若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

吡啶菁衍生物键合于单晶硅表面的研究

用化学方法将两种光敏染料２，４－吡啶等衍生物及噻－４’－吡啶等衍生物分别键合于单晶硅表面，对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明：两种光敏染料都被键合在单晶硅表面。同时，测定了用键合了光敏染料的半导体硅片制成的Ｉｎ／染料／ｎ－Ｓｉ多层结构器件的光谱响应，与无覆盖抗反射膜的硅ｐ－ｎ结光电池的光谱响应曲线相比较，发现除在６５０ｎｍ处出现对应于硅衬底的吸收峰外，在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰。由此可见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响应。     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏—安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。     

单晶硅表面键合菁染料的表面增强拉曼散射

用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的ＳＥＲＳ图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用，使Ａｇ＋成为连结染料分子间的锁，增加染料分子极化率，使拉曼散射截面积增大，从而起到增强效果的作用。     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏－安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ—Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在电子势垒。     

金刚石车削单晶锗平面表面粗糙度扇形分布…

建立了金刚石削单晶锗切削力的分布模型，研究了车削单晶锗平面时表面粗糙度呈现扇形区分布特征的成因机制，并进行实验验证，采用飞切方法加工单晶锗时，可以制得表面粗糙度Ｒａ值为０．００７～０．００９μｍ的匀质光滑表面。     

单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合

利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．     

富锗面包的研制

富锗面包是以面包专用粉为主要原料,以白砂糖、奶油、奶粉、鸡蛋、面包改良剂为辅料,加入富锗酵母,采取快速发酵法,经过调粉、发酵、烘烤精制而成。通过正交实验确定产品的最佳配方,利用ICP-AES方法测定富锗面包中有机锗的含量。     

基于液态光固化成型机光敏树脂补偿系统的研究

光固化快速成型技术的核心是质量单元的有序排列,光固化快速成型机中的质量单元就是光敏树脂,在成型过程中光敏树脂逐渐被消耗,为保证光固化快速成型机正常工作,需不断补充光敏树脂体积的收缩量。针对光固化快速成型机的工作液槽容积有限、微量的补偿过程及光敏树脂自身的粘度对成型工件质量的影响,改造了光敏树脂动态补偿系统,较方便地实现了光敏树脂的连续微量补偿,提高了光固化产品的成型质量。     

金属钨表面电镀的研究

研究了钨表面镀前处理及预镀铬、镍，然后镀金的工艺条件，并测定了镀层性能，获得了结合力好，可焊性好的镀层。     

分散染料的多晶性及其染色行为的研究

利用X-射线衍射分别鉴定了C.I.分散红225和167的两种晶型及无定形,并定量地测试了这些晶型的热稳定性。结果表明:这些晶型受干热的行为相同,都无晶型转变发生:在水中受热时,仅有C.I.分散红167的α晶型转变成了β晶型。在染色时,发生这种晶型的转变会导致染色匀染性下降。又,染色结果表明:这两个染料在涤纶纤维上的上染量受晶型的影响不大。     

Impact of germanium on the growth ofPsuedonitzschia pungens f. multiseries and the production of algal toxin

The impacts of germanic acid Ge(OH)-4 on the growth of Psuedonitzschia pungens f. multiseries and on the production of the algal toxin, domoic acid, were studied. The results showed that germanic acid in the range of concentrations could inhibit the growth of the algal cells and the inhibition was enhancing with the concentrations of germanic acid increasing. Germanic acid also could inhibit the production of the algal toxin, domoic acid in cells and the inhibition reached up to 100% at Ge/Si=35. Based on the results, the mechanism was discussed.