微生物诱变育种技术-离子注入法

20世纪80年代初期,离子注入技术被应用用于农作物品种的改良,发现离子注入水稻生物效应,通过离子注入诱变获得了损伤低、突变率高、突变谱广的统计结果。现在这一研究已发展成为离子生物学的一个新阶段,孕育着新的边缘学科、交叉学科和新技术,引起国内外的关注。     

离子注入聚合物薄膜电导机理的研究

在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作用下离子注入聚合物的电导公式。并以不同As~+注入剂量的聚酯(PET)薄膜,在经过不同百分比的拉伸后,研究了电导的场强曲线、温度曲线以及颗粒间距离对电导的影响。实验结果证实了理论分析。     

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.     

Zr离子注入对NiTi形状记忆合金表面硬度和耐磨性影响

研究了Zr离子注入参数(注入剂量和注入电流)对NiTi形状记忆合金表面成分、形貌、硬度和耐磨性的影响.发现Zr离子注入后,Zr离子浓度在NiTi合金表面呈高斯分布,同时降低了合金表面的Ni含量.Zr离子注入后合金表面形貌出现沟槽结构,合金外表层纳米硬度、杨氏模量和显微硬度明显提高.摩擦磨损实验结果表明,Zr离子注入降低了NiTi合金初始摩擦因数,显著延长了维持初始低摩擦因数的时间,同时使磨痕的宽度和深度分别减小了30%～50%和28%～50%.因此,选择适当的注入参数可以使NiTi合金获得最佳的耐摩擦磨损性能.     

离子注入掺碘聚醚砜薄膜的红外光谱分析

测定了未注入掺碘聚醚砜(PES)膜和离子注入掺碘PES膜的红外光谱．发现两红外光谱不同．离子注入使掺碘PES膜的C—S键和C—O键断裂，但对掺碘PES膜的苯环没有破坏作用．Ar(苯环)—O—Ar吸收峰经离子注入后向低波数位移是由于离子注入导致键断裂．挥发性物质放出和富碳层的出现，并伴随着膜的致密化，使分子间的作用力显增大．膜结构的变化引起了膜的电学和光学性质的变化。     

基于双离子注入法的新型PSD结构

在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)传统结构的基础上,采用双离子注入方法,研究一种新型的PSD结构.这种新型结构通过在N型硅衬底分别注入一种高剂量、低能量的硼离子和另一种高能量的硼离子形成,离子注入后在1 050℃扩散炉中氧气保护退火2h,形成浅和低掺杂的PN结.实验结果表明,新型PSD结构可获得较高的位置分辨率、较小的响应时间误差及非线性.     

离子注入高速钢滚齿刀研究及应用

研究离子注入对高速钢材料的硬度、耐磨性和表面层组成的变化规律。分析离子注入各类刀具特别是滚齿刀工业应用的寿命试验结果。提出了离子注入对高速钢材料及刀具改善物理与机械性能的基本原理和特点,并以滚齿刀为例,进行了经济效益分析。     

离子注入在金属表面改性中的应用

离子注入是一种重要的金属材料表面改性技术，随着离子注入技术产业化和实用化的推进，预期在不久的将来，离子注入工艺将带来巨大的经济效益和社会效益。因此，研究离子注入技术对金属材料表面性能的影响具有重要的意义。本文介绍了离子注入技术在提高和改善金属材料表面性能方面的应用。     

离子注入中温升的研究

探讨了离子注入中的温升问题.这种温升可用试验方法进行测量.研究了几种测温方法(例如低熔点金属法和硬度法).分析了降低注入样品温升的一些途径.     

我国离子注入生物效应研究取得可喜进展

本刊最近从国家自然科学基金委员会获悉,我国在离子注入生物效应研究方面取得新进展,尤其是在离子注入水稻育种方面,取得了可喜的阶段性成果。离子注入技术兴起于70年代,当时主要应用于材料科学。研究发现,经离子注入的半导体或金属材料,性能获得重大改进。因此,在国内外兴起了一股“离子注入热”。     

铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散

鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。     

NiTi合金的离子注入穆斯堡尔谱学

简要介绍了离子注入穆斯堡尔谱学的基本原理，讨论了离子注入的不同途径，及离子注入穆斯堡尔谱学的应用。报道了作者利用离子注入穆斯堡尔谱研究ＮｉＴｉ形状记忆合金的工作。     

B~ 注入Si片的均匀性及重复性的测定——国产J5960型离子注入机基本工艺性能测试报告(之一)

