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利用透射电子显微镜研究了通过离子束交替混合获得的TiN涂层与基 体M2钢之间的过渡层的微观构造.结果表明:过渡层主要组成相为TiN、 M6C和α-Fe.TiN相呈颗粒状,内部具有层状亚结构;M6C在离子束作用 下发生碎化;α-Fe有多晶化趋势. 相似文献
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纯铁表面沉积Ti和Al膜的同时,用N^+离子束注入增强沉积,成功地形成了性能优越的表面改性层。与ZrO2陶瓷球对磨结果表明,经Al+N^+AK I+n^+离子束增强沉积后,纯铁的表面显微硬度及磨损性能得到了较大的提高,磨痕形貌和元素分布观察结果表明:离子束增强沉积处理前后,磨损的机理发生了变化。 相似文献
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采用镍离子束动态增强沉积合成膜层,对膜层进行了分析,测试了膜层试样的电化学性能,与非增强沉积膜层相比,镍离子束动态增强沉积膜层有更好的电化学耐蚀性能。 相似文献
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研究了M2钢表面TiN涂层的组织结构和性能。这种涂层是通过真空沉 积Ti原子和注入N离子交替进行的离子束混合技术实现的。每次沉积Ti原 子厚度1000~4000A,注入N离子能量60和90keV,剂量2×1017~8×1017 N+/cm2.分析讨论了改性层的相组成及其强化机制。结果表明,在适宜工艺 下,改性层具有高硬度、高耐磨性和优良的结合力。 相似文献
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利用高能量(〉15keV)、脉冲氮离子束增强沉积(IBED)Fe-N磁性薄膜。合成了含有α-Fe、α″-Fe16N2、γ'-Fe4N和ε-Fe2 ̄3N相的纳米多晶薄膜。Fe-N薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌。纳米尺度的α″-Fe16N2和α-Fe相的混合物膜层的饱和磁性强度可达245emu/g。多元IBED Fe-Co-N合金薄膜与相同制备条件下合成的Fe-N薄膜相比,其相结构相似,但饱和 相似文献
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离子束辅助沉积法制备TiAlN/TiB2纳米多层膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用离子束辅助沉积法(IBAD)制备了一系列具有不同调制比例的TiAlN/TiB2纳米多层膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕等表征手段研究了薄膜调制比例对其硬度、内应力和膜基结合力等力学性质的影响.结果表明:随着调制比例从8∶1变化到25∶1,多层膜的硬度在29~34 GPa之间变化,所有多层膜的硬度均高于TiAlN和TiB2两种各体层材料通过混合法则得的结果,结合XRD结果分析认为,TiAlN(111)择优取向是薄膜硬度升高的一个重要原因. 相似文献
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利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入谢的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。 相似文献
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利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的组织和结构。在沉积TiN之前先镀一层极薄的钛中间层,继之再沉积TiN。研究结果表明:在基体和中间层界面处有FeTi相;在中间层与后继膜的交接处α-Ti与Ti2N有结构匹配关系;靠近中间层的后继膜由Ti2N和TiN两相组成;而远离中间层的后继膜部分是TiN组成的。 相似文献
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谢东珠 《上海师范大学学报(自然科学版)》2005,34(3):42-45
报道了TiNi薄膜的聚焦离子束刻蚀特征及刻蚀后的表面形貌.测量结果表明薄膜的表面粗糙度随刻蚀深度呈非线性变化,当刻蚀深度等于0.1μm时,表面粗糙度为最小(5.26nm,刻蚀前为14.88nm);刻蚀深度小于0.1μm时,表面粗糙度随刻蚀深度的增大而减小;当刻蚀深度大于0.1μm时表面粗糙度随刻蚀深度增大而增大,其原因是刻蚀深度大于0.1μm后表面出现了清晰的周期性条纹结构.此外,表面粗糙度随聚焦离子束流的增大而减小,当离子束流为2.5nA时,表面粗糙度从刻蚀前的14.88nm减小到4.67nm. 相似文献
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The research into heavy ion beam biology started in the 1960s, and so far it has become an important interdisciplinary study. Heavy ion beam is more suitable for molecule modification than other sorts of radiation, for it has many superiorities such as the energy transfer effect and the mass deposition effect. Molecule modification with heavy ion beam irradiation can be applied to developing new medicines and their precursors, genetic engineering, protein engi neering, outer space radiobiology, etc. Retrospect and prospect of the research and development of molecule modifica tion with heavy ion beam irradiation are given. 相似文献
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离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用MEVVA离子源将Fe离子注入到Si基体中会生成一层铁硅化物薄膜.利用电子显微镜,研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化.研究结果表明,在离子注入剂量为1×1017/cm2的未退火样品中,亚稳的γ-FeSi2相占大多数,同时有少量的由CsCl结构派生的缺陷相Fe1-XSi.在(100)取向的Si片上,这个硅化物层埋在硅基体中,形成了厚度为25nm左右的埋层(buriedlayer)结构 相似文献