过度掺杂的La1-xAgxMnO3室温磁电阻研究

对采用溶胶凝胶法制备的不同Ag含量的La1-xAgxMnO3样品进行了研究.观察到Ag的名义含量x为0.3和0.65的样品表现出显著的室温磁电阻,在1.8 T的外场下磁电阻(外加磁场后的电阻和未加磁场的电阻差值比上未加磁场的电阻值)分别达到-23.0%和-22.7%,接近实际应用要求.对其成因进一步分析后发现,在两种不同Ag含量的样品中出现的显著室温磁电阻效应,其形成原因并不相同.     

100MHz低噪声恒温石英晶体振荡器研制

为满足振荡器高频低噪声的要求,设计了一种100 MHz低噪声恒温石英晶体振荡器.该振荡器选用AT切型高Q值无谐波石英谐振器;主振电路采用并联型电路结构;主振管采用Rbb′小,fT高和NF小的低噪声管以达到降噪目的;主振级与输出级之间加入T型匹配网络以增大主振级输出功率;输出级采用并联谐振电路以提高频谱纯度.样品通过测试,其相位噪声为-165 dB/Hz@10 kHz.     

Nd2-xCexCuO4-δ晶体的生长及性质

为了从电子型超导体的角度探求高温超导体的机理,采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了高质量的Nd2-xCexCuO4-δ单晶,并由X射线衍射和扫描电镜证明了晶体是高质量的单晶.用物性测量仪在0～9 T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线.结果显示,样品零场下零电阻转变温度约为21 K,在80～150 K范围,电阻随温度的变化关系可以用幂指数关系R(T)～T2来描述,但是在低温区表现出N型反常行为.在起始转变温度以下有一个很大的电阻突起峰,且受到磁场的抑制.晶体表现为类重费米子系统性质.样品特征温度为23.1 K.     

应力对La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3薄膜电输运性能的调控研究

采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.     

Pr掺杂对Ce0.87Sm0.13O2-δ结构及电性能的影响

采用溶胶 凝胶法合成Ce_0.87Sm_0.13-xPr_xO_2-δ(x=0.00, 0.01, 0.02)氧化物, 通过X射线衍射、 拉曼光谱、 场发射扫描电镜对氧化物进行结构表征, 利用交流阻抗谱测试电性能, 并讨论 了掺杂Pr对Ce_0.87Sm_0.13O_2-δ微观结构和电性能的影响. 结果表 明, 掺入少量Pr³⁺可减少或消除晶粒表面和晶界处的坑痕或孔隙, 增加材料的致密 性, 从而降低材料的晶界电阻和电极界面电阻以及晶界电阻在总电阻中所占的比例, 提高了材料的电导率.     

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/LaMnO_3复合体系中颗粒间界对电磁输运行为的影响

将奈尔温度为145 K的反铁磁性绝缘体LaMnO_3作为第二相复合到La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3颗粒间界处,研究反铁磁性绝缘体对复合体系的电磁输运性质的影响.在(1-x)La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/xLaMnO_3复合体系中,随着x增加,样品的金属-绝缘体转变温度Tp降低,峰值电阻增加.电输运行为表明:随着反铁磁性第二相LaMnO_3的引入,电子-声子散射以及电子-磁振子散射对输运行为的影响变大.在低磁场0.3 T下,相对于纯La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3,复合样品在金属-绝缘体转变温区附近的磁电阻大大增强;在高场3 T下,所有样品都存在着磁电阻平台现象,且复合样品的磁电阻值在低温区域都明显大于纯La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的磁电阻值.     

