基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源

利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.     

0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20nm,挖槽深度为15nm,栅介质采用高介电常数的HfO_2,器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。     

氮化镓基IMPATT二极管电学特性模拟研究

基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2%,结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。     

基于SSL4101T的Boost-Flyback电源设计

针对LED驱动电源高转换效率及高功率因数的要求,引入了基于SSL4101T控制芯片的LED驱动电源设计。详细介绍了两级有源功率因数校正(APFC)技术及Flyback拓扑转换电路的工作原理及过程,结合具体电路给出相关外围器件、功率器件以及磁性元器件的参量选型,最后试制了100W该产品样机。实验表明,该设计方案具有线性调整率好,输出恒流纹波小,效率及PF值高等优点。     

结合平衡和滤波技术抑制GaN电源转换器的电磁干扰

针对GaN Boost型电源转换器的电磁干扰降低电源可靠性的问题,提出了一种结合阻抗平衡和滤波技术抑制GaN Boost电源转换器电磁干扰的方法。由于阻抗平衡技术利于抑制低频共模电磁干扰,而滤波技术利于抑制高频共模电磁干扰,所以将两者结合以抑制GaN Boost型电源转换器的共模电磁干扰。首先用GaN高电子迁移率晶体管搭建功率级电路;然后用耦合电感替代功率级电感,并在耦合电感的输出端加上电容以平衡寄生参数的影响;最后加入共模电感以抑制高频共模电磁干扰,综合考虑抑制效果和电路面积,合理选择滤波器共模电感值。该组合方法与阻抗平衡单项技术相比,能有效地抑制高频共模电磁干扰;与滤波器单项技术相比,减小了电路面积。仿真结果表明,抑制后与抑制前的电磁干扰相比,在200kHz~10MHz低频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量达到40~60dB;在10~30 MHz高频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量约为80dB。     

一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.     

VSAT射频功率放大控制链的研制

介绍了低成本VSAT的射频功率放大链的设计和研制情况。在研制中，根据应用环境以及技术指标的要求，选择了放大链路的放大级数以及各级的增益和功率输出值，同时，依据电路的空间大小以及低成本要求，选择了各级放大器的电路形式、采用器件和基片材料。并根据大系统的要求对该放大链提供了功率检测控制点和功率控制开关。设计和研制结果表明该电路在5925MHz～6425MHz范围内增益为67dB、通道起伏小于2dB，输出功率为5W，开关比为30dB，基本满足系统指标要求。     

一种SOI-RFLDMOS器件的设计

设计了一种基于SOI的RFLDMOS功率器件,建立了该器件的信号模型,分析了该器件的静态参数、动态参数和功率输出特性．借助仿真器,得到所研制的SOI—RFLDMOS耐压为95．9V、频率945MHz、输出功率30W、功率附加增益16．06dB等．     

基于功率合成器的北斗射频功率放大器设计

针对当前应用于北斗卫星系统的射频功率放大器的小功率、低效率、高成本等缺点,本文提出一种基于功分合路器的改进型三级级联射频功率放大器设计方案。利用负载牵引法对末级功率放大器进行设计,利用集总参数与分布参数相结合的技巧对微带低通滤波器进行设计,利用小信号S参数法对前置级放大器进行设计。通过详细的理论分析和仿真优化,结合射频硬件电路和结构的设计要求,实际制作并实现稳定高效的30 W射频功率放大器设计。该方案可使低供电电压的小功率射频器件实现较大功率输出,并较好地兼顾线性度和效率。     

中子管射频离子源前端电路设计

设计了一套中子管用小功率射频离子源前端电路.该射频离子源前端电路主体由MC1648压控振荡器产生的信号源、功率放大器、耦合天线及阻抗匹配电路等部分组成.利用Smith圆图对前端电路主体进行了设计研究,结果实现了可产生稳定工作频率13.56MHz、最大输出功率为4 W的高频正弦波.     

浅谈通信电源的发展和管理

介绍了通信电源技术的发展过程及高频开关电源、蓄电池、UPS等电源设备的性能特点、运行效率及供电可靠性，提出了做好通信电源运行管理工作应采取的措施。     

数值拟合研究不同LC配比对PMMA基PDLC膜的电光性能影响

对现有文献中制备的PMMA基PDLC膜的透过率数据进行数值拟合,研究不同LC配比对PDLC的阈值电压、饱和驱动电压及对比度的影响.利用非线性拟合研究PMMA基PDLC膜在驱动电压为0-35V的透射率,给出符合实验数据的函数关系为三阶多项式函数形式.对得到的三阶多项式函数进行计算,得出不同LC配比PDLC膜的阈值电压、饱和驱动电压及对比度,结果显示,40%LC情况下形成的PDLC膜的饱和驱动电压和阈值电压低,对比度较高,响应时间快,说明其电光性能比较优越,与现有文献中的实验结论相符合.     

ECO UPS供电方案在IDC机房中的应用

为了保证IDC机房中IT/网络设备的安全运行,要求输入电源为无电磁干扰且稳定、高效的供电系统.介绍了一种带增強型滤波器的市电电源+带增強型滤波器的ECO UPS组成的双总线供电系统,该系统不但可以满足IDC机房中IT/网络设备的工作要求,而且可以同时兼顾高运行效率和高可利用率问题.     

数字用户环路倍增设备用户开关电源的动态分析

介绍了数字用户环路倍增设备用户开关电源的动态分析方法。在功率级和补偿网络拓扑给定时，应用最优控制理论，以动态误差平方积分最小为优化目标，建立非线性动态优化设计分析模型，用非线性不等式约束条件的最优化算法求出补偿网络的最优参数，并应用ＣＡＤ辅助分析进行校核分析，以保证系统大、小信号的性能要求     

部分进口国产电视机电源的讨论

本文对较为流行的四种类型的电视机电源,从原理、特性、应用等方面进行了分析讨论,并对其发展前景作了展望.     

浅谈静止型动态滤波补偿装置SVC在矿井中的应用

淮南矿业集团顾桥煤矿110KV变电所内10KV负载感性负荷大,运行产生大量无功功率,造成系统功率因数低,部分大型固定设备启停频繁,负荷波动较大,重复周期时间短,对整个矿井的供电系统冲击强,引起电网电压波动,影响带载设备的安全运行,现就全矿井供电系统进行补偿治理。     

高校实验室智能弱电供电管理系统设计

为了丰富高校实验室现有供电模式,以适应日益增长的智能化、安全性要求,根据高校实验室供电安全现状,设计了一种主要应用于高校实验室的智能弱电供电管理系统,采用STM32系列高速低功耗微处理器为控制核心,以脉宽调制控制全桥隔离开关电源技术为基础,将应用输出端口电压控制在人体可承受的安全电压以内,并且具有检测、反馈、保护、显示、交互等多个辅助功能模块,研制出一种安全、高效、便捷、稳定的实验室智能化供电系统,有较大的实际应用价值.     

适用于小型DCS控制系统的UPS电源

针对DCS控制系统对电源高可靠性要求,提出了UPS双机热备用的两种基于旁路开关原理的供电模式,为提高供电系统的可靠性提供了行之有效的方案。     

PowerMaster智能高频开关电力操作电源系统的原理分析

直流电源是电力系统的重要设备,作为发电厂变电站自动控制、保护、开关分合、事故照明等的重要电源.其性能和质量的好坏直接关系到电网的稳定运行和设备安全.     

浅谈城市配网供电可靠性

介绍了太原市配电网络的历史和现状，根据配电网络存在的实际问题，提出了提高配网供电可靠性的建议。