冷冻法卤水脱硝技术改进的研究

采用间歇冷冻法考察了不同降温速率下芒硝晶体粒度及分布情况,研究了芒硝结晶成长速率数学模型.结果表明,在卤水冷冻脱硝过程中通过控制降温速率为0.24℃/min,将过饱和度控制在介稳区内,利于结晶过程的操作,并且可以得到平均粒径为300μm芒硝晶体,以满足芒硝与卤水的沉降分离要求.     

天然石英晶体形貌特征

以热液型石英晶体为对象,研究了过饱和度和温度对石英晶体形貌的影响,并运用PBC理论和负离子配位多面体理论对石英晶体形貌特征的形成机理进行了研究.研究结果表明:在温度高、过饱和度大的条件下形成的晶体,晶形以短柱状为主,(1010)微形貌不发育,(1011)和(0111)形成生长丘;在温度低、过饱和度小的条件下形成的晶体,晶形以长柱状、柱状为主,(1010)形成水平生长层,(1011)和(0111)形成生长锥,(1121)形成生长层;纯度较高的碱性溶液促进了(1121)的发育.     

水／乙二醇混合溶剂中微波辅助合成碳酸钙

在水/乙二醇混合溶剂中,通过微波辅助加热的方法,研究溶液过饱和度对碳酸钙成核生长的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射(XRD)对所得的样品进行了表征。结果表明,过饱和度的改变对碳酸钙形貌和晶型具有非常明显的影响,分别获得了菱面体状方解石、纤维捆扎状文石、松树枝状球霰石为主体的碳酸钙晶体。     

蔗糖结晶过程的模糊自适应PID控制

针对蔗糖结晶过程的控制特点,设计模糊自适应PID控制器.研究结果表明,模糊自适应PID控制器能够实现对结晶过程的关键量———过饱和度的有效控制,调节过程曲线平滑、无大的波动,能够提高蔗糖结晶的速度、缩短煮糖时间.     

过套管电阻率测井在中低渗透储层评价中的应用

过套管电阻率测井是电法测井中一个新的领域,通过测量金属套管壁外岩石的单位电阻率(p)可以评价储集层的含水饱和度,进而寻找未动用油气.跟踪油藏流体饱和度的变化以及油藏流体界面的运移情况,对解决老井和部分套管井的重新评价,以及开发过程中的油藏监测具有非常重要的意义和广阔的应用前景.在阐述过套管电阻率测井仪器结构及工作原理的基础上,通过对实际测井资料进行综合分析,总结了过套管电阻率测井资料的优势所在,并针对中低渗透储层评价的技术需求进行了积极地探索.     

超临界CO2沉析HMX过程中过饱和度与颗粒尺寸的关系

用超临界CO2在丙酮溶液中沉析环四亚甲基硝胺(HMX),研究了溶液过饱和度与沉析颗粒尺寸及粒径分布之间的关系。结果表明：用超临界CO2沉析HMX,可在短时间内产生很大的过饱和度。当温度33～50℃,压力5．5～12．0MPa时,在前几分钟内,溶质HMX的浓度快速下降从而在短时间内产生很大的过饱和度。依据吉普斯能传统结晶理论估算了在一定过饱和度下的成核速率。过饱和度愈大、成核速率愈大,沉析的HMX颗粒度愈细。当过饱和度在短时间内形成并导致大量成核快速消耗过饱和度时,可以得到粒度更细,分布更窄的HMX颗粒,如33℃、12．0MPa时,能得到粒径5．1～7．1μm窄分布的HMX细颗粒。     

蔗糖结晶过程的模糊自适应PID控制

针对蔗糖结晶过程的控制特点，设计模糊自适应PID控制器．研究结果表明，模糊自适应PID控制器能够实现对结晶过程的关键量——过饱和度的有效控制，调节过程曲线平滑、无大的波动，能够提高蔗糖结晶的速度、缩短煮糖时间．     

