三极管直流偏置的教学探讨

建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管的直流偏置，方法简便、形象直观，使学生更容易理解和掌握。     

三极管的偏置电路

本文首先概述了晶体管的发展历程和重要性,继而讨论了三极管作为晶体管的重要组成部分在电子电路中发挥的放大作用,最后以典型的三极管的偏置电路为例介绍了其电路原理,从而指出了在三极管的应用中设置偏置电路的重要意义。     

二极管、三极管的识别和检测

二极管和三极管是电子电路中重要的半导体器件,二极管和三极管的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助学生们掌握判别方法,笔者根据自己多年积累的经验,较全面地阐述了判别二极管和三极管的方法。     

晶体三极管的结构与检测

本文介绍了三极管的结构与检测。介绍了三级管基极的判别,类型的判别,放大能力(β)的测量方法等。     

在射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的确定

根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据.     

制造工艺对三极管特性的影响分析与工艺控制实践研究

三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措施，进而提高了产品的可靠性和稳定性－图２ ，表１ ，参５－     

一种新型低温漂工艺补偿基准电流源的设计

基准电流电路是模拟和混合电路系统中非常重要的模块。文章设计了一种高精度基准电流源,在传统PTAT电流电路基础上,增加一级新型电阻和三极管组合电路提高正温度系数,与全MOS管产生的负温度系数电路级联实现温度和工艺补偿。电路基于CSMC-0.5μm工艺,输出电流为100μA,在-20~100℃内具有36×10-6/℃温漂。该设计仅增加很小的面积,即可实现受工艺、电压以及温度变化影响极小的电流源。     

一种利用体偏置改善温度特性的电流源

基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40～85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。     

基于恒电流二极管的LED驱动电路设计

LED照明是当前照明市场的热点趋势,对于其驱动电路设计方案也层出不穷.本文根据恒电流二极管的特性,针对LED照明中的小功率和大功率LED的不同特性,分别给出了驱动电路设计.保证LED驱动电路性能的同时大大简化了其驱动电路设计,降低了驱动电路的成本.     

电子衡器中传感器的温度补偿

本文介绍了电子衡器中传感器的温度补偿的必要性及其原理、方法。     

高稳定度电磁透镜电流源基准电阻的温度补偿

电流源的稳定度是影响高稳定度电磁透镜分辨率与成像质量的关键因素之一,而基准电阻作为电流源的反馈元件,其稳定度直接影响电流源的稳定度。为了提高基准电阻的稳定性,通过分析基准电阻与页温度系数(negative temperature coefficient, NTC)热敏电阻的温度特性,并提出了一种通过NTC热敏电阻对基准电阻进行温度补偿的电路结构。最后以Pt100电阻作为基准电阻,分析了该电路结构的性能。结果表明,与基准电阻相比,经补偿后所得到的等效基准电阻的稳定性提高了10倍以上。     

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。     

含有源项的特殊欧拉方程组整体弱解存在性（I）：特殊源项

双曲守恒律是一类重要的偏微分方程，欧拉方程组是流体动力学中最基本的双曲守恒律方程组．利用粘性消失法和最大值原理，并借助于补偿列紧理论建立非严格双曲方程组——含有特殊原项的特定欧拉方程组的整体弱解的存在原理．     

含有源项的特殊欧拉方程组整体弱解存在性(Ⅰ):特殊源项

双曲守恒律是一类重要的偏微分方程,欧拉方程组是流体动力学中最基本的双曲守恒律方程组.利用粘性消失法和最大值原理,并借助于补偿列紧理论建立非严格双曲方程组——含有特殊原项的特定欧拉方程组的整体弱解的存在原理.     

硅普通二极管的典型应用

本文较为系统地论述了“一专多能”的硅普通二极管在稳压、保护、温度补偿、钳位、限幅、继电器电路、阻尼、开关、变换器、抑制器等十余种典型应用。     

一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值,补偿因温度变化引起的振荡器频率变化,使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient, TC)为0。另外,在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时,振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示,在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.400 2 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^-6℃^-1,经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。     

基于接收侧变结构补偿的恒流恒压无线充电系统

随着无线电能传输技术快速发展,磁耦合式无线充电技术被广泛应用在锂电池充电领域.为进一步提升无线充电系统的安全性与充电效率,在串联-串联(series-series, S-S)型补偿网络的基础上设计一种基于接收侧π/T型变结构补偿网络的恒流恒压无线充电系统.利用等效电路分别建立恒流和恒压充电的模型,通过附加的电容电感和开关改变接收侧拓扑结构,实现无线充电系统输出稳定的电流电压.该结构无需原边和副边复杂的控制和通信,几乎没有无功功率输出.通过DSP控制器作为恒流恒压输出的切换控制器.最后通过仿真和实验验证了基于接收侧π/T型变结构补偿网络恒流恒压输出特性和参数设计的准确性.     

电子元器件的检测方法探讨

电子元器件是构成电子产品的基本部分,是电子产品实现功能和安全的设备与体系基础,电子行业将电子元器件的质量看做是行业的生命,在市场经济体系下,加强电子元器件检测工作成为行业的必然需要。该研究从常见的电子元器件介绍入手,描述了电子元器件的基本特征,对电子元器件常见的软件故障、损坏、电路开路进行了分析,提供了具有针对性的电子元器件检测方法,以期实现电子行业中电子元器件检测工作水平的全面保障和提升。     

一种新颖的高电源抑制带隙基准源电路设计

基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新颖的低温漂高电源抑制比(PSRR)的带隙基准源电路。基准核心电路采用自偏置结构,简化了电路的设计。在不显著增加电路功耗与面积的前提下,通过引入预调节电路极大地提高了电路的PSRR。基准源输出采用负反馈结构,进一步提升了PSRR。Hspice软件仿真结果表明:在-40~150℃温度范围变化时,基准输出电压变化为283μV,温度系数仅为1.18×10-6(ppm)/℃;基准的稳定输出电压为1.257 V;电源电压在3~6 V范围变化时,线性调整率为0.082 m V/V;5 V电源电压下,低频时电源电压抑制比为130 d B,在100 k Hz时也能高达65 d B。电路整体功耗为0.065 m W,版图面积为63μm×72μm。     

低功耗双带隙结构的CMOS带隙基准源

随着片上系统的发展,带隙基准源精度和功耗的要求也越来越高.目前的高阶温度补偿方法在工艺兼容、设计复杂度和功耗上还存在一定的局限性.本文推导了一个新颖的电流模带隙基准电路在饱和区工作时的温度特性,并结合双带隙结构在输出支路上采用电流比例相减的方式实现有效的曲率补偿,从而实现了一个新颖的双带隙结构CMOS带隙基准源.在GSMC 0.18μm工艺下,设计的CMOS带隙基准源版图面积为0.066mm~2.蒙特卡罗后仿真的结果表明,在-40~125℃温度范围内平均温度系数为14.27ppm/℃;在27℃时基准电压平均值为1.201V,标准偏差变化仅为33.813mV(2.82%);在3.3V工作电压下,静态电流平均为9.865μA,电源抑制为-37.21dB.本文设计的带隙基准源具有高精度、低功耗、结构简单的特点,是片上系统的良好选择.