微差比色法測定大含量硅的研究

硅酸盐包括的种类非常多。天然硅酸盐包括硅酸盐岩石和硅酸盐矿物等;人工制造硅酸盐包括玻璃、陶瓷、水泥、耐火材料等。硅酸盐一般须要测定的项目为SiO_2、Al_2O_3、Fe_2O_3、CaO、MgO,必要时还须测定K_2O、Na_2O、TiO_2、吸湿水及化合水等。在经常测定的硅、铝、铁、钙、镁五种元素中,除硅以外,其余四种元素,均有较     

铁鎢硅合金的高溫微蠕变与晶界激活能的測定

我们用扭转微蠕变的实验装置测定了纯铁的高温微蠕变与晶界滑移激活能及加Si,W等合金元素的影响,从而研究Si与W等合金元素对晶界耐热性的影响。实验结果指明铁中加Si及W对蠕变有显著的影响,从蠕变曲线求出的晶界滑移激活能为 Fe 51200(卡/克分子) Fe+1％Si 64800 Fe+3％Si 83000 Fe+3％W 94000 Fe+5％W 104000 Fe+2％Si+5％W+0.5％Ti 109000从上表可以看出铁中加Si,W等合金元素对晶界激活能有显著的增加,特别是加W增加得特别显著,这说明加入W作为提高耐热性的主要合金元素的正确性。     

均相沉澱法測定鎢量的改進

一、引言 鎢鑛樣經濃鹽酸分解後,析離出來的鎢酸,可以用容量法滴定。但在鎢酸鈉溶液中,加鑛物酸使鎢酸沉澱時,情形便不同,沉澱不能完全,洗滌亦困難。雖然加入生物鹼或其他胺類物後,沉澱及洗滌問題都可解决,但下一步祇可用重量法测定,不得再用容量法。即是在重量法灼燒時,因鈉離子的存在,灼燒物亦不易     

钼酸铵—硫酸亚铁—碳酸钠比色定硅法

本文建立了钼酸铵——硫酸亚铁——碳酸钠比色定硅法。该法简便易行,快速有效,不需特殊设备和试剂。由于不受磷酸根离子及维生素C等还原物质的干扰,故特别适用于生物材料及矿泉水等样品中水溶性硅的测定。     

G_2型空間上弱收斂叙列的性質

1.引言.于单位圆上的正规解析函数f(z)=sum from o to(a_nz~n),假如适合条件:此处p>0;我们就说f(z)∈H~P定羲‖f‖=Sup_o≤r<1则在p≥1时,H~P是Banach空间,Taylor(1950)和Walters(1950)都曾讨论H~P上弱收歛叙列的性质.现在我们来讨论一般的线性空间.显然,在0相似文献   

測定薄壁圓筒残余应力分布的非解剖法——双端取环法

精确测定机器零件的残余应力值是机器设计的重要任务之一。目前测定残余应力分布的常用方法是解剖法,这种方法虽能测出残余应力的分布,但是被测零件被彻底破坏了。因此,对每件都需测量的零件如发电机护环等来说,解剖某件的数据仅有参考价值。本文根据力学基本原理提出了一种精确测量薄壁圆筒残余应力的新方法。它只要在圆筒两端的工艺余量内各取一个或两个薄环,不必解剖零件,就能确定整个筒内的残余应力分布,测量后,零件完整无损。这种方法经用本文提出的解剖法对残余内力和解剖后圆筒剩余部分的位移进行实验检验后证明是正确可靠的。这种方法对测定任何轴对称负荷(塑性加工、温度埸)产生的残余应力都是适用的。     

盐类溶液浓度和自由酸度的測定—离子交換法

金属阳离子与阳离子交換树脂(H型)进行定量离子交換, nRH Me~(n )(?)R_nMe nH~ RH——H型阳离子交換树脂。 Me~(n )——电荷为n 的金属阳离子。 H~ 离子若用标准碱溶液滴定,該鹽溶液的濃度即可測出。此法可用于純鹽(特別是难以干燥并恆重的純鹽)溶液濃度的測定。用此法标定碱溶液,准确度可达到千分之二,比以H_2C_2O_4·2H_2O     

CaF2--SiO2型硅传感器辅助电极的制备及其定硅性能

以CaF2+SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2( MgO)固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30 min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10 s左右,稳定时间在20 s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合.     

銀容量法應用於钨酸鈉溶液中钨量的測定

銀容量法可以應用於鎢酸的测定。鎢酸銀可以在鎢酸鈉舆銀氨複離子的混合溶液中。藉加入稀硝酸使pH值到達7.0—7.5時而沉澱完全。分析誤差在±0.2％以內。本文也討論了pH值對鎢酸測定的影響。硫酸鈉的存在,如不超過鎢酸鈉量的100倍時,並不影響鎢酸的测定。氧化鈉与鎢酸鈉的混合液,祇可應用本方法求得氯離子与鎢酸根的總量。     

P型低阻硅外延生长提高成品率的探讨

在重掺硼微偏离<111>的硅单晶衬底上,汽相生长厚为6—8微米,电阻率为O.5—O.8欧姆·厘米的P型外延层。 在生长中利用控制自掺杂效应使电阻率满足要求,严格控制生长温度在1110℃—112O℃,生长速度在O.7—1.1微米/分,得到表面光亮、平整,电阻率均匀的外延片。使成品率可达90％左右。     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