过饱和度的热力学和动力学意义

本文讨论了过饱和度б的热力学和动力学意义,得出如下结论:在结晶过程中,б可以作为晶体生成的热力学推动力(即可用б来代替结晶过程的△G)和б的值可以决定动力学上结晶过程的速率。     

碳酸钙结晶动力学研究

采用SPIP软件对碳酸钙垢显微图像进行分析,从微观上得出过饱和度、盐含量和pH值对碳酸钙结垢动力学的影响。实验结果表明:随着过饱和度的增加,晶核数逐渐增加,诱导期逐渐缩短,当过饱和度超过443时,结晶速率迅速增加,同时得出了诱导期与过饱和度的关系;当NaCl的质量浓度小于50g/L时,随着其浓度的增大,晶核数减少,结垢诱导期增加,当NaCl质量浓度达到50g/L时,晶核数最少,与同条件无NaCl溶液相比,碳酸钙结垢晶核数减少了66.7%;当pH值大于6时,随着pH值的增加,晶核数目迅速增加,结垢诱导期迅速缩短。     

剩余油饱和度的测井评价方法

 目前能够过套管测量剩余油饱和度的方法主要有过套管电阻率测井、碳氧比测井、中子寿命测井、中子伽马注钆测-渗-测、脉冲中子-中子测井（PNN）等。综述了套后剩余油饱和度的测井评价方法,分析了各种方法的测量原理、技术应用、适用性及实例,总结了目前应用较为广泛的剩余油饱和度测井评价方法。     

反溶剂重结晶法制备硫酸沙丁胺醇颗粒

实验采用反溶剂重结晶法对硫酸沙丁胺醇进行超细化。将乙醇、异丙醇、丙酮作为反溶剂进行了对比实验，最后选定丙酮作为该体系的反溶剂，并且确定了最佳反溶剂和溶液的体积比为10∶1。结果证明，体系的过饱和度ΔC越大重结晶所得到的颗粒就越小，采用反加法、低温、高搅拌速度能够增大体系的过饱和度，得到 300nm的针状颗粒产品。     

磁场处理对蔗糖结晶过程作用的研究

本文以典型的有机工业结晶产品──蔗糖为研究对象，以新兴的磁场处理技术为手段，进行磁场处理对溶液结晶过程影响的基础理论研究。通过蔗糖单晶的静态试验和群品的动态试验，以及对精液某些特性的测量，发现适当的磁场处理能降低蔗糖的溶解度和糖液的粘度，并在某种程度上改变蔗糖晶体的内部结构，从而提高蔗糖晶体在糖液中的生长速率。展示了以磁处理技术强化工业溶液结晶过程的应用前景。     

天然气与冰反应生成水合物的实验研究

在一个小型工业化水合物生成装置上 ,对由冰和天然气反应生成天然气水合物的过程及动力学进行了研究 .实验结果表明 :水合物的生成温度与诱导时间无关 ,诱导时间不会改变水合物的生成条件 ;较大的过饱和度或过冷度对水合物生成有利 .此外 ,采用过压方式 ,研究了这种类似结晶过程的扰动作用 .最后还得到了最佳的反应时间 .     

输卤管路结盐诱导期试验

为解决卤水输送过程中普遍存在的结盐现象,减少结盐层厚度的增加给相关工业生产带来不良后果,采用卤水中常见的硫酸钠作为溶质,主要针对管路结盐的诱导期进行研究,观察传热试验段硫酸钠结盐初期的生长特性,即结盐诱导期变化趋势.研究结果显示,过饱和度是结盐诱导期的主要影响因素.由于溶液过饱和度提高,管壁上结盐成核速率增大,诱导期持续时间随溶液质量浓度升高而减短.同等工况下随着溶液质量浓度的增加、初始温度降低,溶液结盐诱导期缩短,环境温度高,延长诱导期.流速小于1 m/s时诱导期随速度增加而增加,流速大于1 m/s时,诱导期不再变化.     