农安县耕地土壤重金属污染评价

以吉林省长春地区的农安县为研究区域,采用单项污染指数法、单因子和多因子综合污染指数法及SPSS技术,全面评价了县域内耕地土壤重金属的污染状况.结果显示,农安县土壤环境质量总体良好.Pb、As、Cd、Cr的单项污染指数、单因子指数和多因子综合指数均达到NY/P391-2000标准.Hg单项污染指数有107个样点符合NY/P391-2000标准,157个符合GB/T18407-2001标准,5个不合格;Hg多因子综合污染指数有103个样点符合NY/P391-2000标准的安全、清洁水平,157个样点符合GB/T18407-200l标准的安全、清洁水平,5个样点处于警戒级、尚清洁水平;Hg单因子污染指数有7个乡镇达到NY/P391-2000标准,15个乡镇仅达到GB/T18407-2001标准.     

钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3的磁电阻效应及输运特性

采用固相反应烧结法成功制备了钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3单相多晶样品,利用超导量子干涉仪和直流四探针法主要研究了La0.7Pb0.3MnO3块体的磁电阻效应及输运特性.结果表明,此样品在居里点附近由铁磁向顺磁过渡,且表现出典型的团簇玻璃特征.磁电阻的极大值出现在居里温度附近.当H=0.5T时,磁电阻的极大值为6.8%,当H=1T时,磁电阻的极大值为12.4%.输运结果表明,T1区金属导电是由于电子散射造成的,T2区半导体特性是由于小极化子跃迁引起的.     

固体氧化物燃料电池的料浆喷涂法制备及性能

采用料浆喷涂法在NiO/YSZ阳极支撑体上制备了YSZ电解质膜并将其制成固体氧化物燃料电池(SOFC)单电池,并采用CHI电化学工作站和扫描电镜(SEM)对其伏安特性、阻抗谱和电池横断面的微观结构进行了测试和研究.结果表明:电池正常工作,开路电压随温度的升高而下降,从500℃的1.054 V降到800℃的0.963 V,800℃的最大功率密度为57×10-3W/cm2;电池在较低的工作温度下电阻损失主要来自界面电阻,随温度的升高界面电阻明显降低;电解质膜的厚度约为30μm,阳极微观结构不够均匀,这是造成欧姆电阻的主要原因.     

表面处理对碳纤维复合材料导电性的影响

为提高碳纤维/环氧树脂复合材料电性能的稳定性,采用钛酸酯偶联剂对碳纤维表面进行了处理,研究了以短切碳纤维毡为导电填料、环氧树脂为基体的导电复合材料的电阻-温度特性.结果表明:随碳纤维含量的增高,复合材料的电阻在温度变化下的稳定性增强;碳纤维经表面处理后,其复合材料的电阻率显著降低,且电阻值随温度的波动性也大幅下降.     

电泳法制备YBCO超导厚膜的电阻特性研究

采用电泳技术(EPD),将两种粉末YBa2Cu3O7-δ和1 g/mmolYBa2Cu3O7-δ 0.4 g/mmolY2BaCuO5制备成YBCO先驱膜.采用相应的烧结工艺得到高温超导厚膜A和B.研究高温超导厚膜A、B的表面形貌、晶体结构、超导转变温度.分别对高温超导厚膜A和B进行不同时间的氧处理,其零电阻转变温度有明显变化,并得到最优化的氧处理条件.     

纳米级Sr_2FeMoO_6/CeO_2复合材料磁致电阻效应研究

研究具有纳米级晶粒尺寸的(Sr_2FeMoO_6)_(1-x)/(CeO_2)_x复合材料的电输运性质.发现其低场磁致电阻效应在整个温区内要高于纯Sr_2FeMoO_6多晶材料.外加磁场为2 kOe(1 Oe=1000/(4π)A/m时,x=0.3的复合材料在10K与300 K的磁致电阻分别为纯SFMO样品的1.7与1.3倍.表明载流子在晶界处的隧穿效应加强了其磁致电阻效应.     