硅铁含硅量的炉前快速测定方法—水滴定比重法

硅铁生产中含硅量的炉前快速测定,我省极大多数工厂均采用硅铁煤油比重法。此法虽有分析快速之优点,但由于煤油比重器的密封石蜡容易裂缝,排放煤油活塞的凡士林也容易被煤油所溶解,因此,硅铁煤油比重器经常发生漏油漏气现象。又由于煤油比热小,体涨系数大,因而随着气温的变化,煤油在读数管内自然上升或下降的现象十分明显,所以不易读出正确数值。由计算可知,一个装容量为一万毫升的硅铁煤油比重器中,煤油随气温上升或下降一度温度,它的体积就要随着增大或缩小十毫升以上。由分析仪器造成分析结果的误差直接影响到炉子投料的正确性,造成了产品质量和产量的不稳定。     

电位法測定混合络合物:草酸乙二胺合銅及丙二酸乙二胺合銅的稳定常数

本文用电位法测定草酸乙二胺合銅的稳定常数logβ_(11)=15.28,所得结果与其他方法所得者一致,证明了电位法亦适用于这类体系。进而对丙二酸乙二胺合銅进行研究,首先从吸收光谱证明了混合络合物的形成,继而用Job法发现溶液中存在丙二酸乙二胺合銅及二丙二酸乙二胺合銅两种结合物,由于后者非常不稳定,并且在大量丙二酸钠存在下才形成,故用电位法仅测定了丙二酸乙二胺合銅的稳定常数β_(11)=15.10。     

P型重掺杂硅薄膜及其在叠层电池隧道结中的应用

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜.利用原子力显微镜(AFM),IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究.通过测试薄膜的暗电导和激活能,对硅薄膜的电学特性进行了分析.为提高隧道结的复合速率,在隧道结的N层、P层之间插入不同掺杂浓度的硅薄膜做复合层,并测试了隧道结的电流-电压特性和透光性.实验结果表明:随着掺杂气体比例R(B2H6/SiH4)的增加,硅薄膜逐渐由微晶硅转变为非晶硅,薄膜的微结构和电学特性随之改变.隧道结复合层的最佳掺杂气体比例R=0.04,在该条件下的薄膜是含有少量品粒的非晶硅.使用该复合层的隧道结具有阻抗小、接近欧姆接触、光吸收少等优点.     

难选高硅型氧化锌矿机械活化碱法浸出研究

针对氧化锌矿综合利用工艺的现状和不足,将处理氧化铝矿物的拜耳法移植于氧化锌矿的湿法处理过程而形成锌拜耳法,提出氧化锌矿机械活化碱法浸出的新工艺。实验结果表明:当NaOH的用量为理论用量的3.5倍,温度为140℃,浸出时间2 h,液固比为10:1(mL/g)时,锌的浸出率达到95.1%,硅的浸出率为45.5%。氧化锌矿在高温、长时间和强机械活化作用下生成难溶产物Na2ZnSiO4是导致锌浸出率降低的主要原因。     

分布参数系统的顺流型热交换器的渐近近似法与预测控制Smith法补偿

分布参数系统由于是偏微分方程描述,具有无限维的特性。在极大多数情况下,无法求到它的精确解,而且求解也相当繁复。因此不少研究分布参数系统的科学工作者对这方程式近似方法进行了大量的研究,如差分法,特性曲线法和MWR法等;或者把分布参数系统近似成集中参数系统,或者把高价方程简化为低阶方程等。在此基础上再进行系统设计,加以补偿,以得到良好的系统特性。本文以典型的顺流型热交换器为例,介绍此类分布参数系统的另一种渐近近似法,并在此基础上用预测控制Smith 法进行补偿,给出计算机仿真结果,从根据轨迹角度来探讨补偿结果     

基于正交法扁双P型辐射管仿真模拟及结构优化

在扁形双P型辐射管的基础上,研究了扁双P型辐射管的中心管的等效半径、支管的等效半径、中心管和支管间距、管长等结构尺寸对辐射管性能的影响.通过建立正交试验方案对辐射管结构尺寸以及燃烧器喷口结构位置进行优化.结果表明,影响辐射管表面温差的最明显因素依次:中心管与支管的间距、中心管等效半径、管长和支管等效半径;影响辐射管辐射功率的明显因素依次:管长、中心管等效半径、中心管与支管的间距和支管的等效半径.上下空气喷口与左右空气喷口大小比例在7:3和9:1比较接近,辐射管的性能参数最好;左右空燃气喷口间距为50mm,上下空气喷口间距在60mm的情况下辐射管表面的温度不均匀系数最小,为0.058.     

多孔硅-三(8-羟基喹啉)合铝杂化材料的浸渍法制备及其光致发光

用阳极腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,合成了三 (8_羟基喹啉 )合铝配合物 (AlQ3 ) ,通过浸渍法制备了PS_AlQ3 杂化材料 ,并研究了其室温光致发光性能。结果表明 :利用浸渍法确能将AlQ3 掺入PS中 ,这种杂化材料同时保留了PS和AlQ3 的部分发光性能     

用主导极点定域设计法对二次型最优调节器进行设计

基于主导极点定域设计法的基本原理,通过限制闭环主导极点在复平面左半面的双曲线域内,来选择二次型指标中的加权阵Q,并给出了ρ→∞时闭环系统极点与控制加权阵R选择的无关性。根据这一特点,给出了确定Riccati方程迭代法起始矩阵的方法,并以此为基础给出了二次型最优调节器的设计算法和计算机辅助设计的程序框图,为二次型最优调节器的设计提供了理论基础和算法依据。