富镓稀溶液中片状GaAs单晶的生长过程

本文采用慢冷却方法,对4％GaAs的富Ga稀溶液(结晶温度为785±2℃),进行片状单晶生长的试验并讨论了单晶的生长过程,实验指出,闪锌矿结构类型的GaAs,在自由生长条件下,低指数晶面的线性生长速度为{110}>{100}>{111},其晶片总为{111}面和{100}面所包围。最大晶面为(111)面和(TTT)面,晶片外观只有两种,即生长速度较快时,(111)面呈正六边形,生长速度快时,获得菱形的(111)面。多数晶片位错密度小于10~2/cm~2,片的大小为3×3×0.8mm~3左右。     

五硼酸钾晶体生长的研究

本文报导了五硼酸钾晶体自水溶液中的生长条件。我们是采用缓慢降温法生长,起始生长温度在50—60℃之间;溶液PH值在7～8的范围内;生长速度一般在0.3mm/昼夜以下;选择完美的晶体做籽晶;现已培养出40×48×30(mm)的近完美的大晶体。利用双(?)测角仪对五硼酸钾晶体进行了测量,标定了晶体的晶面符号,确定了该晶体是由四种类型的单形所代表的19个晶面组成的。使用ZJG—04大型金相显微镜观察了该晶体的位错缺陷。通过显微结晶和对大晶体生长过程的观察,分析研究了双晶形态,确定了该晶体系属接触反映双晶(简单接触双晶、反复三连晶、复合双晶)。本文还研究了双晶的形成规律;讨论了双晶对晶体生长的影响,双晶的成因和抑制双晶的措施。     

一种单晶光学晶体的晶面偏角及偏向测算方法

本文提出了一种运用三点法来求取单晶实际切割晶面相对于理想切割晶面方位角度的一种定向简便计算方法。单晶光学晶体晶面由于生长和切割误差等原因,往往造成实际切割晶面与理想切割晶面有偏角。为了获得这种偏角关系进行晶体的准确定向、切割加工,采用YX-2型X射线晶体定向仪与传统的数学计算方法相结合,运用三点法即可准确计算出实际切割晶面任意方位与理想切割晶面之间的偏角大小及具体偏向。晶体定向准确度高,操作方便,快速简捷,费用便宜,可准确地确定晶体的切割方向。     

五磷酸镧钕单晶表面特征的研究

用大型金相显微镜观察了高温溶液生长的五磷酸镧钕(NdLaPP)晶体的表面特征。这些特征是:晶面花纹、生长丘、邻位面和铁弹畴。实验表明:晶面花纹是晶体内部缺陷在生长面上的反映。因此,观察晶面花纹就可直接地判断晶体内部质量,这在大晶体上选取较完整部分制作激光棒或作晶种是一种方便,有效的方法。根据生长面上出现的生长丘、邻位面等表面特征,可以确定在该晶体生长过程中螺位错生长机制起主要作用。     

x射线照像法测定三方晶系晶体结构的讨论与研究

本文在文献的基础上,对晶体是否属于三方 R 点阵结构的判据,分别从 Laue 方程、结构因子和直观晶面图形三种不同的角度进行了论证,获得了员好的效果。三种方法中,Laue 方程法和直观晶面图形归纳法是文献上所未见过的。     

氨苄西林晶体形貌模拟

氨苄西林是一种半合成青霉素,较天然青霉素有更高的稳定性和更广泛的抗菌谱.通过密度泛函方法计算了氨苄西林晶体内分子间作用力,在此基础上利用MaterialStudio分子模拟软件采用螺旋生长模型对氨苄西林在水溶液环境中生长的晶体形貌进行了模拟,并与BFDH模型、AE模型、动力学蒙特卡罗方法拟合的结果以及水溶液中生长的实际晶体进行比较.结果表明,氨苄西林晶习为长棒状,其{011}和{100}晶面族为主要显露晶面.氨苄西林晶体中存在高度各向异性的非键相互作用,其中[001]和[100]方向上的非键相互作用主要由氢键、极性力和两性官能团的静电相互作用构成.通过螺旋生长模型得到的理论晶习能很好地与实验制备的晶习吻合,但是传统方法如BFDH和AE模型无法准确模拟氨苄西林的晶习.基于螺旋生长机理分析,晶体的分子间相互作用和晶面上的台阶结构是该晶习形成的主要原因.动力学蒙特卡罗模拟表明,高能垒导致{011}晶面有最小的生长速度.     

