添加剂对低压ZnO压敏陶瓷特性的影响

按照国外低压ＺｎＯ压敏陶瓷中所含添加剂的种类，利用制备ＺｎＯ压敏陶瓷的常规工艺，对基本添加剂进行单因子实验；研究每种添加剂对ＺｎＯ压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律；从理论上分析各类添加剂的作用机理；优选出低压ＺｎＯ压敏陶瓷的最佳配方。     

ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

利用简便的粉末反射光谱法，测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱，并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明，同纯ZnO相比，压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移，红移量随烧结温度的提高而增大；吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566nm、610nm、650nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷类型与温度变化无关，浓度随烧结温度的升高而增大．     

ZnO压敏陶瓷的研究现状

ZnO压敏陶瓷是一类电阻随加于其上的电压而灵敏变化的电阻材料.本文阐述了它的非线性伏安特性及非线性伏安特性的微观解析,并概述了它的主要应用及发展趋势.     

Bi2O3对ZnO基压敏陶瓷性能影响的研究

利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料，详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因，用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压，压比和漏流，并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析，测试结果表明：在适合掺杂范围内，Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高，且漏流IL随掺杂量的增加减小，超出这一范围后，样品的电学性能将会恶化，物相分析表明在添加Bi2O3，Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中，存在ZnO相，Bi2O3相，Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。     

共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究

本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论．     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压陶陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗习层中电子陷阱的种类和起因，并对电子陷阱的特征参数进行了表征。实验发现：在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Deblye驰豫现象，对于每一种驰豫，其复电容曲线存在压低现象，且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小，在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱，它们分别位于导带底0．209eV和0．342eV处，其中0．209eV处的陷阱能级对尖于本征施主Znj^x的二次电离，而0．342eV处的陷阱能级对应于氧空位V0的一次电离。     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响

为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器,利用新型Sol-Gel方法研究了Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响．复合先驱体溶液由Bi2O3,Sb2O3,MnO及Cr2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2,Bi2O3,Sb2C3,MnO及Cr2O3的溶胶中制成．研究结果表明：利用新型Sol-Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中,ZnCr2O4相在较低的Cr2O3添加量时出现,当Cr2O3的摩尔分数为0．75％时,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为7,压敏电压为6V,漏电流密度为0．7μA/mm^2。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高、等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸收能力。     

反复熔铸对钴铬烤瓷合金抗腐蚀性能影响的研究

为研究反复熔铸对钴铬烤瓷合金抗腐蚀性能的影响,按照ISO10271标准,将钴铬烤瓷合金在真空加氩气保护环境条件下,分别经过1～3次反复熔铸,制成方形试样,采用静态浸泡实验,分别浸泡于pH=2.3的电解液中,37℃密封保存7 d.检测浸泡前后合金重量、表面粗糙度、表面自由能及浸泡液中析出的离子量,并观察表面形貌的变化.结果表明,经过1～3次反复熔铸的钴铬烤瓷合金浸泡前后失重率、粗糙度、表面自由能及析出的离子量差异均无统计学意义,提示反复熔铸对钴铬烤瓷合金抗腐蚀性能没有显著影响.     

半导体陶瓷粉末制备方法的比较研究

随着电子工业的高速发展,对半导体陶瓷材料性能的要求越来越高。制备工艺是决定其质量的关键技术之一。章对半导体陶瓷粉末制备方法如机械粉碎法、喷雾热解法、沉淀法、溶胶——凝胶法、水热合成法、水解法、气相化学反应法等进行了综合评述。比较和分析了各工艺方法的优缺点,并提出制备性能优异的陶瓷粉体的发展趋势。     

工艺参数对凝胶注模成型不锈钢坯体强度和烧结密度的影响

为了制备高坯体强度和烧结密度的凝胶注模成型不锈钢制件,研究了凝胶注模工艺参数包括预混液单体含量和单体/交联剂比例、浆料固相含量及引发剂加入量等对坯体抗弯强度及烧结体密度的影响规律.结果表明,对于316L不锈钢的凝胶注模成型,可同时获得较好的坯体强度和烧结密度的工艺条件为:预混液单体质量分数18%～22%,单体/交联剂比例90∶1～240∶1;浆料固相体积分数52%～55%;引发剂用量约为单体质量的0.8%～1.4%.最终获得坯体强度高于30.0MPa、烧结密度高于97%的复杂形状烧结不锈钢零件,其烧结体力学性能略低于粉末注射成型时的性能,但远高于美国MPIF标准.     

钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性

以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐尖晶石相ZnSm2O4.特别研究了样品Zn0.97Sm0.03O的表面形貌与成型压力之间的关系和晶粒尺寸、相对密度、电阻率随烧结温度的变化关系.结果表明:成型压力为5 MPa时样品缺陷最少,当烧结温度为1 300℃时,用四探针测试仪测得样品电阻率的最小值为4.78×10-2Ω.cm,用阿基米德排水法测得样品的相对密度超过95%;用振动样品磁强计(VSM)测量陶瓷样品磁化强度与磁场强度之间的关系,表明样品在室温下均呈现顺磁行为.     

氧化锆陶瓷表面激光釉化组织形貌

为验证氧化锆陶瓷表面釉化的可行性,通过进行室温环境下连续激光对氧化锆陶瓷进行表面釉化处理的实验研究,研究了激光加工参数(包括激光输出功率、扫描速度和离焦量等)对陶瓷表面釉化组织形貌的影响及规律。结果表明,氧化锆陶瓷表面釉化组织的形貌可以通过改变激光加工参数进行优化。可见,改变激光输出功率以及扫描速度都可以减少热裂纹以及过热组织的出现;离焦量的变化可以拓宽釉化区域以及改善釉化组织的形貌。     

摩擦纳米发电机表面电荷密度研究进展

 纳米摩擦发电机可以收集环境中不同形式的机械能,在自驱动系统、物联网和蓝色能源等方面具有巨大的潜在应用价值。作为能量器件,纳米摩擦发电机的实际应用在于进一步提高功率输出,其核心在于提高摩擦电荷密度。介绍了提高摩擦表面电荷密度的技术方法,综述了提高摩擦纳米发电机电荷密度的研究进展。同时,以接触-分离模式的摩擦纳米发电机为例,探索了摩擦表面电荷密度的影响因素和改进措施,以为实现摩擦纳米发电机超高电荷密度提供新的研究方向。     

微弧氧化制备功能性陶瓷膜的研究

微弧氧化又称阳极火化沉积技术或等离子体增强电化学陶瓷化技术。微弧氧化是一种新颖而效率高的表面处理技术。虽然近些年来人们对其进行了大量的研究,但是这些研究几乎全部集中于对陶瓷层的性能评价、表征与测试等方面。在微弧氧化陶瓷层生长特性的研究中系统介绍了微弧氧化过程中电学参量、陶瓷层厚度、表面粗糙度、相组成以及微观结构等陶瓷层特征随时间的演变情况。     

纳米ZnO的表面改性研究

研究了纳米ZnO表面改性的影响因素，确定了最优改性剂和改性条件。通过正交实验以月桂酸钠为改性剂、用量为15％、pH值为6、改性时间为1．5h时，改性后的纳米ZnO的亲油化度达到79．2%，能较好地分散于甲醇和二甲苯中。     

偶联改性对海泡石粉体表面官能团结构及性能的影响

利用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-570)对提纯海泡石矿物进行表面改性,探索改性前、后海泡石表面性能的变化。利用傅里叶红外光谱(FTIR)、光电子能谱(XPS)、热分析(TG-DTA)、表面张力仪、Zeta电位仪和扫描电镜(SEM)等手段测试改性前、后海泡石表面官能团的存在形式及键合状态的变化。结果表明:KH-570以物理包覆和化学键合两种方式存在于海泡石纳米纤维的表面,其化学接枝率约为38.3%。海泡石表面Si2p的电子结合能减少了0.22 eV,O1s的电子结合能减少了0.78 eV,O原子的化学位移较大,说明接枝反应发生在Si—OH中的O原子上。改性后海泡石粉体的表面自由能由52.63 m J/m~2减小到31.56 m J/m~2,Zeta电位绝对值增大,减轻了海泡石纳米纤维的团聚行为。     

钴铬烤瓷合金反复熔铸后电化学腐蚀性能变化

为研究钴铬烤瓷合金反复熔铸后电化学腐蚀性能的变化,按照ISO 10271标准,将钴铬烤瓷合金在真空加压氩气保护环境下,分别经过1～3次反复熔铸,制成方形试样,采用电化学工作站测试其在37℃、pH=7.4氯化钠溶液中的电化学腐蚀性能(Ecorr、Ep、Icorr).结果表明,在氩气保护真空加压铸造环境中,钴铬烤瓷合金经过1～3次单纯反复熔铸,各电化学性能参数变化无显著差异.