在半导体器件生产中,尤其是大规模集成电路,为了提高其性能、增加可靠性和稳定性,特别是提高成品率,要求在大面积内对半导体衬底进行高度均匀的掺杂且重复性好,而离子注入工艺正是具有这个突出的优点。一台好的离子注入机,均匀性和重复性是它的重要指标之一。为此,我们用国产J5960型离子注入机,对硼离子注入Si片的均匀性和重复性进行了试验测定工作。现简要报告于后。     

氮离子注入纤维素酶产生菌的诱变效应研究

作为一种新型的生物诱变手段,离子注入技术以其独特的诱变机理和显著的生物学效应受到关注,被广泛地应用于植物、微生物育种和转基因.本文应用低能离子注入技术对纤维素酶产生菌里氏木霉(Trichoderma reesei)进行诱变选育,研究低能N+注入对其存活率、菌体总抗氧化能力(T-AOC)、蛋白质含量以及产酶能力的影响.结果表明,低能N+注入对T.reesei的诱变效应显著,T.reesei经N+离子注入后存活率曲线呈现"双马鞍型",而菌体注量-总抗氧化能力曲线与注量-存活率曲线呈现一致的变化趋势.由此推测,离子注入微生物所诱导的总抗氧化能力的强弱变化很有可能决定微生物的存活情况.在注入剂量为250×1014N+/cm2的条件下得到突变幅度提高最多的菌株,CMCA活力较对照增加了24.3%.     

离子注入选育莲的矿质元素与重金属元素的吸收分析

为探索离子注入技术新的应用,采用原子荧光光谱法、原子吸收光谱法和电感耦合等离子发射光谱法对离子注入选育莲的重金属元素和矿质元素吸收量进行了分析.结果表明,尽管同种重金属或者矿质元素吸收量在两个品种＂京广1号＂和＂京广2号＂间的变化并不一致,但是部分重金属元素与矿质元素的吸收量得到提高.这说明离子注入诱变能够通过提高植物的重金属吸收量而用于重金属污染的植物修复,离子注入诱变也能改善植物的矿质元素吸收而提高其营养价值.该研究为拓展离子注入技术的应用进行了有益的探索.     

离子注入对三角叶滨藜种子萌发及愈伤组织的影响

利用N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子分不同辐射能量,对三角叶滨藜（Atriplex Triangularis）种子进行离子注入,研究低能量状态下激发诱变的生物学效应。结果表明N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子注入处理后,三角叶滨藜种子萌发率均有下降,其中Ar^ 处理组种子萌发率高于对照组。由于菌苗诱导产生愈伤组织及其生理活性也存在差异。通过对愈伤组织SOD、POD、CAT活性进行测定,发现这3种离子注入种子处理后愈伤组织的SOD、POD、CAT活性一般都低于未处理的对照组。其中Zn^2 注入处理后SOD活性高于对照组。     

12keV低能砷离子注入硅的损伤分布

测量了１２ｋｅＶ注入能量、８×１０￣（１４）～２×１０￣（１５）／ｃｍ￣２剂量砷离子注入硅的椭偏光谱，并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明，损伤分布呈现为平台型，体内不出现峰值，损伤深度为１２．５～１６．０ｎｍ，与背散射沟道技术测定结果相符合。     

离子注入金属的实验研究

介绍离子注入物理冶金及表面改性方面的研究成果。研究离子注入非晶合金、化合物形成、细化晶粒;离子注入改变金属表面性质的作用。进一步说明了离子注入不仅是一种理想的物理冶金方法,而且也是一种新的表面处理技术。     

W离子注入奥氏体不锈钢的微动磨损性能

采用金属蒸气真空弧离子源,在奥氏体不锈钢上注入金属W离子,研究了W离子注入对奥氏体不锈钢微动磨损性能的影响.结果表明,W离子注入后不锈钢的表面硬度提高了3倍;W离子注入能够显著改善奥氏体不锈钢的微动磨损性能,降低微动磨损面积.这主要归因于离子注入造成的表面强化,以及离子注入在基体表面产生的压应力.     

GaAsIC的离子注入和白光快速退火技术通过鉴定

由我校低能所李国辉副研究员主持,刘伊犁教授、姬成周副研究员和GaAs新器件课题组参加完成的国家自然科学基金项目“GaAsIC中的离子注入和白光快速退火技术”,近日通过了国家科委主持的鉴定.学部委员黄祖洽教授以及北京市技术研究院的有关同志参加了鉴定会.该成果研究了GaAs集成电路中离子注入的关健技术,提出了形成高质量离子注入层的技术条件,在材料与离子注入层特殊关系的研究中提出了新见解;应用形成的技术成果探讨了新型器件研制中的物理、器件、材料与工艺问题,并研究了有关的检测技术,对提高材