多原子极性半导体中体极化子的内部激发态

研究多原子极性半导体中强耦合体极化子内部激发态的性质，采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性半导体中强耦合体极化子的基态能量，第一内部激发态能量和激发能量。     

1.3μm 半导体激光器氖原子激发态跃迁“光电流”效应的稳频技术研究

１．３μｍ半导体激光器氖原子激发态跃迁“光电流”效应的稳频技术研究蔡伯荣王瑞峰叶玉堂胡渝洪永和（电子科技大学光电子技术系成都６１００５４）半导体激光器在大多数光波系统的应用中，都要求其输出光波频率的高度稳定性。无论在现代光纤通信的波分复用或频分复用系...     

GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子（P，As，Sb）替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0，器件呈现显著的整流特性.     

半导体结构束缚下各向异性施主杂质中的混沌

研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质.     

高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究

利用SRIM模拟软件对硅太阳能电池板的减反射膜和N型磷掺杂硅半导体进行了氦粒子辐照模拟实验,实验可知10Me V高能氦粒子对减反射膜几乎不会产生大的损伤,对减反射膜辐照损伤是长期的累积效应。高能氦粒子的辐照损伤主要集中在N型磷掺杂硅半导体内部,这种内部损伤是个短期内快速累积效应。每个辐照氦粒子会在硅半导体材料内部把自身的能量释放出来,导致硅半导体材料内部发生离化现象,造成损伤,这种损伤包括原子离位、原子反冲、原子替换、空位的形成等,会产生平均空位率为394个空位,产生的粒子平均离位率为427个离位原子,会导致大量原子发生级联碰撞。     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga（1-x）MnxN（x=0．01，0．25，0．10）稀磁半导体中Mn原子的局域结构．结果表明在低Mn含量（摩尔浓度）的Ga0.990Mn0．010N样品中，Mn原子替代了GaN中的Ga，以替位形式存在．当Mn含量增加到0．025时，部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位，并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体．当Mn含量进一步增加到0．100时，样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在．     

过渡金属原子在半导体表面上化学吸附理论

本文研究了过渡金属原子d轨道同衬底半导体SP杂化轨道之间存在两种不同耦合系数的化学吸附问题，采用自洽的格林函数方法，计算了吸附原子d电子在强、弱耦合态的占据数，化学吸附能、电荷转移及磁性解磁矩。     

共价半导体中空原子球参数的确定

本文提出一种确定共价半导体中空原子球及实原子球参数的简单方法。这个方法表明,晶体中的空球参数完全由实原子的有效芯区半径和格常数决定。而有效芯区半径可以方便地由原子问题的Kohn-Sham方程自洽解得到。巳经利用本方法和LMTO-ASA程序计算了一系列Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的自洽能带结构。其结果同其他从头计算方法的结果很符合,从而为LMTO-ASA方法在开结构共价材料电子性质的研究中,提供了推广应用的基础。     

硅、锗中硼、磷杂质的振动特性

本文用六原子模型．分析丁硼、磷原子在硅、锗半导体中刃位错附近的三维振动特性．     

Si原子轰击石墨烯形成取代结构的带隙研究

石墨烯是零带隙半导体材料,无法在半导体领域直接应用。因此,本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法计算Si原子轰击石墨烯形成取代结构的能带结构希望能打开石墨烯的带隙。首先验证了石墨烯本身的带隙,模拟数据表明石墨烯具有零带隙的性质。然后采用lammps软件模拟Si原子轰击石墨烯中的C原子,在一定范围的轰击速度下(153～597/fs),Si原子轰击并取代石墨烯中C原子形成了石墨烯型SiC的取代结构。在相同的速度下,用不同数目的 Si原子分别轰击石墨烯得到不同的取代结构,把其导入到MS中,用CASTEP模块分别设置相同的参数进行几何优化并计算这些取代物的能带结构。结果表明,Si原子轰击石墨烯形成的取代结构具有禁带宽度,打开了石墨烯的带隙。为实现精准调控石墨烯带隙打下了基础。     

