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最先观察到气体材料的受激光发射就是氦氖混合放电。迄今为止,氦氖受激光发射器的发展也是最全面而且最成熟的。虽然产生振荡的波长有十多种,但是其中以6,328埃、1.1530微米及3.39微米为主要的受激光。所有的实验报导,无论是内腔式或是外腔式,都是采用十三层介质膜、石英放电管、光学的Brewster窗与反射镜及精密的微调装置等。这里简单介绍我们在氦氖受激光发射方面的实验。大部分工作偏向于发展用直流激励,这样使受激光发射器出现于充气管范畴;采用十三层介质膜的反射镜,得到6,328埃的输出, 相似文献
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一采用调变受激光发射器的品质因数——“调Q值光闸”——而获得巨大功率的输出,是1961年以来常用的方法。最近E.R.Peressini改用“增益光闸”,也得到良好效果。调Q值的光闸,通常采用Kerr盒或转镜,两者各有优缺点,本文报导的器件是用转镜法的。转镜法的镜子转速一般在25,000 r.p.m.以上,有高达950,000 r.p.m.者。对于发光时间的量测,大都用双线示波器,限于仪器的时间常数,量测难准,且亦不能对发光物质的一定区域之发光过程进行探讨。有用高速转镜照相法或用象转换照相设备对受激光作分析研究的,但未涉及到大功率的输出。 相似文献
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自1960年Maiman首先实现了红宝石的受激光发射以来,在寻找产生受激光发射的工作物质及改进器件的结构与性能方面,做了许多工作,取得了丰硕的成果。目前,实现受激光发射的工作物质已不下五十种之多,其中包括气体、液体(有机溶液)和固体等不同状态和不同结构的物质;输出波段已从紫外2542埃伸展到红外35微米;实现了低温和室温的连续操作器件;红宝石的输出能量已达500焦耳,已制成输出能量为113焦耳的玻璃受激光发射器,运用光开关技术,红宝石的脉冲峯值功率已从5仟瓦剧增至10亿瓦;半导体工作物质的出现,大大 相似文献
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宽禁带半导体ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下,发展ZnO基异质结光发射器件不失为一种理想的选择.本文围绕p-n结型和MIS结型(金属-绝缘体-半导体)两类异质结构,介绍了ZnO紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的研究进展.针对ZnO异质结LED/LD存在的问题(如:发光效率低、稳定性差),重点介绍了通过引入ZnO单晶纳米线和金属局域表面等离激元,以及采用表面钝化等方法,改善器件性能方面的研究工作. 相似文献
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一种简单的金刚石薄膜场致发射器件 总被引:3,自引:0,他引:3
随着半导体工艺在真空微电子学中的广泛应用,场致发射平板显示技术得到迅速发展。利用场致发射冷阴极制备的平板显示器件及象素发光管,具有功耗低、体积小和亮度高的特点,在乎板显示和大屏幕显示方面,具有很强的竞争力。金刚石薄膜和类金刚石薄膜具有较低的起始发射电场和较高的电流密度,其作为新型冷阴极在平板显示中的应用引起国内外的极大关注,被认为是较好的场致发射材料。 相似文献
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通常热助和阶跃荧光的产生均是能级上粒子碰撞能量转移的的结果。在某些情况,这种粒子碰撞能量转移可以达到相当强烈的程度。基于这一事实,我们曾经利用粒子碰撞能量转移所产生的荧光测量能级跃迁的分支比,并取得了较好的结果。据我们所知,有关这种碰撞能量转移影响因素的系统研究尚未见报道。本文利用La-Ne空心阴极灯作为原子化 相似文献
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