湖南省第一工程公司

湖南省第一工程公司系湖南省建筑工程集团总公司全资子公司，创建于1959年，前身为湖南省建筑工程局授外办公室，1992年11月更名为湖南中建工程公司，2006年7月更名为湖南省第一工程公司。目前拥有房屋建筑工程施工总承包壹级，环保工程专业承包壹级，装饰装修工程专业承包壹级等多项资质。公司于2006年11月通过GB/T19001：2000；GB/T28001-2001；GB/T24001-2004管理体系认证。     

La0.85Li0.15MnO3薄膜的制备及磁场、激光诱导效应

通过直流磁控溅射法在单晶SrTiO3(100)衬底上制备了膜厚约为93.8 nm的La0.85Li0.15MnO3薄膜.用X线衍射仪、直流四探针法对其结构及磁、光诱导效应进行了研究.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的(100)取向.260K时,薄膜发生金属一绝缘体转变.在金属区,激光使薄膜的阻值增大,磁场使薄膜的阻值减小.电输运性质表明,在低温区,电阻满足公式R(T)= R0+ R1T2+ R2T4.5,此输运机制主要是由电子-电子散射造成的;在高温区,输运特性与小极化子模型R (T)= R0 Texp(Ea/KBT)完全吻合,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的.由于外场诱导使得小极化子退局域,导致小极化子跃迁能减小,所以高温区外场导致样品电阻减小.     

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

石墨微晶粉末系统磁阻研究

用加压的方法制备了石墨微晶粉末样品,利用Quantum Design公司的Squid测量提供的磁场和低温,在温度为1.8 K～300 K和4.5 T的磁场范围内测量了样品的电阻,某些样品的电阻与温度关系符合涨落引起的隧穿导电机理,即满足R∞exp[T1/(T1+T2)],样品磁阻(MR)为正值.其它样品的曲线符合R∞1/Tα这一指数规律,其中α接近于数值1,提出声子激发的束缚态电子隧穿导电机制,其电输运特性取决于势垒有效宽度,含有负磁阻成分.研究表明样品的负磁阻是由于磁场中费米面附近电子能级的分裂,增强了声子激发的束缚态电子隧穿导电效应.     

溶液法制备ZnO多晶薄膜电阻开关耐受性衰退物理机制

利用溶液法制备出平整致密的ZnO多晶薄膜,微结构观测分析表明ZnO晶粒为六方纤锌矿结构,平均粒径约为23.7 nm,由薄膜样品的紫外-可见光吸收谱计算出其光学带隙宽度约为3.3 eV. Ag/ZnO/ITO三明治结构单元的电流-电压曲线呈现出稳定的双极性电阻开关特性:置/复位电压小于±0.4 V,在-0.1 V的读取电压下可获得10~3–10~4的高/低电阻值比,明显优于类似溶液法制备ZnO薄膜的电阻开关性能.然而,在周期性电场力作用下,ZnO多晶薄膜内定向漂移的自由氧离子逐渐被晶格氧空位捕获成为不可移动的晶格氧原子.膜内氧空位缺陷浓度的逐渐降低导致膜内氧空位导电细丝通道越来越细,器件无法长时间维持稳定的低电阻态.因此,随着循环周期数的增加,器件的低电阻态逐渐向高电阻态衰退,直至电阻开关窗口消失.     

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究

采用Slonczewski的近自由电子模型, 利用转移矩阵的方法, 研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性. 计算了T=4 K和T=300 K时, 隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance, TMR)随偏压的变化关系, 同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系. 我们的计算结果较好地解释了有关的实验 结论.     

Ag/Ag_2O/Pt非易失存储的双极性电阻转变

采用脉冲激光沉积系统制备了Ag/Ag2O/Pt器件并对其电致电阻特性进行了研究.结果表明,所制备的器件在电场触发下具有较好的高低电阻转变特性,器件具有较好的抗疲劳性和温度、时间稳定性.微区XPS测试证明样品电致电阻效应的内在机制是Ag2O的氧化还原反应.     

TiO2/VO2双层薄膜的制备及光电性能研究

文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO2单层薄膜与TiO2/VO2双层薄膜,并在Ar气中进行退火.用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、可见光透过率、电阻温度特性进行测试.结果表明,TiO2/VO2双层薄膜的相变温度降低到56℃,电阻温度系数为-1.087/℃,可见光透过率提高了20％～30％,且薄膜生长致密均匀.