TI—59型计算器在处理 X 光衍射仪实验数据中的程序设计

在固体物理例如贮氢材料的研究中,需对物质的晶格常数进行测定,所采用的方法之一就是利用 X 光衍射仪测定物质在不同角度的衍射强度,根据记录的衍射峰所对应的衍射角度2θ,可求出晶面间距 d_(hkl)。     

狮头鹅生长发育模型的研究

在家养条件下选用狮头鹅80只,测定了12周龄前的体重、体斜长、胸深、龙骨长、骨盆宽和胫长,并对各指标进行生长曲线拟合。结果表明,公、母鹅各指标在5周龄前生长状况基本一致,5周龄后公鹅生长速度明显快于母鹅。其中Logistic模型、Benallanffy模型和Gompertz模型均能很好地拟合出狮头鹅各指标的生长曲线。     

双辉等离子法在Mo、Nb表面制Ir涂层微观结构比较

通过双层辉光等离子体表面渗金属方法,在难熔金属Mo、Nb表面成功制得Ir涂层,并对其微观结构和微观形貌进行分析.制得的铱涂层呈亮银白色,致密且表面均匀,无明显缺陷.XRD研究表明：Ir涂层呈多晶态,并沿（220）晶面优先生长,Nb基体上Ir涂层（220）晶面择优生长趋势明显高于Mo基体上Ir涂层（220）晶面择优生长趋势 Ir涂层由锥形晶构成,致密均匀,没有微观缺陷和微观裂纹.Ir涂层制备过程中,在基材表面形成了一个基材元素梯度分布的过渡层.过渡层的存在使得Ir涂层与基材结合良好 同时,Ir涂层遭受高密度离子轰击,在涂层内部产生高的残余压应力.利用纳米压痕仪测定了致密Ir涂层的硬度及弹性模量,并对其加载卸载曲线进行分析.由于基体热膨胀系数的差异,Nb基体上Ir涂层的残余压应力、表面硬度均大于Mo基体上Ir涂层.     

ZnO薄膜的制备及其特性研究

采用射频磁控溅射技术生长出高质量（002）晶面取向的ZnO薄膜.通过XRD和AFM研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的结构和表面形貌的影响.研究结果显示,射频功率在50W下氧气比例为45%时,所生长的ZnO薄膜可以用于制作高质量的表面声波仪（SAW）.     

日粮蛋白水平对叙利亚仓鼠的生长、寿命及肾脏疾病的影响

<正> 对采食由天然饲料成分构成的日粮(分别含6,12,18和24％蛋白质)的公、母叙利亚仓鼠进行了生长速度,饲粮采食量、肾重、血清化学成分(总蛋白、血清肌酸酐、血液尿素氮)及寿命的测定。对肾脏进行了显微镜观察,并根据所患肾炎的程度进行了分类。6％蛋白质处理组的肾炎发生率最低,但其体型明显小于其他各组,寿命明显短于其他各组。12％蛋白质处理组的生长速度在生长前期低于18％和24％两组,但试验结束时,这种体重方面的差异消失了。其肾炎的发生率高     

发酵葡萄酒中菌种的分离鉴定及糖类耐受性的探究

通过分离安徽阜阳葡天下所产的葡萄中的菌株来获得更适合该地区气候的菌株,为该地葡萄酒的优化提供相关理论依据.方法:分离纯化培养和测定其生长速度与理化性质来筛选出菌株,比较其中的形态特点和分子生物学特点来确定该菌株所属种属.结果表明:分离纯化获得8株菌株,选择其中生长速度较快,且理化性质不同的2种菌株进行形态和分子生物学鉴...     