蒸发结晶系统传热传质规律的研究

工业蒸发结晶是一个复杂的多相传热与传质过程,其传热传质规律直接决定着晶体的成核和生长,并最终决定产品的粒度分布。根据双步结晶理论,对蒸发结晶的成核和生长动力学进行分析,建立了成核和生长的理论模型。该模型准确描述了蒸发结晶的生长规律,对其中参数的求取和分析可以确定结晶的控制步骤。研究以氯碱工业中烧碱提纯单元NaCl蒸发结晶为例,通过对模型参数的求取,分析NaCl蒸发结晶过程的控制步骤。结果显示,在高温和低流速下,NaCl结晶受扩散过程控制。从而以扩散控制理论为基础,建立了NaCl蒸发结晶的传质传热模型。综合考虑了温度、流速、过饱和度、晶体粒度对结晶粒度分布的影响规律,建立了涵盖各个参数的数学模型。结合粒数衡算,进行了模型计算,得到结晶粒度与操作参数的关系。模型计算结果与实际结果吻合良好,表明该模型可以很好地表示蒸发结晶过程中各操作参数对结晶粒度分布的影响规律。     

物理场在蔗糖结晶过程中的作用研究

利用工业结晶过程的粒数恒算原理进行分析后指出，制糖工业结晶过程中的晶体粒度分布明显受到过饱和精液物理场的影响。本论文通过一套可检测晶体生长速率和计算物理场的连续结晶系统证实了这一学术观点。由此可知，为了使得晶体群获得良好的粒度分布，就应该重视结晶设备中精液物理场的作用。     

THE MECHANISM AND ENHANCING METHODS OF SOLVENTING OUT CRYSTALLIZATION

溶析结晶广泛用于有机工业结晶过程,但目前溶析结晶过程普遍存在着以下问题：晶体主粒度小,变异系数高;产品过滤分离难度大,杂质含量高．针对这些问题,本文研究了溶析结晶体系的介稳区性质,并采用了如下几种强化方法：用压力溶解和静置冷却来提高过饱和度;在沉淀剂中添加表面活性剂以及采用弹性叶片摩擦和超声波刺激来提高成核速率;动静态交替育晶减少生长分散;加入促进构型转变的物质获得所需晶型的晶体;按照最佳操作程序流加沉淀剂维持恒定的结晶过饱和度等．实验证明,采用这些方法可以显著地提高溶析结晶产品的质量．     

谷氨酸阴离子和晶种对晶体成核与生长的影响

研究了谷氨酸阴离子（Ｇ－）和晶种对其晶体二次成核与生长的影响．结果表明成核速率随晶种粒度和晶种量减少而减少；在高过饱和度时Ｇ－对成核有促进作用，而在低过饱和度时则有抑制作用；晶体生长速率随粒度减小而增大；Ｇ－对晶体生长有抑制作用；结晶时使用粒度小的晶种可得到粒度分布较均匀的晶体．     

结晶过程中溶液溶解度的在线检测

溶解度和过饱和度是溶液结晶动力学的重要参数。建立了溶解度在线测量的实验装置，以KNO     

硝酸酸沉四钼酸铵过饱和溶液的成核研究

测量了不同温度和不同过饱和比下硝酸酸沉四钼酸铵过饱和溶液的成核诱导时间,讨论了温度及过饱和比对成核诱导时间和成核速率的影响.结果表明,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率随着温度的升高和过饱和比的增大而增大.在实验温度范围内均匀成核和非均匀成核之间的临界过饱和比为3.0~6.0.根据均匀成核理论,计算了不同温度下的固液界面张力、临界半径和临界成核自由能.讨论了四钼酸铵结晶的条件,认为在成核阶段应采用较高的温度和过饱和比,而在晶核长大阶段应控制较小的过饱和比,以利于获得均匀、完整的晶体.