氮掺杂(10,0)单壁碳纳米管的电子结构

利用密度泛函第一原理研究不同氮掺杂方式(10,0)单壁碳纳米管的电子结构. 当氮原子取代碳纳米管中的碳原子时, (10,0)单壁碳纳米管转变为n型半导体. 当氮原子吸附在碳纳米管表面时, (10,0)单壁碳纳米管转变为p型半导体, 同时与吸附氮原子相连碳原子的p轨道上的小部分电子被激发至d轨道上.      

世界最小晶体管问世

英国曼彻斯特大学研究人员诺沃舍罗夫带领的研究小组采用石墨烯材料制成目前世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。这种最新研制的新型电子晶体管比32纳米硅材料电子晶体管小3倍。这种电子晶体管可用于任何半导体制造。     

光催化技术在降解无机含氮污染物方面的应用

光催化技术是一种新兴的高效节能绿色环保技术，本文在介绍半导体光催化反应机理的基础上、对NOx、NO2^-污染物光催化降解的现状、提高半导体光催化剂活性的途径、光催化技术发展中存在问题等进行了综述，重点介绍了半导体光催化技术在降解无机含氮污染物方面的应用。     

宽温环境下半导体激光器加固研究

介绍了在宽温环境下光盘机中半导体激光器的加固技术，推导了半导体激光器热平衡方程，热加固结构主要由半导体制冷器和ＡＤ５９０传感器组成。设计了温度传感电路、单片机电路和驱动电路，组成了半导体激光器单片机温控系统。对加固的半导体激光器在－２０～＋５５℃环境下输出功率的变化进行了分析。     

GaAs中过渡金属深能级的量子化学计算

本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在能隙中的位置与实验结果较好地符合.     

家用半导体制冷采暖系统的研究

本文在半导体制冷技术的理论分析和实验研究基础上，对家用半导体制冷采暖系统中各分系统的优化以及它们之间的最佳匹配问题进行了讨论，提出了基本的设计原则，对半导体制冷技术在家用空调系统中的进一步发展和应用具有一定的指导意义．     

量子电子学的未来

本文认为，量子力学原理的应用已使电子学和测量技术发生根本性的变革。客观世界的量子性质越来越突出，而半导体工艺的精密化导致产生了若干不可思议的器件，并必将导致量子计算机的发展。由于科技水平已能驱动单个的原子、电子，不仅使人类对自然的控制能力跃上新的台阶，而且促使人们思考关于信号与能量的探测极限问题。最后指出，传统的无线电工程师必须回到基础科学上来     

超晶格中电子透射共振的机理

本文阐明了在超晶格中电子透射共振的机理，并将它与晶格中电子共振散射作了详细的比较，其理论计算的结果对超晶格某些原子层和分子层以及极薄的半导体层结构的研究都有重要意义，并为设计一种新型的放大率很高的量子放大器——透射共振量子放大器提供了理论计算的依据．     

半导体量子点及其应用概述

半导体量子点是由少量原子组成的准零维的纳米量子结构,表现出较其它维度的结构的半导体材料更优越的性能,被广泛应用于量子计算、量子生物医学、量子光伏器件、量子发光器件和量子探测器中,是现在前沿科学研究的热门课题之一。     

由Al12C原子集团构造晶体的理论探讨

使用基于混合基表示的第一原理赝势法,研究了由Ａｌ１２Ｃ原子集团立方密堆积构造而成的晶体的电子和几何结构．对所构成的晶体的晶格常数和集团中各原子在晶体场下的位置改变都进行了没有可调参数的从头计算．结果表明,这样构成的晶体将是金属而非半导体,Ａｌ１２Ｃ原子集团之间在构成晶体时有较强的相互作用,晶场中的集团不再具有类似惰性原子的性质．