球形汞膜电极恒电流溶出分析法理论及其验证

推导出球形汞膜电极上的恒电流溶出分析法的理论方程式。实验结果与理论基本一致,从而建立了球形汞膜电极的恒电流溶出分析法的基础理论。     

球形汞膜电极电位溶出分析法研究

本文推导出球形汞膜电极电位溶出分析法的过渡时间方程式和E-t曲线方程。实验结果与理论基本相符。球形汞膜电极用于电位溶出分析法,有良好的重现性和经久耐用性。     

平面汞膜电极恒电位阳极溶出极限电流方程式的推导和实验验证

本文推导出膜电极恒电位阳极溶出极限电流方程式,以平面厚汞膜电极对该式进行了实验验证。实验结果与理论式基本相符。     

悬汞电极计时电位溶出分析法研究

本文推导出不同于文献的悬汞电极计时电位溶出分析法的E-t曲线方程和过渡时间方程式的应用条件;实验结果与本文理论相符。E-t曲线方程成功地应用于络合物稳定常数的测定。     

金膜电极计时电位溶出分析法的理论及实验验证

本文导出了金膜电极上计时电位溶出分析法的理论公式,讨论了简化公式的应用条件。当τ/l~2≥3.0×10~(11)S·cm_(-2)时,可以使用简化的过渡时间方程式:(?)若取t≥2s,τ≥20s,则当l≤5.0×10~(-6) cm时,可以使用简化的电位-时间方程式:(?)经过验证,实验结果与理论相符。     

金膜电极微分计时电位溶出分析法研究

本文提出了金膜电极微分计时电位溶出分析法的理论和应用条件。实验结果与理论基本相符。发现适宜的金膜厚度不应超过5×10~(-7)cm应用所提出的理论和条件,检测限由以前的10~(-7)mol·dm~(-3)数量级降至10~(-9)mol·dm~(-3)数量级。     

汞膜电极微分电位溶出分析法研究

在前人工作基础上,本文较系统地研究了微分电位溶出分析法理论。微分电位溶出的峰高与常规信号的关系为:(?) 溶出曲线方程式为:(?) 峰高方程式为:(?) 峰电位方程式:(?) 元素特征电位:(?) 半峰宽为:(?) 实验结果与上述理论方程式基本吻合,证明本文所建立的微分电位溶出分析法理论基本正确。     

膜电极电位溶出分析法理论探讨

本文重新推导了P、S、A理论公式、证论了P、S、A理论的严谨性。并首次根据电位溶出条件,解出了C_0(l,t)-t方程式。较详细地探讨了理论公式的应用条件: 若:π~2D_R~t/L~2≥4(误差≤1.6%) 或:π~2D_R~t/L~2≥3(误差≤4.5%)可用简化的过渡时间方程式和E-t曲线公式。实验结果与理论吻合。从而建立了电位溶出理论的应用条件。     

橙皮甙在单壁碳纳米管膜修饰电极上的电化学行为及其吸附伏安法测定

制备了一种单壁碳纳米管膜修饰电极,并在该电饭上研究了橙皮甙的电化学行为.单壁碳纳米管对橙皮甙的电级反应有着良好的电催化特性,加之单壁碳纳米管的高效富集特性,橙皮甙在单壁碳纳米管膜修饰电极上表现出非常灵敏的电化学响应.基于橙皮甙在单璧碳纳米管膜修饰电极上的优良特性,建立了一种测定橙皮甙的伏安检测方法并优化了各测定参效.在最佳条件下,橙皮甙氧化峰电流在7.5×10-8～9.4 × 10-6 mol/L范围内与其浓度呈现良好的线性关系,检出限可达5.0×10-9 ml/L.方法用于陈皮中橙皮甙的测定.