新型金纳米薄片的制备与生长研究

在表面活性剂PVP的辅助下,利用高温溶剂热法,合成了星形、盾形和多边形等新型Au纳米薄片.对其结构分析表明,Au纳米薄片均为单晶,边长为数微米,厚度约40 nm.这些新型的Au纳米片的形成可以理解为(111)面沿着〈211〉和其他高指数面的生长.不同晶面表面能的理论模拟可以很好解释(111)晶面沿高指数方向生长的可能性.利用堆垛层错引导晶体生长可以很好地解释选区电子衍射中的分数衍射及晶面间距.     

微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在CH4／H2，CO／H2和（CH4＋CO）／H2气体体系下合成了金刚石薄膜．结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质，（CH4＋CO）／H2体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和（100）晶面定向生长的特性．     

立方晶格晶面间距的计算

为了纠正补充教材和文献中有关立方晶格晶面间距的计算方法,对已有晶面间距的计算方法进行深入地总结与讨论,并给出一种利用密度比来计算晶面间距的方法,最后利用这些方法分别计算了面心立方晶格和体心立方晶格的晶面间距,不同方法的计算结果完全一致,从而验证了这些计算方法的正确性.     

一年三次刈割苜蓿高度生长动态模型的研究

对８种苜蓿在生长季内三次刈割各茬苜蓿高度生长动态的研究，结果表明：在生长季内，各连高度生长呈“Ｓ”型增长，并符合逻辑斯蒂模型．确定了各茬苜蓿高度生长最大速度值和两个时间特征值．此外，不同茬次苜蓿高度生长速度呈明显差异，二茬苜蓿高度生长速度最快，达到最大生长速度所用的时间最短；同一茬苜蓿高度生长速度在不同年度的差异不明显．该研究为苜蓿的管理和利用提供理论依据．     

东海宽体舌鳎年龄与生长的研究

本文研究了东海宽体舌鳎的鳞片形态、年轮特征及其生长规律。结果表明：宽体舌鳎直至５龄生长尚未停止，但２龄前生长最快，以后生长速度逐渐降低，并且在各年龄阶段全长、体高、体厚的生长是不同步的，由此导致了各年龄阶段鱼体型的变化，高龄鱼比低龄鱼更肥胖、宽厚。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅱ.SnO_2薄膜的结构和气敏性能

研究了用化学气相淀积方法制备的SnO_2薄膜的组成。晶体结构和气敏性能。发现薄膜为多晶结构,在薄膜生长过程中,(200)、(110)晶面择优生长;薄膜对H_2的气敏灵敏度随温度的升高而增加,并存在一合适的工作温度范围:100～250℃。     

一年三次刈割苜蓿高度生长动态模型的研究

对８种苜蓿在生长季内三次刈割各苜蓿高度生长动态的研究，结果表明：在生长季内，各茬高度生长呈“Ｓ”型增长，并符合逻辑斯蒂模型，确定了各茬苜蓿高度生长最大速度值和两个时间特征值，此外，不同茬次苜蓿高度生长速度呈明显差异，二茬苜蓿高度生长速度最快，达到最大生长速度所用的时间最短；同一茬苜蓿高度生长速度在不同年度的差异不明显，该研究为苜蓿的管理和利用提供理论依据。     

溅射气压对射频磁控溅射制备ZnO薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜,分析了ZnO薄膜的晶体结构和表面形貌.结果表明:所制备的 ZnO薄膜是具有(002)晶面择优生长的多晶薄膜.溅射气压为0.3Pa时,薄膜的晶粒尺寸较大,结晶度提高.