层(HIL),构建结构为[ITO/HIL(35,nm)/NPB(25,nm)/C545T:Alq3(40,nm)/Alq3(15,nm)/LiF(1,nm)/Al(100,nm)]的绿光OLED器件.结果表明,采用旋涂法制备了表面平整、透光度大于92%,及功函数可调的磷钨氧化物薄膜,基于真空中退火的磷钨氧化物空穴注入层的器件表现出优异的发光性能,启亮电压为3.6,V,最大亮度为31,160,cd/m2,最大电流效率为11.54,cd/A,最大功率效率为4.45,lm/W.这一结果为研究金属氧化物空穴注入材料及其成膜方法以及获得高性能发光器件提供了新的启示.     

沉淀滴定法测定磷矿中的磷

磷矿中磷的测定方法很多。目前,国内应用最多的仍是磷钼酸铵容量法和磷钼酸喹啉容量法。但这两种方法的试液都需经沉淀,过滤,洗涤等冗长的操作过程,不仅麻烦费时,且不能消除砷的干扰。本文提供一种新的方法。即在酸性试液中加入捕捉剂,用标准硝酸铋直接滴定试液中的PO_4~(3-)离子。在滴定时,Bi~(3 )离子与PO_4~(3-)离子生成难溶的BiPO_4沉淀(K_(SP)=1.3×10~(-23)).用二甲酚橙指示终点。此法不仅适用于磷矿及高量含磷的测定,而且简易快速。尤其是较大量的砷对测定不干扰,消除了前述诸法中共同存在的难题——砷对测定磷的干扰为其最大优点。     

水平定向凝固法合成砷化镓多晶

采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.     

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。     

室温连续工作的砷化镓平面条形双异质结激光器

本文阐述了砷化镓双异质结激光器的基本工作原理和设计思想,重点描述了液相外延和超声键合两个主要工艺过程,给出了该器件室温连续工作的一些初步测试结果,其典型的数据是阈值电流为250毫安;在310毫安工作电流下,输出功率为10毫瓦;微分外量子效率大约20％;并从远场图看出器件为横向基模振荡。     

铋钼蓝分光光度法同时测定岩矿中磷和砷

本文提出了简便、快速的岩矿中磷、砷联测方法。采用硫代硫酸钠还原掩蔽正砷酸,铋钼蓝分光光度法联合测定岩矿中磷、砷量,该方法准确高,重现性好。     

钼兰法分光光度测定砷磷硅——用赤霉素作新有机还原剂

本文报告砷和磷及硅在沸水浴加热的条件下与分别于1. 32和1. 92N 硫酸及2. 4盐酸介质中,借砷钼、磷钼和硅钼的杂多酸被赤霉素还原成相对应的钼杂多兰的水相显色反应作分光光度测定微量砷、磷和硅。兰色化合物可稳定一日以上;砷、磷和硅的摩尔吸光系数分别为2. 64×10~4、 2. 4×10~4和3. 51×10~4升·摩尔~(-1) ·厘米~(-1) ;桑德尔灵敏度分别为0. 0028、 0. 0013和0. 0008微克/厘米~2。方法灵敏、准确、简便,新还原剂又很稳定,优点甚多。     

分光光度法测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中x,y值

本文研究了在銦、砷同时存在的情况下,用分光光度法直接测定镓和磷的显色条件,并应用于测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中的x,y值。     

ICP-AES法测定铁精矿中硅、磷、砷含量

本文试验研究了电感耦合等离子体发射光谱分析方法测定铁精矿中的硅、磷、砷含量的仪器工作条件及分析谱线,考查了酸碱加入量及基体对测定结果准确度的影响,加标回收率分别为硅99.1%、磷102%、砷101.5%,RSD值均小于5%。分析方法应用于生产,收到了提高检测数据准确度和指导生产实效性的好效果。