室温下金属铝膜的霍尔效应初步研究

采用真空蒸发镀膜法制备了金属铝薄膜,在室温下,用四探针法测量了样品的电阻率和霍尔系数。结果表明,制成的金属铝膜,电阻率由块体材料的10^-8Ω·m 增大到薄膜样品的10^-5Ω·m;霍尔系数由块体材料的10^-11m³/C数量级左右增大到10^-4m³/C数量级;电阻率和霍尔系数随着金属铝膜厚度的减小而逐渐增大。     

适用于晶体硅太阳能电池的HF/LF-PECVD SiNx:H薄膜的特性研究

介绍了使用HF/LF-PECVD方法制备适用于晶体硅太阳能电池的SiNx:H薄膜.在温度、压强、射频功率和板极间距固定的条件下,通过改变气体流量,制备不同特性的薄膜,并测量薄膜的厚度均匀性、薄膜的折射率和基底的少数载流子寿命的变化,从这三个方面对SiNx:H薄膜的特性进行研究.     

射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响

用射频磁控溅射制备了一系列Ｇｅ／Ｓｉ多层膜,采用Ｘ射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期．通过计算机模拟实验曲线确定出了Ｇｅ和Ｓｉ的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率．实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为５９０℃、溅射功率为１５０Ｗ的溅射条件下１．５～２．５Ｐａ氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好．     

溶胶—凝胶法研制NiO薄膜

用溶胶－凝胶法合成了结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜．借助Ｘ射线衍射仪和光学显微镜等手段，对ＮｉＯ薄的晶体结构和形貌进行了分析；利用光干涉仪测定了薄膜的厚度．讨论了浸沉涂布时垂直引上速度对薄膜厚度和成膜性的影响．为了制备结构均匀而无裂纹的ＮｉＯ薄膜，引上速度不应超过１２ｃｍ／ｍｉｎ．     

脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显。靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多。【结论】PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布。     

厚度对L1_0-FePt薄膜的结构和磁性的影响

采用磁控溅射法在Si0001基片上制备了FePt薄膜,薄膜样品经过650℃热处理1 h.利用X射线衍射仪和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了测量和分析.结果表明,样品经过650℃热处理后均形成了有序面心四方结构的L10-FePt相.当FePt薄膜厚度达到20 nm时,样品平行膜面和垂直膜面的矫顽力最大,分别是9.2和8.0 kOe.随着厚度的增加,样品平均晶粒度增大,平行膜面和垂直膜面的矫顽力均呈现减小趋势.     

薄膜厚度对蒸发制备Cu膜内应力的影响

文章采用电子薄膜应力分布测试仪 ,对薄膜厚度随 Cu膜内应力的变化进行了研究。同时用 X射线衍射 ( XRD)技术测量分析了薄膜的微结构以及 Cu膜的微结构对其应力的影响。研究结果表明 :随着薄膜厚度的增加 ,蒸发制备的 Cu膜内应力由张应力变为压应力 ,压力差也逐渐减小 ,且内应力分布随膜厚的增加趋于均匀 ,Cu膜结晶明显 ,晶粒逐渐长大     

铝酸镧单晶基底上沉积BaPbO_3导电膜的研究

为了使BaPbO3薄膜作为YBCO涂层导体的导电隔离层,必须制备出具有一定取向且表面平整光滑的薄膜.实验采用乙酸钡和乙酸铅为溶质,以丙酸为溶剂,制得了稳定均匀的涂层前驱液.前驱液在单晶LaAlO3(100)基底上旋转涂覆形成的前驱膜在氧气的环境下于650℃烧结30 min制备出薄膜样品.经XRD分析,薄膜物相组成为单相的BaPbO3,且具有少许(100)取向;通过SEM观察,其表面均匀致密,厚度约为650nm;用四引线法测得薄膜室温电阻率为1×10-3Ω.cm.     

Co/Si多层膜的磁控溅射及其X射线衍射分析

用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Ｃｏ／Ｓｉ多层膜．Ｘ射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构．分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项．表明修正项不再仅对折射效应修正,而应理解为更广义的修正项．并应用广义修正总多层膜厚度Ｂｒａｇｇ公式确定出了主峰之间次峰的级数．     

ZnO薄膜中缓冲层厚度的研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO缓冲层,并在其上沉积ZnO薄膜.研究了匀胶的膜厚控制公式,达到对膜厚的控制.采用X射线衍射仪和原子力显微镜分析了缓冲层厚度对ZnO薄膜结晶质量和表面形貌的影响规律.     

8×8整型DCT/IDCT变换算法研究

以目前较新的H·264视频压缩标准为基础,寻求将图像块由该标准中的4×4块扩展到8×8块的有效途径。通过对视频图像压缩编码技术中的8×8整型离散余弦变换(DCT)正反变换算法进行了讨论和研究,在以提升矩阵为工具的基础上提出了一个新的8×8算法模型,并给出实现一维8点DCT/IDCT的具体步骤。     

基于STC单片机的8×8×8 LED光立方系统设计

为解决二维LED显示屏显示单调和立体性差的问题，以STC系列单片机为核心，采用锁存器74HC573和ULN2803芯片实现大功率LED的驱动，提出了软硬件系统设计方案，并完成了8×8×8的LED光立方系统设计.该系统能动态和静态地立体显示文字、图案和动画，适用于传媒信息和装饰显示，为进一步开发三维显示器提供了一定的理论与实践基础.     

超细中药材及营养保健品粉碎技术

成果简介 超细粉碎技术是适应现代科学技术，特别是高新技术的需要而发展起来的一项新的粉碎技术。物料经超细化后，其比表面非常大，光、电、磁、热力学、表面及界面特性均发生了奇特的变化，在使用时可取得超常的效果。